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Schottkydioden

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Schottkydioden".
Monolith Semiconductor lässt seine SiC-Leistungsbauelemente von X-Fab in Texas auf 150-mm-Substraten herstellen.
Leistungselektronik-Littelfuse investiert in Monolith Semiconductor

SiC-Leistungsbauelemente in CMOS-Technologie

27.03.2017- NewsLittelfuse hat erneut in das amerikanische Start-Up Monolith Semiconductor investiert. Etwa 15 Millionen US-Dollar investiert das Unternehmen, um seinen Einstieg in den Markt für SiC-Halbleiter voranzutreiben. Gegenüber Silizium lassen sich mit Bauelementen auf Basis von SiC (Siliziumkarbid) höhere Schaltfrequenzen und Arbeitstemperaturen realisieren und deutlich höhere Wirkungsgrade erreichen. mehr...

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Leistungselektronik-12 Seiten zu SiC-Halbleitern

Cree Power Products 2012

24.04.2012- ProduktberichtSeit 2002 offeriert Cree SiC-Schottky-Dioden und seit 2011 den ersten kommerziell erhältlichen SiC-MOSFET. Im Product Guide 2012 hat die Firma, die von Eurocomp vertreten wird, wesentliche Fakten zu den SiC-Halbleitern auf 12 Seiten in Englisch zusammengestellt. mehr...

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Leistungselektronik-Das Sperrverzögerungsverhalten optimieren

SiC-Schottkydioden von Rohm Semiconductor

25.05.2011- ProduktberichtRohm hat mit der Baureihe SCS­110A Siliziumkarbid-Schottkydioden entwickelt, die über eine Sperrverzögerungszeit (trr) von 15 ns verfügen. mehr...

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