Leistungshalbleiter, MOSFET

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter, MOSFET".
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Leistungselektronik-Kompakter und langlebiger

Neue Power-MOSFETs verbessern Heimwerkergeräte

07.09.2015Damit Akkuschrauber und Co. handlich und langlebig sind, brauchen sie eine platzsparende und robuste Elektronik. Infineon erweitert daher die Power-MOSFET-Familie StrongIRFET: Die Logic-Level-StrongIRFETs lassen sich direkt von einem Mikrocontroller ansteuern und arbeiten äußerst robust. mehr...

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Leistungselektronik-Applikationshandbuch

452 Seiten geballtes Leistungshalbleiterwissen

07.07.2015Semikron hat die aktualisierte Neuauflage des „Applikationshandbuch Leistungshalbleiter“ vorgestellt. In dem 452 Seiten Handbuch findet der Elektronikexperte detaillierte Hinweise zur Auswahl und Anwendung von IGBT, MOSFET, Dioden und Thyristor Bauelementen. mehr...

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Leistungselektronik-MOSFETs: Siliziumkarbid löst Silizium ab

In welchen Bereichen SiC-MOSFETs Vorteile bieten

07.05.2015In der Leistungselektronik zeichnet sich ein Trend in Richtung Siliziumkarbid (SiC) ab. Für SiC-MOSFETs sprechen im Vergleich zu Bausteinen auf Basis von Silizium die niedrigen Leitungs- und Schaltverluste sowie die kompaktere Form. Zudem machen die sinkenden Preise SiC-Leistungshalbleiter für Entwickler interessant. mehr...

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Distribution-Galliumnitrid-Leistungstransistoren

GaN Systems unterzeichnet Vertriebsvereinbarung mit Ecomal Europe

16.04.2015GaN Systems erwartet einen Boom bei Galliumnitrid-Leistungstransistoren. Der Hersteller wählt Ecomal Europe zum Vertriebspartner. Ausschlaggebend sei deren Erfahrung mit Leistungselektronik. mehr...

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Leistungselektronik-Akquisition abgeschlossen

IR gehört jetzt zu Infineon

15.01.2015Die Infineon Technologies AG hat die Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen. mehr...

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Leistungselektronik-Jetzt auch in Deutschland

Leistungshalbleiterhersteller eröffnet Zweigniederlassung in Nürnberg

10.12.2014Der Leistungshalbleiterhersteller Star Power Europe eröffnet seine Zweigniederlassung in Nürnberg. Neue Mitarbeiterin ist Frau Jie Ma, die bereits im technischen Vertrieb und Produktmanagement von Leistungshalbleiter Modulen und Systemen arbeitete. mehr...

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Automotive-Leiterplatten-Kooperation vertieft

Infineon beteiligt an Schweizer Electronic

26.11.2014Der Halbleiterhersteller Infineon Technologies und der Leiterplattenhersteller Schweizer Electronic wollen künftig noch enger zusammenarbeiten: Infineon beteiligt sich mit 9,4 Prozent Schweizer. Die entsprechenden Verträge wurden heute abgeschlossen. Bereits vor einem Jahr haben beide Unternehmen einen leistungsstarken Batterieschalter-Demonstrator entwickelt. mehr...

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Leistungselektronik-Siliziumkarbit-MOSFETs

Mehr Effizienz für Umrichtersysteme

04.11.2014Alles über Siliziumkarbid und SiC-MOSFETs. mehr...

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Leistungselektronik-SiC-Leistungsbausteine

Technologie, Produkte und Praxis

03.11.2014Siliziumkarbid-Technologie und -Halbleiter in einer kompakten Übersicht. mehr...

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Leistungselektronik-SiC-Pack-Power-Module

50 % weniger Verluste

30.10.2014Mit Siliziumkarbid-Technologie eine bis zu 40 % höhere Ausgangsleistung erzielen. mehr...

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Automotive-Diagnose von LED-Beleuchtung

Kfz-Leuchten stets unter Kontrolle

29.10.2014Infineon erläutert Details rund um die Diagnose von Kfz-LED-Beleuchtungen mit Hilfe eines BCMs. mehr...

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Leistungselektronik-Power-MOSFETs

Effizient entwickeln

29.10.2014MSC Technologies vertreibt die MOSFETs von IXYS. mehr...

