Leistungshalbleiter

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungshalbleiter".
GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.

Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 1: ATPAK ist 35% niedriger als DPAK, die Montagefläche um 60% kleiner als beim D2PAK.

Wärmemanagement-Wärmemanagement Leistungshalbleiter

Neue Gehäuse erhöhen thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs

08.09.2016Parallel zur Weiterentwicklung der Leistungseigenschaften von MOSFETs erfolgen auch im Bereich des Gehäusedesigns innovative Verbesserungen. So verbessert On Semiconductor mit dem neuen ATPAK die thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs deutlich und stellt dieses vor. mehr...

Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).

Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016In vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

Branchenmeldungen-Leistungshalbleiter

Innovative Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

05.09.2016Zur Electronica präsentiert Rohm Semiconductor aus dem Leistungshalbleiterbereich Neues zu den Themen fortschrittliche Technologien für mehr Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit, minimaler Platzbedarf, kabellose Ladetechnik sowie neue Partnerschaften. mehr...

Business partnership meeting concept. Image businessmans handshake. Successful businessmen handshaking after good deal. Horizontal, blurred background

Firmen und Fusionen-Leistungshalbleiter-Portfolio

Littelfuse übernimmt ausgewählte Produktpalette von ON Semiconductor

29.08.2016Littelfuse hat die Übernahme der Produktpalette an Suppressordioden (TVS), Schalt-Thyristoren und Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) für Fahrzeugzündanwendungen von ON Semiconductor für einen Gesamtpreis von 104 Millionen US-Dollar bekannt gegeben. mehr...

Christian André: „Der Markttrend geht dahin, in EVs und HEVs die IGBTs durch SiC-MOSFETs zu ersetzen.“

Automotive-Halbleiter für die Branche

Exklusiv-Interview mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe

25.08.2016AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe und Geschäftsführer der Rohm Semiconductor GmbH in Willich bei Düsseldorf, über die Bedeutung des Automotive-Geschäfts für Rohm, generelle Trends, die Vorteile einer sehr großen Fertigungstiefe, SiC-Technologie, Formula-e-Rennen, ADAS, LED-Licht und vieles mehr. mehr...

Gehäusevarianten von Leistungs-Schottky-Dioden der Serie MBR und DST.

Passive Bauelemente-Leistungshalbleiter

Sonnige Aussichten für effizientere Schottky-Dioden

31.05.2016Bisher kamen MBR-Schottkey-Dioden als schnelle und verlustarme Hablleiter zur Gleichrichtung sowie als Rückflusssperre in der Leistungselektronik zum Einsatz. Mittlerweile holen die etwas teureren aber effizienteren DST-Dioden auf. Littlefuse erläutert die Hintergründe. mehr...

Wireless-Kombiniertes Know-how

Wireless Power und Sensorik in einem Baustein

22.04.2016IDT kombiniert die eigenen Wireless-Power-ICs mit der kürzlich von ZMDI erworbenen Signalaufbereitungstechnik, um neue programmierbare Halbleiterbausteine zu entwickeln. Die in der Entwicklung befindlichen ICs eignen sich für viele unterschiedliche Anwendungen. mehr...

E-Industrie-Cover_03

Leistungselektronik-Optimierung

Industrielle AC/DC-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs effizienter und einfacher entwickeln

12.04.2016Industrielle Anlagen müssen immer effizienter werden, gefragt sind kompakte Lösungen mit hoher Leistung. Um Energie zu sparen, prüfen Entwickler alle Bestandteile der Leistungskette. Gerade bei den Leistungshalbleitern eröffnet Siliziumkarbid viele neue Möglichkeiten, die sich dank eines neuen Controller-Bausteins nun auch sehr einfach in AC/DC-Wandlern nutzen lassen. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.

Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016Die Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

Herkömmlicher MOSFET (links) und Superjunction-MOSFET (rechts).

