SiC

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "SiC".
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Branchenmeldungen-PCIM 2017 in Bildern

Lächelnde Oszilloskope, schnelles GaN und gut bewachtes SiC

24.05.2017Ein gutes Jahr für die PCIM: Rund 10.800 Besucher sahen sich Produkte und Lösungen der 465 Aussteller an. In diesem Jahr bildete die Messe das gesamte Spektrum der Leistungselektronik ab, wobei aktuell die Autoindustrie mit Neuentwicklungen im Bereich E-Mobility das größte Wachstumspotenzial aufweist. Unser Redaktionsteam war auf der PCIM unterwegs und hat seine Eindrücke in dieser Bildergalerie gesammelt. mehr...

Hexagonaler GaN-Einkristall mit einem Durchmesser von 2 Zoll. Die Herstellung dieser Einkristalle ist schwierig und teuer, was derzeit den größten Stolperstein für GaN-Bauelemente auf den Weg in den Hochspannungsbereich darstellt.
Leistungselektronik-Bye-bye Silizium

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

25.04.2017Seit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt. mehr...

Monolith Semiconductor lässt seine SiC-Leistungsbauelemente von X-Fab in Texas auf 150-mm-Substraten herstellen.
Leistungselektronik-Littelfuse investiert in Monolith Semiconductor

SiC-Leistungsbauelemente in CMOS-Technologie

27.03.2017Littelfuse hat erneut in das amerikanische Start-Up Monolith Semiconductor investiert. Etwa 15 Millionen US-Dollar investiert das Unternehmen, um seinen Einstieg in den Markt für SiC-Halbleiter voranzutreiben. Gegenüber Silizium lassen sich mit Bauelementen auf Basis von SiC (Siliziumkarbid) höhere Schaltfrequenzen und Arbeitstemperaturen realisieren und deutlich höhere Wirkungsgrade erreichen. mehr...

Bild 1: Bei moderater Belastung erreicht das 900-V-Halbbrücken-Modul mit mehreren parallelen SiC-MOSFETs einen Rds(on) von 2,1 mΩ bei 175 °C.
Leistungselektronik-SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Halbleiter für kompakte effiziente Elektroantriebe und Ladesysteme

02.12.2016Bei Elektrofahrzeugen sind hohe Leistung und Effizienz wie auch geringes Gewicht und akzeptable Kosten gefordert. Welchen Beitrag Leistungshalbleiter und -Module auf Basis von Siliziumkarbid hier leisten können, erläutert der Halbleiterhersteller Wolfspeed anhand mehrerer Leistungselektronikanwendungen. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016Stromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

SiC-Leistungshalbleiter machen den Inverter des Venturi-Boliden 2 kg leichter, steigern die elektrische Effizienz um und verringern das Volumen des Kühlsystems.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm Semiconductor startet mit SiC-Technologie in der Formel E

14.10.2016Bahnbrechende Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) für optimiertes Energiemanagement; Effizienzsteigerung der Leistungselektronik; ROHM stolzer Sponsor und Offizieller Technologiepartner des Venturi Formel-E-Teams mehr...

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