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Mosfet

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Mosfet".
Die von Toshiba vorgestellten N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V eignen sich für den Einsatz in der Energieumwandlung, beispielsweise in AC/DC- und DC/DC-Wandlern.
Leistungselektronik-Mit niedrigem Durchlasswiderstand

N-Kanal-MOSFETs für 40 V und 60 V im DPAK-Gehäuse

17.10.2017- ProduktberichtToshiba Electronics Europe kündigt mit den Leistungs-MOSFETs für 40 V und 60 V Leistungs-Bauelemente an, die im U-MOS-IX-H-Trench-Halbleiterprozess des Unternehmens gefertigt werden. mehr...

Seit 2009 ging es auf dem Markt für Transistoren ständig auf und ab. In Zukunft soll der Markt aber beständig wachsen.
Branchenmeldungen-Nach unbeständigen Jahren

Transistoren-Markt erholt sich

28.09.2017- NewsNach einem Bericht von IC Insights werden die Verkäufe von Transistoren in den kommenden Jahren  konstant steigen. Damit stabilisiert sich die Branche nach einigen holprigen Jahren. Gründe sehen die Analysten in einem erhöhten Bedarf an Transistoren in Elektrofahrzeugen sowie bei Anwendungen für erneuerbare Energien. mehr...

Aufmacher
Leistungselektronik-Kosmischem Beschuss trotzen

Höhenstrahlungsfestigkeit von SiC-Leistungshalbleitern

12.09.2017- FachartikelDie kosmische Höhenstrahlung ist allgegenwärtig und kann in elektronischen Bauelementen zum Single Event Burnout (SEB) führen. Gerade für Leistungshalbleiter ist die Robustheit gegenüber dem von Höhenstrahlung verursachten Phänomen ein wichtiges Kriterium. Messergebnisse aus aktuellen Veröffentlichungen zeigen, dass SiC-MOSFETs von Rohm robuster gegenüber Höhenstrahlung sind als Si-Bauelemente der jeweiligen Spannungsklassen. mehr...

Aufmacher_EV-Charger-with-ESS
Leistungselektronik-Treiben von SiC- und GaN-Leistungswandlern der nächsten Generation

Von der Schaltung zum IC-Ökosystem

12.09.2017- FachartikelUm die Vorteile der SiC- und GaN-Schalter in Leistungswandlern nutzen zu können, sind IC-Ökosysteme mit aufeinander abgestimmten Komponenten nötig. mehr...

Bild 1: Referenzdesign für einen Dreiphasen-GaN-Wechselrichter mit hoher Schaltfrequenz.
Leistungselektronik-GaN erschließt neues Terrain

Transistoren für schnelle Antriebe mit hoher Leistungsdichte

04.09.2017- FachartikelAnders als Schaltnetzteile arbeiten Wechselrichter für Dreiphasen-Motoren überwiegend mit niedrigen Schaltfrequenzen im zweistelligen Kilohertzbereich. Motoren mit hoher Leistung waren und besaßen Wicklungen mit hoher Induktivität. Infolge der Weiterentwicklung der Motortechnik nehmen jedoch Leistungsdichte und Drehzahl zu, was höhere Ansteuerfrequenzen erfordert. Um Leitungs- und Schaltverluste trotzdem niedrig zu halten, kommen hier vermehrt GaN-Transistoren im Wechselrichter zum Einsatz. mehr...

Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt.
Leistungselektronik-In Planar- und Superjunction-Technologie

Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bei Schukat

08.08.2017- ProduktberichtSchukat hat das komplette, neu aufgebaute Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) in sein Sortiment aufgenommen. TSC setzt bei seinen Leistungsbauelementen zunehmend auf die Superjunction-Technologie. mehr...

