Transistor

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Illustration eines Graphen-Nanobandes mit Zickzackrändern und der für dessen Herstellung verwendeten Vorläufermoleküle. Elektronen an den beiden Zickzackrändern weisen entgegengesetzten Drehsinn (Spin) auf – ‚spin-up‘ am unteren (rot) beziehungsweise ‚spin-down‘ am oberen Rand (blau).

Branchenmeldungen-Spintronic

Graphen-Nanobänder als Werkstoff spintronische Bauelemente?

29.03.2016Erstmals hergestellte spezielle Graphen-Nanobänder mit einem Zickzackrand könnten zum Werkstoff der Wahl für eine Elektronik der Zukunft werden, die so genannte Spintronik. Die Atome der Bandränder verfügen über Elektronen mit unterschiedlichem und gekoppeltem Drehsinn (Spin). Dieser Effekt könnte zum Bau eines nanoskaligen Transistors genutzt werden. mehr...

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Branchenmeldungen-Das Herz der Wirtschaft

Elektrotechnik- und Elektronikindustrie in Deutschland

12.05.2015Die Elektronikindustrie in Deutschland boomt. Gerade wurde der höchste in einem Februar erzielte Exportwert erreicht. Wir erklären, worin Experten dieses Wachstum begründet sehen, und geben einen Einblick in die wichtigsten Firmenentwicklungen in Norddeutschland. mehr...

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Leistungselektronik-600-V-GaN-Transistor im TO-247

Hocheffiziente Wechselrichter bis 3 kW

07.05.2015Als 600-V-GaN-Transistor (Galliumnitrid) im TO-247 ermöglicht der TPH3205WS von Transphorm hocheffiziente Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne parallele Transistoren auskommen. Weitere Merkmale sind der niedrige Einschaltwiderstand von 63 mOhm und 34 A Strombelastbarkeit. mehr...

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Leistungselektronik-600-V-GaN-Transistor

Effiziente Wechselrichter bis zu 3 kW

08.04.2015Der 600-V-Galliumnitrid (GaN)-Transistor TPH3205WS von Transphorm mit niedrigem R(on) und Quiet-TabTM-Anschlusskonfiguration ermöglicht sehr effiziente Wechselrichter bis zu 3 kW und Stromversorgungen, die ohne parallele Transistoren auskommen. mehr...

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HF-Technik-Für Frequenzen bis 3,5 GHz optimiert

Highpower-GaN-Transistoren im Kunststoffgehäuse

26.04.2014Die ständige Herausforderung für Entwickler von Radarsystemen, mehr Leistung mit kleineren Komponenten zu erreichen, beschleunigt die Entwicklung innovativer Gehäuse für Leistungstransistoren. Aber mit zunehmender Leistungsdichte wachsen auch die daraus resultierenden thermischen Probleme. mehr...

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Automotive-Feldeffekttransistoren

600-V-Super-Junction-MOSFETs

16.04.2014Toshiba stellt die schnell schaltenden Super-Junction-MOSFETs der DTMOS-IV-H-Serie vor. mehr...

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Leistungselektronik-Transistoren

Nex-FET-MOSFETs mit TO-220- und SON-Gehäusen für Eingangsspannungen von 40 bis 100 V

08.04.2014Texas Instruments stellt Nex-Fet-MOSFETs mit 40 bis 100 V Nennspannung für Motorsteuerungs- und Stromversorgungs-Designs mit hohen Stromstärken vor. Zu den Leistungs-MOSFETs für den mittleren Spannungsbereich gehören 80- und 100-V-Bausteine mit niedrigen On-Widerständen im TO-220-Gehäuse. mehr...

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Leistungselektronik-Kombinierte Eigenschaften von MOSFETs und IGBTs

Hybrid-MOS-Bausteine

22.05.2013Rohm Semiconductor stellt Hochspannungstransistoren-Designs vor. Das Design sorgt für eine Senkung der Leistungsaufnahme in Netzteilen und PFC-Schaltungen (Leistungsfaktor-Korrektur) für Server, Industrieausrüstungen und Hausgeräten. mehr...

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