Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
Die +FET-Superjunction-MOSFETs für 650 V Betriebsspannung von D3 Semiconductor sind ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich.
Leistungselektronik-Superjunction-MOSFETs

D3 Semiconductor gibt Vertriebsvereinbarung mit Mouser bekannt

17.05.2017- NewsD3 Semiconductor hat Mouser Electronics als seinen globalen Vertriebspartner bekanntgegeben. Gemäß der Vereinbarung hält Mouser die gesamte Produktlinie der +FET-650-V-Superjunction-MOSFETs von D3 auf Lager. Die Bausteine kommen in PFC-Bostern und Wechselrichtern für die Telekommunikation, im Enterprise Computing sowie in USV- und Solaranlagen zum Einsatz. mehr...

Bild 4: Harte Kommutierung der Body-Diode bei einem Synchron-Aufwärtswandler.
Leistungselektronik-Besonderheiten beim spannungslosen Schalten

Pro und contra Zero-Voltage-Switching-Konzept

13.04.2017- FachartikelDamit Schaltnetzteile einen hohen Wirkungsgrad erreichen, nutzen viele Entwickler eine resonant schaltende Topologie. Das Zero-Voltage-Switching-Konzept (ZVS) gilt oft als Patentlösung, weist jedoch auch Einschränkungen auf. Mögliche Fehlerquellen bei der Implementierung der ZVS-Topologie beleuchtet dieser Beitrag. mehr...

Infineon integriert bei den Leistungs-ICs der Coolset-Familie Hochvolt-MOSFETs und einen quasi-resonanten Sperrwandler-Controller in einem Gehäuse.
Leistungselektronik-Coolset-ICs der 5. Generation

Sperrwandler-Controller und integrierte Leistungs-ICs

12.04.2017- ProduktberichtInfineon Technologies hat die fünfte Generation der Coolset-Familie vorgestellt. Durch die Weiterentwicklung der quasi-resonanten Sperrwandler-Controller und der integriereten Leistungs-ICs soll diese einen verbesserten Wirkungsgrad, kürzere Anlaufzeiten und eine erhöhte Effizienz bei wechselnden Lastbedingungen besitzen. mehr...

Monolith Semiconductor lässt seine SiC-Leistungsbauelemente von X-Fab in Texas auf 150-mm-Substraten herstellen.
Leistungselektronik-Littelfuse investiert in Monolith Semiconductor

SiC-Leistungsbauelemente in CMOS-Technologie

27.03.2017- NewsLittelfuse hat erneut in das amerikanische Start-Up Monolith Semiconductor investiert. Etwa 15 Millionen US-Dollar investiert das Unternehmen, um seinen Einstieg in den Markt für SiC-Halbleiter voranzutreiben. Gegenüber Silizium lassen sich mit Bauelementen auf Basis von SiC (Siliziumkarbid) höhere Schaltfrequenzen und Arbeitstemperaturen realisieren und deutlich höhere Wirkungsgrade erreichen. mehr...

Die Superjunction-MOSFETs der MDmesh-K5-Familie von ST Microelectronics sind bis 900 V durchbruchsfest und eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern mit Leistungen von 35 W bis 230 W.
Leistungselektronik-Für leistungsstarke Sperrwandler

Superjunction-MOSFETs mit 900 V Durchbruchspannung

10.03.2017- ProduktberichtDie MDmesh-K5-Superjunction-MOSFETs von ST Microelectronics sollen bis 900 V durchbruchsicher sein und eignen sich für den Einsatz in Systemen die hohe Leistungen fordern. Die hohe Durchbruchspannung gibt den Bauteilen zusätzliche Reserven in Systemen mit hohen Busspannungen. Damit eignen sich die Bauelemente für den Einsatz in Server-Netzteilen, 3-Phasen-Schaltnetzteile, Netzteile für LED-Beleuchtungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge oder industrielle Anwendungen. mehr...

Der Hochspannungs-IPD TPD4206F von Toshiba eignet sich für stromsparende, geräuscharme Applikationen zur Bewegungssteuerung, wie beispielsweise Lüfter und Pumpen in der Industrie und in Haushaltsgeräten.
Aktive Bauelemente-Multi-Chip-IC mit 500 V und 2,5 A

Hochspannungs-IPD unterstützt Treiber für BLDSs bis 80 W

10.03.2017- ProduktberichtToshiba Electronics Europe kündigt mit dem TPD4206F einen Hochspannungs-IPD (Intelligent Power Device) an, der die Komponentenanzahl bei bürstenlosen Gleichstrommotor-Antrieben (BLDC) senken soll. Das Bauelement eignet sich für geräuscharme, stromsparende Applikationen zur Bewegungssteuerung. mehr...

