Leistungsmosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Leistungsmosfet".
Die Superjunction-MOSFETs der MDmesh-K5-Familie von ST Microelectronics sind bis 900 V durchbruchsfest und eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern mit Leistungen von 35 W bis 230 W.
Leistungselektronik-Für leistungsstarke Sperrwandler

Superjunction-MOSFETs mit 900 V Durchbruchspannung

10.03.2017- ProduktberichtDie MDmesh-K5-Superjunction-MOSFETs von ST Microelectronics sollen bis 900 V durchbruchsicher sein und eignen sich für den Einsatz in Systemen die hohe Leistungen fordern. Die hohe Durchbruchspannung gibt den Bauteilen zusätzliche Reserven in Systemen mit hohen Busspannungen. Damit eignen sich die Bauelemente für den Einsatz in Server-Netzteilen, 3-Phasen-Schaltnetzteile, Netzteile für LED-Beleuchtungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge oder industrielle Anwendungen. mehr...

Bild 1: Funktionsschema eines herkömmlichen Mikrowellenherdes (links) und der Halbleitervariante (rechts).
Leistungselektronik-Mikrowellentechnik

Halbleiter ersetzen Magnetrons in Mikrowellenherden

07.09.2016- FachartikelDeutlich effizienter als ein klassischer Hohlkammerresonator (Magnetron) erzeugen Halbleiterbausteine das Hochfrequenzfeld in Mikrowellenherden. Sie lassen sich präzise steuern und weisen keine alterungsbedingten Leistungsverluste auf. Ampleon stellt Entwicklern von Haushaltsgeräten dieses Konzept genauer vor. mehr...

Gate-Treiber der Serie Scale I-Driver für IGBTs und MOSFETs liefern maxiale Ausgangsströme von 2,5 bis bis 8 A.
Leistungselektronik-Neues aus der Power-Fraktion

Ein kurzer Streifzug durch die Welt neuer Leistungselektronik-Bauteile

02.06.2016- FachartikelDie Halbleitertechnologien auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumcarbid bringen durch ­eine höhere Leistungsfähigkeit und -dichte ganz neue Formen von Leistungselektronik-ICs mit vielfältiger und teilweise neuartiger Funktionalität hervor. Die Redaktion wirft einen Blick auf einige der Neuheiten. mehr...

Leistungselektronik-Dreifache Schaltgeschwindigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs für Leistungswandler-Designs

17.05.2016- ProduktberichtBisher unerreichte Leistungsdichte und Performance für Leistungswandler verspricht der Einsatz der neuen Cool-SiC-MOSFETs von Infineon. So hat sich die Schaltgeschwindigkeit verdreifacht und die dynamischen Verluste sind laut Infineon um eine Größenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Si-IGBTs. mehr...

14181.jpg
Leistungselektronik-Hohen Wirkungsgrad erzielen

Leistungsmosfet RJK0383DPA

24.09.2008- ProduktberichtDer RJK0383DPA ist ein dualer Leistungsmosfet für den Einsatz in Synchrongleichrichtern für DC/DC-Wandler. mehr...

Loader-Icon