Superjunction

Hier finden Sie aktuelle News, Produktberichte, Fachartikel und Hintergrundberichte zum Thema "Superjunction".
Schukat hat das Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor in sein Angebot aufgenommen. Die MOSFETs sind für Drain-Source-Spannung von 500 V bis 900 V ausgelegt.
Leistungselektronik-In Planar- und Superjunction-Technologie

Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor bei Schukat

08.08.2017- ProduktberichtSchukat hat das komplette, neu aufgebaute Programm an Hochspannungs-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) in sein Sortiment aufgenommen. TSC setzt bei seinen Leistungsbauelementen zunehmend auf die Superjunction-Technologie. mehr...

Die +FET-Superjunction-MOSFETs für 650 V Betriebsspannung von D3 Semiconductor sind ab sofort bei Mouser Electronics erhältlich.
Leistungselektronik-Superjunction-MOSFETs

D3 Semiconductor gibt Vertriebsvereinbarung mit Mouser bekannt

17.05.2017- NewsD3 Semiconductor hat Mouser Electronics als seinen globalen Vertriebspartner bekanntgegeben. Gemäß der Vereinbarung hält Mouser die gesamte Produktlinie der +FET-650-V-Superjunction-MOSFETs von D3 auf Lager. Die Bausteine kommen in PFC-Bostern und Wechselrichtern für die Telekommunikation, im Enterprise Computing sowie in USV- und Solaranlagen zum Einsatz. mehr...

Die Superjunction-MOSFETs der MDmesh-K5-Familie von ST Microelectronics sind bis 900 V durchbruchsfest und eignen sich für den Einsatz in Sperrwandlern mit Leistungen von 35 W bis 230 W.
Leistungselektronik-Für leistungsstarke Sperrwandler

Superjunction-MOSFETs mit 900 V Durchbruchspannung

10.03.2017- ProduktberichtDie MDmesh-K5-Superjunction-MOSFETs von ST Microelectronics sollen bis 900 V durchbruchsicher sein und eignen sich für den Einsatz in Systemen die hohe Leistungen fordern. Die hohe Durchbruchspannung gibt den Bauteilen zusätzliche Reserven in Systemen mit hohen Busspannungen. Damit eignen sich die Bauelemente für den Einsatz in Server-Netzteilen, 3-Phasen-Schaltnetzteile, Netzteile für LED-Beleuchtungen, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge oder industrielle Anwendungen. mehr...

Bild 7: Verbesserte SiC-p+-Region bei 650-V-SiC-SBDs der zweiten Generation.
Leistungselektronik-Leistungs-MOSFETs und SiC-Dioden

Stromversorgungen mit hohem Wirkungsgrad entwickeln

02.11.2016- FachartikelStromversorgungen und Netzteile führen in der Elektronikentwicklung oft ein Schattendasein, obwohl sie einen beträchtlichen Teil des Energieverbrauchs verursachen. Damit sich das Szenario der Stromversorgung als Stromfresser ändert, benötigen die Entwickler Leistungsbauteile, die höhere Wirkungsgrade ermöglichen. mehr...

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