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Leistungselektronik-Diagnose mit PROFET+

Stromsensor eingebaut

28.10.2014Wie nutze ich die Diagnosefähigkeiten von PROFET+ in Kombination mit einem Mikrocontroller? Hier gibt es die Antworten. mehr...

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Automotive-Treiber-IC

Für (H)EVs und SMPS

28.10.2014International Rectifier stellte mit dem automotive-qualifizierten AUIRB24427S ein Dual-Low-Side-Treiber-IC für hohe Ströme für den Einsatz in Schaltnetzteilen (SMPS) vor, das sowohl in Hybrid-Elektrofahrzeugen (HEV) und Elektrofahrzeugen (EV) als auch in industriellen Hochleistungswandlern Verwendung finden kann. mehr...

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Leistungselektronik-Der Vertrag ist unterzeichnet

Infineon will International Rectifier kaufen

20.08.2014Infineons CEO Dr. Reinhard Ploss hat in den USA einen Vertrag zur Akquisition von International Rectifier unterzeichnet, um so „eine Vertiefung und eine Verbreiterung“ des Produktportfolios zu erreichen. mehr...

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Automotive-Controller für Spannungswandler

Digitales Power-Management im Auto

25.03.2014Vor drei Jahren verkündeten die E/E-Leiter von Audi, BMW, Daimler, Porsche und Volkswagen auf dem 15. Fachkongress „Fortschritte in der Automobil-Elektronik“ in Ludwigsburg, dass sie eine zusätzliche Versorgungsspannung von 48 V im Fahrzeug etablieren wollen. Wir stellen einen Controller vor, der den Energieaustausch zwischen der 12-V- und der 48-V-Welt in beide Richtungen ermöglicht. mehr...

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Leistungselektronik-650-V-Typen erschließen neue Applikationen

Aufholjagd der GaN-Leistungshalbleiter

21.01.2014Seit Mitte der 2000er Jahre wird diskutiert, welche der Wide-Gap-Technologien die Nase vorne hat: SiC oder GaN? Gegen Ende der Dekade stellte sich heraus, dass SiC näher an den Vorteilen des funktionalen Einsatzes ist. Jetzt zeigt sich aber, dass GaN im Spannungsbereich von 650 V und bald bis 1200 V eine Alternative zu SiC sein wird. mehr...

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Leistungselektronik-NovalithIC BTN8962/82

Halbbrücken-ICs für Motorsteuerungen

06.11.2013In einer 23-seitigen Applikationsschrift gibt Infineon Informationen und Tipps zum Hochstrom-Design mit PWM-Regelung auf Basis der NovalithIC Halbbrücken Familie BTN89xy für den automobilen Einsatz. Die Produkte dieser Familie integrieren drei Chips in einem D2PAK-Gehäuse. Einen P-Kanal highside MOSFET, einen N-Kanal lowside MOSFET und einen Treiber-IC. Aufgrund der Logic-Level Eingänge kann der Baustein direkt vom Mikrocontroller angesteuert werden. Außerdem bietet der NovalithIC eine Vielzahl von integrierten Diagnose- und Schutzfunktionen. mehr...

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Leistungselektronik-Power MOSFET

CoolMOS C7 – Leistungsdichte neu definiert

06.11.2013In der Application Note beschäftigen sich die Autoren Hancock, Stueckler und Vecino ausführlich mit den technischen Merkmalen von CoolMOS C7, der neuesten 650 V Superjunction-MOSFET-Technologie des Unternehmens. Es wird ein technologischer Vergleich zu bereits existierenden CoolMOS-Generationen geboten sowie Design-Tipps für die Entwicklung von Schaltnetzteilen gegeben. Erstmals erreichen diese Bauelemente typische RDS(on) x A-Werte von weniger als 1 Ωmm2. Durch die sehr geringen Schaltverluste, auch speziell bei höheren Strömen, ist der Einsatz in höheren Frequenzen möglich. mehr...

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Leistungselektronik-PROFET+ 24 V

Was der Designer wissen sollte

06.10.2013Die 89-seitige Application Note von Infineon bietet nützliche Informationen für Designer von PROFET+ 24 V Highside Leistungsschaltern für Anwendungen in Lkws, Baumaschinen und auch für die Industrie. Da die Application Note auf der äquivalenten Applikation Note für PROFET+ 12 V basiert, wird in diesem Werk im Wesentlichen auf die Unterschiede zwischen den beiden Applikationen eingegangen. mehr...

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