Die F-RAMs der Excelon-Familie von Cypress bieten hohe Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Leistung und eignen sich für die kritische Datenprotokollierung. mehr...
Toshiba Memory Europe bietet ab sofort Muster seiner UFS-Bausteine (Universal Flash Storage) auf Basis des 64-Layer BiCS-3D-Flash-Speichers an. Die Speicher eignen sich für Anwendungen, die schnelle Lese- und Schreibleistungen sowie einen geringen Stromverbrauch fordern. mehr...
Einen hochgenauen programmierbaren Low-Power-14-Kanal-Gamma-Puffer speziell für Infotainment- und ADAS-Displays in Fahrzeugen präsentiert SE Spezial-Electronic mit den Intersil-Baustein ISL76534 auf der Electronica. mehr...
In einem kostenlosen E-Book erklärt Toshiba Vorteile der BE-NAND-Flash-Speicher mit im Chip integriertem ECC und wie sich damit ein herkömmlicher SLC-NAND-Flash-Speicher ersetzen lässt. mehr...
Der gammastrahlenbeständige Speicher von Maxim Integrated benötigt nur einen einzigen Kontakt und vereinfacht dadurch Implementierungen in kleinen Einweg-Sensoren für medizinische Anwendungen. Der Baustein ermöglicht die Kalibrierung und schützt vor hygienewidriger Wiederverwendung von Einwegprodukten. mehr...
Hohe Temperaturen sind Gift für empfindliche Elektronik. Bei DRAM führt Hitze zu sporadischen Fehlern. Intelligent Memory (Vertrieb: Memphis) beschreitet einen neuen Weg, um die Bausteine selbst bei 125 °C noch zuverlässig arbeiten zu lassen. mehr...
Cypress und Spansion haben ihre Fusion abgeschlossen. Warum dabei die Formel 1 + 1 = 3 in logischer Hinsicht richtig ist, erklären wir hier. mehr...
AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Tom Sparkman, Senior VP of Worldwide Sales bei Spansion, über die Rolle des Automotive-Geschäfts für Spansion, die Integration von Fujitsus Mikrocontroller- und Analog-Geschäft, den potenziellen Merger mit Cypress Semiconductor, Safety und Security, die Produktstrategie, ADAS, autonomes Fahren und andere Themen. mehr...
Es wird immer schwieriger, Systeme so zu gestalten, um die mit schnellen BGAs dicht bestückten Multilayer-Leiterplatten in der Produktion gut zu testen. Besondere Schwierigkeiten machen dabei DDR-Speicher, speziell DDR3 und LPDDR3. Debugging und Test auf einer Leiterplatte im eingebauten Zustand lässt sich mittels Boundary-Scan durchführen. mehr...
Die e·MMC-NAND-Flash-Technologie bietet zahlreiche Vorteile gegenüber anderen Speicherarten, einen einfachen Aufbau und verringert damit die Gesamtproduktionskosten. Hinzu kommen eine hohe Leistungsfähigkeit auf kleinstem Raum und eine längere Batterielebensdauer in tragbaren Geräten. Toshiba beschreibt die Funktionen hier im Detail. mehr...
Im Interview mit AUTOMOBIL-ELEKTRONIK hat Micron seinen Einstieg in den Markt für Automotive-SSDs angekündigt. Die ersten Muster sind schon bei Kunden. mehr...
AUTOMOBIL-ELEKTRONIK hat sich mit Jeffrey Bader, Vice President der Embedded Business Unit bei Micron Technology, über diverse Themen unterhalten – und zwar über das „Automotive Mindset“, Automotive-Produkte inklusive eMMCs, SSDs und zukünftige Produkte, die Bedeutung von ADAS, Safety und Security sowie über ein brandheißes neues Produkt und das Labor in München. mehr...
Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten dreidimensionalen (3D) V-NAND-Flash-Speichers mit 32 vertikal gestapelten Zellenlagen begonnen. Der neue Speicher ist in der zweiten Generation des V-NAND-Produktangebots von Samsung. mehr...
Viele elektronische Systeme nutzen wie selbstverständlich DDR2- und DDR3-Speicher (Double Data Rate), und demnächst wird es DDR4 sein. Diese Speicher-Interfaces mit ihren Bussystemen müssen aber nach exakten Regeln (Constraints) designed werden. Der Artikel erklärt das Routing Schritt für Schritt und mit Hilfe von Video-Clips. mehr...
Toshiba stellt neue Embedded-Flash-Speichermodule mit NAND-Chips vor, die in der zweiten Generation der 19-nm-Prozesstechnik gefertigt werden. Die Module entsprechen dem neuesten eMMC-Standard und sind für digitale Consumerprodukte vorgesehen. mehr...
Micron erwartet einen beachtlichen Anstieg bei Speicherbausteinen für den Einsatz im Automobil, denn schließlich sollen bald Supercomputer-Architekturen angepasst ins Auto kommen. mehr...
Samsung hat mit der Massenproduktion des dreidimensionalen Vertical NAND (V-NAND) Flash Memory begonnen. Dieses 3D-V-NAND-Flash Memory durchbricht die aktuelle Skalierungsgrenze bestehender NAND-Flash-Technologie und bietet Verbesserungen hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Platzbedarf. mehr...
Spansion Inc. hat mitgeteilt, dass die Übernahme der Microcontroller- und Analog-Sparte von Fujitsu Semiconductor am 1. August 2013 abgeschlossen wurde. Vertragsgemäß wird Spansion rund 110 Mio. US-Dollar bezahlen. Darüber hinaus wird das Unternehmen Lagerbestände für rund 38 Mio. US-Dollar übernehmen. mehr...
NAND-basierte Solid-State Drives erfordern hochleistungsfähige Controller, um die hohe Zuverlässigkeit und die hohen Datenübertragungsraten bei höherer NAND-Speicherdichte weiter zu garantieren. Der Beitrag beschreibt einen fortschrittlichen Controller, der Fehlerkorrektur, parallele Datenverarbeitung und Stromsparfunktionen bietet. mehr...
Im Mittelpunkt stehen Dual-Interface-EEPROM RFID-Bausteine von STMicroelectronics. Systemlösungen auf dieser Basis sind auf die Nachfrage nach kontaktlosen Applikationen abgestimmt, die einerseits wenig Strom verbrauchen und sich andererseits selbstständig mit Strom versorgen. Die Systemlösungen schließen die grafischen Benutzeroberflächen Android und Windows ein. mehr...