Siliziumkarbid (SiC)

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Siliziumkarbid (SiC)".
Bild 2: IGBT-Stacks im Vergleich mit Versionen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC).

Leistungselektronik-Siliziumkarbid

SiC-basierende Leistungswandler – kompakt, effizient, preisgünstig

08.09.2016In vielen DC/DC-Wandlern, Wechselrichtern und Ladegeräten kommen noch immer IGBT-Systemkomponenten auf Siliziumbasis zum Einsatz. Doch deutlich leistungsfähigere, robustere und kompaktere Systeme lassen sich mithilfe von SiC-Bauteilen entwickeln, wie der folgende Beitrag zeigt. mehr...

Christian André: „Der Markttrend geht dahin, in EVs und HEVs die IGBTs durch SiC-MOSFETs zu ersetzen.“

Automotive-Halbleiter für die Branche

Exklusiv-Interview mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe

25.08.2016AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe und Geschäftsführer der Rohm Semiconductor GmbH in Willich bei Düsseldorf, über die Bedeutung des Automotive-Geschäfts für Rohm, generelle Trends, die Vorteile einer sehr großen Fertigungstiefe, SiC-Technologie, Formula-e-Rennen, ADAS, LED-Licht und vieles mehr. mehr...

Die Diode FFSH40120ADN soll "die beste Leckstrom-Performance ihrer Klasse" aufweisen.

Aktive Bauelemente-Für Inverter und harsche Umgebungen

1200-V SiC-Diode

20.04.2016Fairchild bringt die erste 1200-V Siliziumkarbid-Diode (SiC) einer neuen Bauserie künftiger SiC-Lösungen auf den Markt. Die 1200-V Diode mit der Typenbezeichnung FFSH40120ADN ist besonders für den Einsatz in Solar-Invertern, industriellen Motorsteuerungen und Schweißanlagen der nächsten Generation geeignet, in denen immer höhere Wirkungsgrade bei gleichzeitig größerer Leistungsdichte gefordert wird. Die Diode FFSH40120ADN soll nach Angaben von […] mehr...

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Leistungselektronik-Optimierung

Industrielle AC/DC-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs effizienter und einfacher entwickeln

12.04.2016Industrielle Anlagen müssen immer effizienter werden, gefragt sind kompakte Lösungen mit hoher Leistung. Um Energie zu sparen, prüfen Entwickler alle Bestandteile der Leistungskette. Gerade bei den Leistungshalbleitern eröffnet Siliziumkarbid viele neue Möglichkeiten, die sich dank eines neuen Controller-Bausteins nun auch sehr einfach in AC/DC-Wandlern nutzen lassen. mehr...

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Leistungselektronik-Siliziumkarbit-MOSFETs

Mehr Effizienz für Umrichtersysteme

04.11.2014Alles über Siliziumkarbid und SiC-MOSFETs. mehr...

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Stromversorgungen-CCS050M12CM2

Leistungsstark: der SiC-Sixpack-Baustein

23.05.2013Cree bringt ein Sixpack-Power-Modul aus Siliziumkarbid (SiC) in einem standardisierten 45 mm-Gehäuse auf den Markt. mehr...

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Leistungselektronik-Siliziumkarbid oder Silizium – wer macht das Rennen?

Verbesserte Stromtragfähigkeit durch SiC-MOS-Module

05.04.2013Eine Anforderung an SiC-Halbleiterbausteine neben ihren thermischen Eigenschaften, kurzen Sperrverzögerungszeiten, Spannungsfestigkeit und geringer Leistungsaufnahme ist die hohe Stromtragefähigkeit. Rohm zeigt im folgenden Beitrag worauf es dabei ankommt. mehr...

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Leistungselektronik-Siliziumkarbid

Semisouth zeigt Demo-Board mit SiC-JFETs

24.04.2012Semisouth Laboratories präsentiert seine SiC-JFETs in einer Kaskaden-Halbbrücken-Anwendung. mehr...

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Leistungselektronik-Schaltverluste mit 1200-Volt-SiC-Leistungsmosfet reduzieren

SiC transit glora Silizium

01.06.2011Silizium adieu? Es scheint zumindest so, denn Cree hat den CMF20120D vorgestellt – einen Siliziumkarbid-Mosfet, mit dem sich im Leistungselektronikbereich ganz neue Türen auftun könnten. Denn das vielver­sprechende Halbleitermaterial SiC punktet mit hohen Schaltfrequenzen, so dass sich Platzbedarf, Gewicht und Kosten in der Applikation reduzieren. mehr...

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