Mosfet-Treiber

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet-Treiber".
Der Scale-iDriver ist in drei Varianten für 2,5; 5 und 8 A Treiberstrom lieferbar.

Leistungselektronik-IGBT-Treiber für Applikationen bis 400 kW

IGBT- und MOSFET-Treiber

28.10.2016Die Scale-IGBT-Treiber von Power Integrations (Vertrieb: Hy-Line Power Components) minimieren durch hohe Integration die Komponentenzahl und machen Zusatzfeatures möglich. mehr...

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Analog + Mixed Signal-BLDC-Motorsteuerung

Gleichmäßige, leise und effiziente BLDC-Antriebe

18.08.2016Eine Controller-Treiber-Schaltung mit gutem Regler erlaubt es, effiziente, vibrationsarme und leise BLDC-Antriebe schnell und mit geringen Beschaltungsaufwand zu realisieren. Toshiba stellt hierfür einen hochintergrierten Baustein vor und erläutert die besonderen Verbesserungsmerkmale. mehr...

Gate-Treiber der Serie Scale I-Driver für IGBTs und MOSFETs liefern maxiale Ausgangsströme von 2,5 bis bis 8 A.

Leistungselektronik-Neues aus der Power-Fraktion

Ein kurzer Streifzug durch die Welt neuer Leistungselektronik-Bauteile

02.06.2016Die Halbleitertechnologien auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumcarbid bringen durch ­eine höhere Leistungsfähigkeit und -dichte ganz neue Formen von Leistungselektronik-ICs mit vielfältiger und teilweise neuartiger Funktionalität hervor. Die Redaktion wirft einen Blick auf einige der Neuheiten. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.

Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016Die Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

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Leistungselektronik-Siliziumkarbid

Optokoppler für SiC-MOSFET-Gate-Treiber

02.09.2014Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid setzen sich immer mehr durch: Sie können die Gesamtsystemleistung um mehr als 10 % verbessern und die höhere Schaltgeschwindigkeit reduziert Systemgröße und -kosten. Entwickler müssen aber auch die umgebende Schaltung bedenken, bis hin zu den Optokopplern am Gate-Treiber. mehr...

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Leistungselektronik-Leistungstreiber SCALE-2

Ein- und Zweikanal IGBT- und MOSFET-Treiber

06.11.2013Die IGBT- und MOSFET-Treiber SCALE-2 der Power-Integrations-Tochter Concept sind kostengünstige hochintegrierte Module. Da sie keine plug-and-play Treiber sind, ist ein Minimum an Kenntnis im Bereich Leistungselektronik nötig, um daraus zuverlässige Inverter zu entwickeln. Eine 30-seitige Applikationsschrift von Hy-Line geht auf die wichtigsten Design-Regeln in drei- und mehrstufigen Topologien sowie bei parallel geschaltete IGBTs/MOSFETs ein und präsentiert zahlreiche Anwendungsbeispiele. mehr...

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Mikrocontroller, CPU+DSP-Hybride Power-Control

Analoger Spannungswandler mit integriertem Mikrocontroller

18.02.2013Spannungswandler arbeiten gewöhnlich auf analoger Basis oder digital, mit einem äußerst leistungsfähigen Rechenkern. Microchip geht nun den Mittelweg: Sie kombinieren einen analogen Wandler mit einer kleinen Flash-MCU (mit PIC-Kern) auf einem Chip. Die MCU ist aber nicht Teil der Feedback-Schleife. mehr...

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Leistungselektronik-Hochleistungs-Siliziumkarbid-MOSFETs

50 A-taugliche SiC-Leistungsbausteine

14.06.2012Cree ist ein bedeutender Anbieter von Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC). Jetzt präsentierte das Unternehmen eine Familie von Siliziumkarbid-Bausteinen mit 50 A Nennstrom, darunter der branchenweit erste Z-FET SiC-MOSFET für 1700 V. Zu diesen 50-A-SiC-Bausteinen gehören zudem ein 1200 V Z-FET SiC-MOSFET und drei Z-Rec SiC-Schottkydioden. mehr...

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Analog + Mixed Signal-DirectFETplus Leistungs-MOSFETs

Verbessert Wirkungsgrad um bis 2 Prozent

18.04.2011Die ersten beiden DirectFETplus-Bausteine innerhalb der Familie von International Rectifier, der IRF6811 und der IRF6894, senken im Vergleich zu ICs der vorhergehenden Generation den Einschaltwiderstand, die Gateladung und verbessern auf diese Weise den Wirkungsgrad um bis 2 Prozent beträchtlich. mehr...

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Branchenmeldungen-Datenkommunikation im Automobil

Grundlagen, Bussysteme, Protokolle und Anwendungen

18.04.2011Das informative Buch gibt einen Überblick über die Entwicklung der Elektronik im Fahrzeug, die Grundlagen der Kommunikation und die verschiedenen Bussysteme, z. B. K-Leitung, CAN, LIN, FlexRay und MOST. mehr...

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Aktive Bauelemente-Vollbrücken-PWM-Controller

MOSFET-Gatetreiber erstmals integriert

15.04.2011National Semiconductor stellt mit den Typen LM5045 und LM5046 die industrieweit ersten Vollbrücken-Controller mit PWM vor, die die Gatetreiber für alle vier MOSFETs der primärseitigen Brücke in sich vereinigen. mehr...

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Spannungswandler-IC-Gute Kombination

100-Volt-Synchron-N-Kanal-Mosfettreiber von Linear Technology

21.02.2011Linear Technology hat die H-Grade-Version des LTC4444/-5 vorgestellt. Dabei handelt es sich um einen schnellen Synchron-Mosfet-Gate-Treiber für hohe Eingangsbetriebsspannungen von bis zu 100 Volt. mehr...

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