Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.

Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016Bei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.

Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016Infineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.

Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016Stromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.

Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016Bahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

GaN Systems erreicht mit der ECP-Technologie hohe Stromdichten, ein gutes thermisches Verhalten und geringe Induktivitäten.

Leistungselektronik-Spagat zwischen Leistungssteigerung und Kostenminimierung

GaN-Halbleiter sind im Kommen

12.09.2016Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Gallium­nitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen. mehr...

Bild 1: ATPAK ist 35% niedriger als DPAK, die Montagefläche um 60% kleiner als beim D2PAK.

Wärmemanagement-Wärmemanagement Leistungshalbleiter

Neue Gehäuse erhöhen thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs

08.09.2016Parallel zur Weiterentwicklung der Leistungseigenschaften von MOSFETs erfolgen auch im Bereich des Gehäusedesigns innovative Verbesserungen. So verbessert On Semiconductor mit dem neuen ATPAK die thermische und elektrische Belastbarkeit von MOSFETs deutlich und stellt dieses vor. mehr...

Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).

Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016In vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

Branchenmeldungen-Leistungshalbleiter

Innovative Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

05.09.2016Zur Electronica präsentiert Rohm Semiconductor aus dem Leistungshalbleiterbereich Neues zu den Themen fortschrittliche Technologien für mehr Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit, minimaler Platzbedarf, kabellose Ladetechnik sowie neue Partnerschaften. mehr...

Christian André: „Der Markttrend geht dahin, in EVs und HEVs die IGBTs durch SiC-MOSFETs zu ersetzen.“

Automotive-Halbleiter für die Branche

Exklusiv-Interview mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe

25.08.2016AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe und Geschäftsführer der Rohm Semiconductor GmbH in Willich bei Düsseldorf, über die Bedeutung des Automotive-Geschäfts für Rohm, generelle Trends, die Vorteile einer sehr großen Fertigungstiefe, SiC-Technologie, Formula-e-Rennen, ADAS, LED-Licht und vieles mehr. mehr...

Stromversorgungen-Powermanagement

FPGAs richtig ein- und ausschalten

21.05.2016Durch zeitlich versetztes Ein- und Ausschalten von Mehrfachspannungsversorgungen lassen sich Schäden an komplexen FPGAs vermeiden. Beim Ausschalten müssen auch die Stützkondensatoren an den Spannungswandlerausgängen schnell entladen werden, wofür Diodes einen speziellen MOSFET mit entsprechender Beschaltung vorstellt. mehr...

E-Industrie-Cover_03

Leistungselektronik-Optimierung

Industrielle AC/DC-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs effizienter und einfacher entwickeln

12.04.2016Industrielle Anlagen müssen immer effizienter werden, gefragt sind kompakte Lösungen mit hoher Leistung. Um Energie zu sparen, prüfen Entwickler alle Bestandteile der Leistungskette. Gerade bei den Leistungshalbleitern eröffnet Siliziumkarbid viele neue Möglichkeiten, die sich dank eines neuen Controller-Bausteins nun auch sehr einfach in AC/DC-Wandlern nutzen lassen. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.

Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016Die Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

Herkömmlicher MOSFET (links) und Superjunction-MOSFET (rechts).

Leistungselektronik-MOSFET

Leitfaden für moderne Leistungs-MOSFETs

10.11.2015Bei der Vielzahl erhältlicherMOSFETs wird die Wahl des richtigen Modells oft zu einer Herausforderung. Dieser Leitfaden beschreibt die wichtigsten Faktoren, die bei der Auswahl von Leistungs-MOSFETs zu berücksichtigen sind. mehr...

Automotive-MOSFET TCM-0070

Leistungselektronik-Leistungselektronik

Power-MOSFETs für Automotive-Anwendungen

10.11.2015In einem kostenlosen E-Books erklärt Toshiba, wie neue Halbleiterprozesse und die Gehäuseweiterentwicklung leistungsfähigere und kleinere MOSFETs hervorbringen. mehr...

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Leistungselektronik-Kompakter und langlebiger

Neue Power-MOSFETs verbessern Heimwerkergeräte

07.09.2015Damit Akkuschrauber und Co. handlich und langlebig sind, brauchen sie eine platzsparende und robuste Elektronik. Infineon erweitert daher die Power-MOSFET-Familie StrongIRFET: Die Logic-Level-StrongIRFETs lassen sich direkt von einem Mikrocontroller ansteuern und arbeiten äußerst robust. mehr...

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Labormesstechnik-Power Analyzer

Leistungshalbleiter flexibel und exakt charakterisieren

01.09.2015Neue Materialien und Strukturen bei Halbleitern erfordern flexible, aber dennoch hochpräzise Messgeräte für Hersteller und Anwender: Power-Device-Analyzer eröffnen neue Möglichkeiten gegenüber traditionellen Curve-Tracern und schließen die Lücke zwischen einfachem Bedienerkonzept und hoher Messpräzision. mehr...

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Automotive-Low-Side-Schalter

Ersatz elektromechanischer Sicherheitsrelais

10.06.2015Mit den geschützten Low-Side-Schaltern HITFET+ von Infineon Technologies lassen sich die heute üblichen elektromechanischen Sicherheitsrelais im Automobil- und Industriebereich durch robustere Halbleiterlösungen ersetzen. mehr...

Automotive-Geringer On-Widerstand

Weltweit erster SiC-MOSFET in Trench-Bauart

29.05.2015Rohm hat einen SiC-MOSFET auf den Markt gebracht, der erstmals auf der Welt auf einer Trench-Struktur basiert. mehr...

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Automotive-p-Kanal-MOSFET

On-Widerstand von 1,8 mOhm

19.05.2015Toshiba Electronics Europe stellt einen neuen p-Kanal MOSFET vor, der für Automotive-Anwendungen wie Verpolschutz und Motorsteuerung optimiert ist. mehr...

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Leistungselektronik-Mehr Leistung für den Computertomographen

SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsdichte in medizinischen Systemen

24.11.2014Eines der wichtigsten Ziele von Entwicklern medizinischer Systeme mit hohem Strombedarf, wie Röntgenapparate und Computertomographen (CTs), besteht darin, die Leistungsdichte zu erhöhen. Dies lässt sich mit MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) erreichen. mehr...

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