Die +FET-Superjunction-MOSFETs für 650 V Betriebsspannung von D3 Semiconductor sind ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich.
Leistungselektronik-Superjunction-MOSFETs

D3 Semiconductor gibt Vertriebsvereinbarung mit Mouser bekannt

17.05.2017- NewsD3 Semiconductor hat Mouser Electronics als seinen globalen Vertriebspartner bekanntgegeben. Gemäß der Vereinbarung hält Mouser die gesamte Produktlinie der +FET-650-V-Superjunction-MOSFETs von D3 auf Lager. Die Bausteine kommen in PFC-Bostern und Wechselrichtern für die Telekommunikation, im Enterprise Computing sowie in USV- und Solaranlagen zum Einsatz. mehr...

Bild 4: Harte Kommutierung der Body-Diode bei einem Synchron-Aufwärtswandler.
Leistungselektronik-Besonderheiten beim spannungslosen Schalten

Pro und contra Zero-Voltage-Switching-Konzept

13.04.2017- FachartikelDamit Schaltnetzteile einen hohen Wirkungsgrad erreichen, nutzen viele Entwickler eine resonant schaltende Topologie. Das Zero-Voltage-Switching-Konzept (ZVS) gilt oft als Patentlösung, weist jedoch auch Einschränkungen auf. Mögliche Fehlerquellen bei der Implementierung der ZVS-Topologie beleuchtet dieser Beitrag. mehr...

Infineon integriert bei den Leistungs-ICs der Coolset-Familie Hochvolt-MOSFETs und einen quasi-resonanten Sperrwandler-Controller in einem Gehäuse.
Leistungselektronik-Coolset-ICs der 5. Generation

Sperrwandler-Controller und integrierte Leistungs-ICs

12.04.2017- ProduktberichtInfineon Technologies hat die fünfte Generation der Coolset-Familie vorgestellt. Durch die Weiterentwicklung der quasi-resonanten Sperrwandler-Controller und der integriereten Leistungs-ICs soll diese einen verbesserten Wirkungsgrad, kürzere Anlaufzeiten und eine erhöhte Effizienz bei wechselnden Lastbedingungen besitzen. mehr...

Monolith Semiconductor lässt seine SiC-Leistungsbauelemente von X-Fab in Texas auf 150-mm-Substraten herstellen.
Leistungselektronik-Littelfuse investiert in Monolith Semiconductor

SiC-Leistungsbauelemente in CMOS-Technologie

27.03.2017- NewsLittelfuse hat erneut in das amerikanische Start-Up Monolith Semiconductor investiert. Etwa 15 Millionen US-Dollar investiert das Unternehmen, um seinen Einstieg in den Markt für SiC-Halbleiter voranzutreiben. Gegenüber Silizium lassen sich mit Bauelementen auf Basis von SiC (Siliziumkarbid) höhere Schaltfrequenzen und Arbeitstemperaturen realisieren und deutlich höhere Wirkungsgrade erreichen. mehr...

Die Superjunction-MOSFETs der MDmesh-K5-Familie von ST Microelectronics sind bis 900 V durchbruchsfest und eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern mit Leistungen von 35 W bis 230 W.
Leistungselektronik-Für leistungsstarke Sperrwandler

Superjunction-MOSFETs mit 900 V Durchbruchspannung

10.03.2017- ProduktberichtDie MDmesh-K5-Superjunction-MOSFETs von ST Microelectronics sollen bis 900 V durchbruchsicher sein und eignen sich für den Einsatz in Systemen die hohe Leistungen fordern. Die hohe Durchbruchspannung gibt den Bauteilen zusätzliche Reserven in Systemen mit hohen Busspannungen. Damit eignen sich die Bauelemente für den Einsatz in Server-Netzteilen, 3-Phasen-Schaltnetzteile, Netzteile für LED-Beleuchtungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge oder industrielle Anwendungen. mehr...

