Leistungstransistor

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Leistungstransistoren MAGb: GaN-Leistung zu LDMOS-Kosten

Leistungselektronik-Besser und kleiner als LDMOS

Hochleistungsfähige GaN-Leistungstransistoren

15.04.2016Leistungstransistoren der Serie MAGb von Macom verbinden GaN-Performance mit einer LDMOS-ähnlichen Kostenstruktur. Die Bausteine sind für den Einsatz in Makro-Basisstationen vorgesehen und basieren auf der GaN-Technologie Gen4 des Unternehmens. mehr...

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Leistungselektronik-Akquisition abgeschlossen

IR gehört jetzt zu Infineon

15.01.2015Die Infineon Technologies AG hat die Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen. mehr...

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Leistungselektronik-SiC-Leistungsbausteine

Technologie, Produkte und Praxis

03.11.2014Siliziumkarbid-Technologie und -Halbleiter in einer kompakten Übersicht. mehr...

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Leistungselektronik-Den On-Widerstand reduzieren

200 V eGaN-FET von EPC

01.06.2011Efficient Power Conversion Corporation (EPC) hat die zweite Generation seiner 200 V eGaN-FETs eingeführt. Die EPC2010-Baureihe kombiniert eine hohe Schaltfrequenz mit hoher Performance. mehr...

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