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Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
Die von Toshiba vorgestellten N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V eignen sich für den Einsatz in der Energieumwandlung, beispielsweise in AC/DC- und DC/DC-Wandlern.
Leistungselektronik-Mit niedrigem Durchlasswiderstand

N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V im DPAK-Gehäuse

17.10.2017- ProduktberichtToshiba Electronics Europe kündigt mit den Leistungs-MOSFETs für 40 V und 60 V Leistungs-Bauelemente an, die im U-MOS-IX-H-Trench-Halbleiterprozess des Unternehmens gefertigt werden. mehr...

Aufmacher
Leistungselektronik-Kosmischem Beschuss trotzen

Höhenstrahlungsfestigkeit von SiC-Leistungshalbleitern

12.09.2017- FachartikelDie kosmische Höhenstrahlung ist allgegenwärtig und kann in elektronischen Bauelementen zum Single Event Burnout (SEB) führen. Gerade für Leistungshalbleiter ist die Robustheit gegenüber dem von Höhenstrahlung verursachten Phänomen ein wichtiges Kriterium. Messergebnisse aus aktuellen Veröffentlichungen zeigen, dass SiC-MOSFETs von Rohm robuster gegenüber Höhenstrahlung sind als Si-Bauelemente der jeweiligen Spannungsklassen. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

Bild 1: Referenzdesign für einen Dreiphasen-GaN-Wechselrichter mit hoher Schaltfrequenz.
Leistungselektronik-GaN erschließt neues Terrain

Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte

04.09.2017- FachartikelAnders als Schaltnetzteile arbeiten Wechselrichter für Dreiphasen-Motoren überwiegend mit niedrigen Schaltfrequenzen im zweistelligen Kilohertzbereich. Motoren mit hoher Leistung waren und besaßen Wicklungen mit hoher Induktivität. Infolge der Weiterentwicklung der Motortechnik nehmen jedoch Leistungsdichte und Drehzahl zu, was höhere Ansteuerfrequenzen erfordert. Um Leitungs- und Schaltverluste trotzdem niedrig zu halten, kommen hier vermehrt GaN-Transistoren im Wechselrichter zum Einsatz. mehr...

Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt.
Leistungselektronik-In Planar- und Superjunction-Technologie

Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bei Schukat

08.08.2017- ProduktberichtSchukat hat das komplette, neu aufgebaute Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) in sein Sortiment aufgenommen. TSC setzt bei seinen Leistungsbauelementen zunehmend auf die Superjunction-Technologie. mehr...

Bild 1: Temperaturverlauf in der Chipfläche.
Leistungselektronik-Die virtuelle Chiptemperatur und was sie bedeutet

Auch an virtuellen Temperaturen kann man sich verbrennen

10.05.2017- FachartikelFrüher war vieles einfacher und besser, so heißt es gelegentlich. Bei Halbleitertemperaturen könnte man das durchaus meinen. Vor Jahren stand in Datenblättern noch eine maximal zulässige Chiptemperatur Tjmax. Das war eine klare Aussage: heißer darf der Chip nicht werden! Heute findet sich stattdessen eine virtuelle Chiptemperatur Tvjmax. mehr...

Hexagonaler GaN-Einkristall mit einem Durchmesser von 2 Zoll. Die Herstellung dieser Einkristalle ist schwierig und teuer, was derzeit den größten Stolperstein für GaN-Bauelemente auf den Weg in den Hochspannungsbereich darstellt.
Leistungselektronik-Bye-bye Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

25.04.2017- FachartikelSeit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt. mehr...

Bild 4: Harte Kommutierung der Body-Diode bei einem Synchron-Aufwärtswandler.
Leistungselektronik-Besonderheiten beim spannungslosen Schalten

Pro und contra Zero-Voltage-Switching-Konzept

13.04.2017- FachartikelDamit Schaltnetzteile einen hohen Wirkungsgrad erreichen, nutzen viele Entwickler eine resonant schaltende Topologie. Das Zero-Voltage-Switching-Konzept (ZVS) gilt oft als Patentlösung, weist jedoch auch Einschränkungen auf. Mögliche Fehlerquellen bei der Implementierung der ZVS-Topologie beleuchtet dieser Beitrag. mehr...