Leistungselektronik-MOSFET

Leitfaden für moderne Leistungs-MOSFETs

10.11.2015Bei der Vielzahl erhältlicherMOSFETs wird die Wahl des richtigen Modells oft zu einer Herausforderung. Dieser Leitfaden beschreibt die wichtigsten Faktoren, die bei der Auswahl von Leistungs-MOSFETs zu berücksichtigen sind. mehr...

Automotive-MOSFET TCM-0070

Leistungselektronik-Leistungselektronik

Power-MOSFETs für Automotive-Anwendungen

10.11.2015In einem kostenlosen E-Books erklärt Toshiba, wie neue Halbleiterprozesse und die Gehäuseweiterentwicklung leistungsfähigere und kleinere MOSFETs hervorbringen. mehr...

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Labormesstechnik-Power Analyzer

Leistungshalbleiter flexibel und exakt charakterisieren

01.09.2015Neue Materialien und Strukturen bei Halbleitern erfordern flexible, aber dennoch hochpräzise Messgeräte für Hersteller und Anwender: Power-Device-Analyzer eröffnen neue Möglichkeiten gegenüber traditionellen Curve-Tracern und schließen die Lücke zwischen einfachem Bedienerkonzept und hoher Messpräzision. mehr...

On Semi schließt Kauf von Sanyo Semiconductor ab

04.01.2011On Semiconductor hat die Akquise von Sanyo Semiconductor, einer Tochter von Sanyo Electric, abgeschlossen. Der Kaufpreis betrug sich auf etwa 144 Millionen US-Dollar in bar sowie cirka 378 US-Dollar als Darlehen. Für die Amerikaner bedeutet der Kauf einen weiteren strategischen Schritt, ihre Marktpräsenz in Japan zu stärken. Darüber hinaus sieht der On Semis Präsident und […] mehr...

Leistungselektronik-Eine Frage des Standpunktes

High Power, Low Power?

08.11.2002Elektronik wird heute in jeglicher Form zum Steuern und Regeln eingesetzt. Dabei ist die steuernde Elektronik aus Halbleiterchips aufgebaut und mit einer hohen logischen Verknüpfung versehen um Daten zu verarbeiten. Von fester digitaler Logik über feste Schritte hin bis zum Mikroprozessor finden wir dies in jedem Laptop. Dies ist das Gehirn der Elektronik eines Systems. Die electronica wird uns alle wieder mit Superlativen der Marketingabteilungen versorgen, die auf das realistische Maß der Dinge reduziert, ganz normal klingen mögen. mehr...

Leistungselektronik-IGBT-Vollbrücken-Motortreiber

IGBT-Schalter

18.10.2002Intelligent und kompakt sind die hochintegrierten IGBT-Vollbrücken-Motortreiber von Mitsubishi (Vertrieb: Hy-Line). mehr...

Leistungselektronik-Bipolare Leistungstransistoren

STSA851 und STN851 von ST

14.10.2002Mit den Typen STSA851 und STN851 stellt Rutronik zwei Versionen eines Niederspannungs-Bipolar-Leistungstransistors von STMicroelectronics vor, die z. B. für Notbeleuchtungs- und Kfz-Anwendungen konzipiert sind. mehr...

Leistungselektronik-150-V- und 200-V-MOSFETs

IRFS38N20D , IRFS52N15D

10.10.2002Von International Rectifier gibt es eine Familie von 150-V- und 200-V-HEXFET-Power-MOSFETs mit verbessertem Einschaltwiderstand sowie optimierter Gateladung. mehr...

Leistungselektronik-Temperatur- und Stromerfassungs-TrenchFETs

SUM TrenchFETs

10.10.2002Die TrenchFETs der Serie SUM von Vishay gibt es in Ausführungen von 30 V bis 75 V. mehr...

Leistungselektronik-200 V / 500 V Planar-MOSFETs

FQP18N50V2

10.10.2002Planare Hochvolt-MOSFETs von Fairchild zeichnen sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand, geringe Gate-Ladung sowie eine hohe Energieaufnahmefähigkeit im Avalanche- und Kommutierungs-Mode aus. mehr...

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