Infineons CEO Dr. Reinhard Ploss bekräftigt nach einem erfolgreichen ersten Quartal die Prognose für das Umsatzwachstum des Halbleiterkonzerns in 2017.
Branchenmeldungen-CEO: Weiterhin Wachstum

Infineon übertrifft die Erwartungen

03.02.2017- NewsUmsatz und Gewinn des Halbleiterkonzerns Infineon fielen im ersten Quartal des Geschäftsjahres 2017 besser aus als erwartet. Der Umsatz wuchs, und das hat seine Gründe... mehr...

Die MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie bieten reduzierte Schaltverluste, höhere Effizienz und um bis zu 16 Kelvin reduzierte Bauteiltemperaturen.
Branchenmeldungen-Für kühle Schaltnetzteile

Leistungs-MOSFETs für quasiresonante Flyback-Topologien

17.01.2017- ProduktberichtDie MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie von Infineon sind für den Einsatz in resonant schaltenden Topologien ausgelegt, wie sie beispielsweise in Ladegeräten für Smartphones,Tablets und Notebooks zum Einsatz kommen. Ein verbesserter Formfaktor soll besonders schlanke Designs ermöglichen. mehr...

Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter für Elektroautos

Planares SiC-MOSFET für den Antriebsstrang

12.01.2017- ProduktberichtWolfspeed, ein Unternehmen von Cree und Hersteller von Siliziumcarbid-Leistungsbauelementen, stellt einen 900 V, 10 mΩ SiC-MOSFET in Planartechnologie vor. Der MOSFET soll Umrichterverluste im Antriebsstrang von Elektroautos um bis zu 78% verringern und damit die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Der Controller ist für Einsätze im Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C geeignet.
Leistungselektronik-Geringer Verbrauch im Standby

Controller für Quasi-Resonanz-AC/DC-Wandler

12.12.2016- Application NoteUm die heute geforderten Energieeinsparungen und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen, brauchten Schaltungsdesigner bisher eine große Anzahl von Bauelementen. Um den Platzbedarf von Schaltungen zu verringern, kombiniert Rohm analoge Entwicklungstechnologie mit fortschrittlicher SiC-Leistungselektronik (Siliciumkarbid). mehr...

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.
Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016- FachartikelBei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.
Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016- FachartikelInfineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016- FachartikelStromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016- NewsBahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.
Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016- FachartikelDer große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 1: ATPAK ist 35% niedriger als DPAK, die Montagefläche um 60% kleiner als beim D2PAK.
Wärmemanagement-Wärmemanagement Leistungshalbleiter

Neue Gehäuse erhöhen thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs

08.09.2016- FachartikelParallel zur Weiterentwicklung der Leistungseigenschaften von MOSFETs erfolgen auch im Bereich des Gehäusedesigns innovative Verbesserungen. So verbessert On Semiconductor mit dem neuen ATPAK die thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs deutlich und stellt dieses vor. mehr...

Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).
Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016- FachartikelIn vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

Branchenmeldungen-Leistungshalbleiter

Innovative Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

05.09.2016- NewsZur Electronica präsentiert Rohm Semiconductor aus dem Leistungshalbleiterbereich Neues zu den Themen fortschrittliche Technologien für mehr Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit, minimaler Platzbedarf, kabellose Ladetechnik sowie neue Partnerschaften. mehr...

Christian André: „Der Markttrend geht dahin, in EVs und HEVs die IGBTs durch SiC-MOSFETs zu ersetzen.“
Automotive-Halbleiter für die Branche

Exklusiv-Interview mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe

25.08.2016- InterviewAUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe und Geschäftsführer der Rohm Semiconductor GmbH in Willich bei Düsseldorf, über die Bedeutung des Automotive-Geschäfts für Rohm, generelle Trends, die Vorteile einer sehr großen Fertigungstiefe, SiC-Technologie, Formula-e-Rennen, ADAS, LED-Licht und vieles mehr. mehr...

Stromversorgungen-Powermanagement

FPGAs richtig ein- und ausschalten

21.05.2016- FachartikelDurch zeitlich versetztes Ein- und Ausschalten von Mehrfachspannungsversorgungen lassen sich Schäden an komplexen FPGAs vermeiden. Beim Ausschalten müssen auch die Stützkondensatoren an den Spannungswandlerausgängen schnell entladen werden, wofür Diodes einen speziellen MOSFET mit entsprechender Beschaltung vorstellt. mehr...

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