Schottky-Dioden

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Schottky-Dioden".

Branchenmeldungen-Leistungshalbleiter

Innovative Produkte und Konzepte für das Power- und Energie-Management

05.09.2016Zur Electronica präsentiert Rohm Semiconductor aus dem Leistungshalbleiterbereich Neues zu den Themen fortschrittliche Technologien für mehr Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit, minimaler Platzbedarf, kabellose Ladetechnik sowie neue Partnerschaften. mehr...

Gehäusevarianten von Leistungs-Schottky-Dioden der Serie MBR und DST.

Passive Bauelemente-Leistungshalbleiter

Sonnige Aussichten für effizientere Schottky-Dioden

31.05.2016Bisher kamen MBR-Schottkey-Dioden als schnelle und verlustarme Hablleiter zur Gleichrichtung sowie als Rückflusssperre in der Leistungselektronik zum Einsatz. Mittlerweile holen die etwas teureren aber effizienteren DST-Dioden auf. Littlefuse erläutert die Hintergründe. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.

Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016Die Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

Bild 7: Die dV/dt-Testwerte für C4D10120A-Dioden lagen bei 490 V/ns. Herkömmliche SiC-JBS-Dioden (1,2 kV) weisen in der Regel Werte von etwa 80 V/ns auf.

Passive Bauelemente-Schottky-Dioden

SiC-Schottky-Dioden im Stresstest

25.11.2015Die dV/dt-Festigkeit ist eine zentrale Kenngröße von Schottky-Dioden auf Basis von Siliziumkarbid (SiC). Um diesen Wert zu überprüfen, sind besonders leistungsstarke Impulsgeber erforderlich, welche die Dioden bis zur Leistungsgrenze belasten. Impulsgeber mit Schaltgeschwindigkeiten von mehreren hundert Volt pro Nanosekunde lassen sich mithilfe von Lawinen-Transistoren und C2M-MOSFETs von Cree entwickeln. mehr...

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Leistungselektronik-Leistungsmosfets mit Schottky-Dioden verheiraten

Leistungsmosfet-Schottky-Dioden-Kombination

06.11.2008Vishay Intertechnology präsentiert die weltweit erste monolithisch integrierte 30-Volt-Leistungsmosfet-Schottky-Dioden-Kombination in einem Gehäuse, das sowohl über die Ober- als auch die Unterseite Wärme ableitet. mehr...

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