Infineons CEO Dr. Reinhard Ploss bekräftigt nach einem erfolgreichen ersten Quartal die Prognose für das Umsatzwachstum des Halbleiterkonzerns in 2017.
Branchenmeldungen-CEO: Weiterhin Wachstum

Infineon übertrifft die Erwartungen

03.02.2017- NewsUmsatz und Gewinn des Halbleiterkonzerns Infineon fielen im ersten Quartal des Geschäftsjahres 2017 besser aus als erwartet. Der Umsatz wuchs, und das hat seine Gründe... mehr...

Toshiba erwägt die Ausgründung seiner Halbleitersparte, um Verluste aus dem Nukleargeschäft auszugleichen und auf dem Speichermarkt konkurrenzfähig zu bleiben.
Firmen und Fusionen-Frisches Kapital nach Verlusten

Toshiba erwägt Ausgründung seiner Halbleitersparte

18.01.2017- NewsToshiba erwägt die Ausgründung seines profitablen Halbleiter-Kerngeschäfts. Der Plan könnte dem Unternehmen helfen, nach der massiven Abwertung seines Nukleargeschäfts den Kapitalbestand zu erhöhen. Eine Entscheidung über die Ausgründung könnte bereits am Freitag fallen. mehr...

Die MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie bieten reduzierte Schaltverluste, höhere Effizienz und um bis zu 16 Kelvin reduzierte Bauteiltemperaturen.
Branchenmeldungen-Für kühle Schaltnetzteile

Leistungs-MOSFETs für quasiresonante Flyback-Topologien

17.01.2017- ProduktberichtDie MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie von Infineon sind für den Einsatz in resonant schaltenden Topologien ausgelegt, wie sie beispielsweise in Ladegeräten für Smartphones,Tablets und Notebooks zum Einsatz kommen. Ein verbesserter Formfaktor soll besonders schlanke Designs ermöglichen. mehr...

Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter für Elektroautos

Planares SiC-MOSFET für den Antriebsstrang

12.01.2017- ProduktberichtWolfspeed, ein Unternehmen von Cree und Hersteller von Siliziumcarbid-Leistungsbauelementen, stellt einen 900 V, 10 mΩ SiC-MOSFET in Planartechnologie vor. Der MOSFET soll Umrichterverluste im Antriebsstrang von Elektroautos um bis zu 78% verringern und damit die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Der Controller ist für Einsätze im Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C geeignet.
Leistungselektronik-Geringer Verbrauch im Standby

Controller für Quasi-Resonanz-AC/DC-Wandler

12.12.2016- Application NoteUm die heute geforderten Energieeinsparungen und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen, brauchten Schaltungsdesigner bisher eine große Anzahl von Bauelementen. Um den Platzbedarf von Schaltungen zu verringern, kombiniert Rohm analoge Entwicklungstechnologie mit fortschrittlicher SiC-Leistungselektronik (Siliciumkarbid). mehr...

Leistungselektronik-Motion-Control Reference Design

Komplett elektrische Roboter entwickeln

05.12.2016- Application NoteEinhergehend mit dem Trend von hydraulischen zu elektrischen Roboterantrieben können Hersteller von elektronischen Komponenten nun umfassende Motorsteuerungsreferenzkonzepte einschließlich Motoren, MOSFETs und Treiber, Prozessoren, Algorithmen und sogar Leistungsverbinder anbieten. mehr...

Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.
Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016- FachartikelInfineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016- FachartikelStromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

Hybridpack-DSC-Module sind besonders kompakt.
Automotive-Ultrakompakt

Leistungsmodule für Wechselrichter mit hoher Leistungsdichte

19.10.2016- ProduktberichtInfineons Hybridpack-DSC-Module (Double-Sided-Cooling) mit doppelseitiger Kühlung sind mit Abmessungen von 42 × 42,4 × 4,8 mm3 besonders kompakt. Sie eignen sich für den Einsatz im Hauptwechselrichter und Generator mit einem typischen Leistungsbereich von 40 bis 50 kW und lassen sich für höhere Leistung parallel schalten. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016- NewsBahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.
Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016- FachartikelDer große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 1: ATPAK ist 35% niedriger als DPAK, die Montagefläche um 60% kleiner als beim D2PAK.
Wärmemanagement-Wärmemanagement Leistungshalbleiter

Neue Gehäuse erhöhen thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs

08.09.2016- FachartikelParallel zur Weiterentwicklung der Leistungseigenschaften von MOSFETs erfolgen auch im Bereich des Gehäusedesigns innovative Verbesserungen. So verbessert On Semiconductor mit dem neuen ATPAK die thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs deutlich und stellt dieses vor. mehr...

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