Der Hochspannungs-IPD TPD4206F von Toshiba eignet sich für stromsparende, geräuscharme Applikationen zur Bewegungssteuerung, wie beispielsweise Lüfter und Pumpen in der Industrie und in Haushaltsgeräten.
Aktive Bauelemente-Multi-Chip-IC mit 500 V und 2,5 A

Hochspannungs-IPD unterstützt Treiber für BLDSs bis 80 W

10.03.2017- ProduktberichtToshiba Electronics Europe kündigt mit dem TPD4206F einen Hochspannungs-IPD (Intelligent Power Device) an, der die Komponentenanzahl bei bürstenlosen Gleichstrommotor-Antrieben (BLDC) senken soll. Das Bauelement eignet sich für geräuscharme, stromsparende Applikationen zur Bewegungssteuerung. mehr...

Infineons CEO Dr. Reinhard Ploss bekräftigt nach einem erfolgreichen ersten Quartal die Prognose für das Umsatzwachstum des Halbleiterkonzerns in 2017.
Branchenmeldungen-CEO: Weiterhin Wachstum

Infineon übertrifft die Erwartungen

03.02.2017- NewsUmsatz und Gewinn des Halbleiterkonzerns Infineon fielen im ersten Quartal des Geschäftsjahres 2017 besser aus als erwartet. Der Umsatz wuchs, und das hat seine Gründe... mehr...

Die MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie bieten reduzierte Schaltverluste, höhere Effizienz und um bis zu 16 Kelvin reduzierte Bauteiltemperaturen.
Branchenmeldungen-Für kühle Schaltnetzteile

Leistungs-MOSFETs für quasiresonante Flyback-Topologien

17.01.2017- ProduktberichtDie MOSFETs der 700 V CoolMOS P7-Familie von Infineon sind für den Einsatz in resonant schaltenden Topologien ausgelegt, wie sie beispielsweise in Ladegeräten für Smartphones,Tablets und Notebooks zum Einsatz kommen. Ein verbesserter Formfaktor soll besonders schlanke Designs ermöglichen. mehr...

Der CPM3-SiC-MOSFET ist für hohe Dauerleistungen bis 196 A ausgelegt und soll damit den Ansprüchen des Elektroautomobilbaus genügen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter für Elektroautos

Planares SiC-MOSFET für den Antriebsstrang

12.01.2017- ProduktberichtWolfspeed, ein Unternehmen von Cree und Hersteller von Siliziumcarbid-Leistungsbauelementen, stellt einen 900 V, 10 mΩ SiC-MOSFET in Planartechnologie vor. Der MOSFET soll Umrichterverluste im Antriebsstrang von Elektroautos um bis zu 78% verringern und damit die Reichweite von Elektrofahrzeugen erhöhen. mehr...

Der Controller ist für Einsätze im Temperaturbereich von -40 °C bis +105 °C geeignet.
Leistungselektronik-Geringer Verbrauch im Standby

Controller für Quasi-Resonanz-AC/DC-Wandler

12.12.2016- Application NoteUm die heute geforderten Energieeinsparungen und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen, brauchten Schaltungsdesigner bisher eine große Anzahl von Bauelementen. Um den Platzbedarf von Schaltungen zu verringern, kombiniert Rohm analoge Entwicklungstechnologie mit fortschrittlicher SiC-Leistungselektronik (Siliciumkarbid). mehr...

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.
Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016- FachartikelBei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Bild 3: Das TO-Leadless-Gehäuse zeigt im Vergleich zu D2PAK erhebliche Platz- und Leistungsvorteile.
Leistungselektronik-SMD MOSFETs mit reduzierten Verlusten bei Hochvolt-Topologien

Höhere Leistung durch kürzere Beinchen

25.11.2016- FachartikelInfineon ist es gelungen, ihre Cool-MOS-Superjunction-MOSFETs mit SMD-Gehäusen zu kombinieren. Das TO-Leadless-Gehäuse des IPT65R033G7 verzichtet auf abstehende Beinchen und senkt dadurch die Gehäuseinduktivität von 5 nH auf 1 nH und reduziert den Platzbedarf um 60 %. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016- FachartikelStromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016- NewsBahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

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