Das patentierte monolithische MEMS-Sensorelement ermöglicht den einfachen Aufbau von thermischen Massendurchflusssensoren. Dank der widerstandsfähigen Siliziumcarbid-Schicht kommt der Sensor nicht mit dem Messmedium in Berührung.

Das patentierte monolithische MEMS-Sensorelement ermöglicht den einfachen Aufbau von thermischen Massendurchflusssensoren. Dank der widerstandsfähigen Siliziumcarbid-Schicht kommt der Sensor nicht mit dem Messmedium in Berührung.IS-Line

Die Siflo-Lösung nutzt als Messprinzip ein thermisches Verfahren: Es besteht aus einem Heizelement und zwei differenziell angeordneten Thermoelementen. Der Temperaturgradient ist ein Maß für die Fließgeschwindigkeit. Im Gegensatz zur herkömmlichen Technologie, bei der Heizelement und Messwiderstände direkt mit dem zu messenden Medium in Kontakt kommen, befindet sich das Sensorelement hier vollständig im Inneren eines monolithischen Halbleiters. Das Medium berührt also nur die widerstandsfähige Schutzschicht des Sensors. Dieser ist gegen Kontamination, Kondensation und Abrieb besonders geschützt.

Der SiF2011 besteht aus einem zur gängigen Medizintechnik kompatiblen Durchflussgehäuse und einem PCB mit der kompletten Signalaufbereitung. Der Sensor bietet sowohl einen analogen Ausgang (0 bis 5 V mit einem Signal von 170 mVFS) als auch eine digitale I2C-Schnittstelle, zeichnet sich durch eine kurze Antwortzeit (< 8 ms) aus und ist im erweiterten Temperaturbereich von -25 bis +85 °C einsetzbar. Der 3,9 × 1,8 mm2 kleine Sensor ist robust gegenüber Vibration und Schock und optional auch in kundenspezifischen Gehäusen lieferbar. Für die Evaluierung ist das Demokit SiF3011 verfügbar.