Bei gemeinsamer Nutzung des Trenchstop 5 IGBT und der Rapid-Diodentechnologien von Infineon bietet das TO-247-4-Gehäuse sehr gute Leistungsgrade. Die vierbeinige Anordnung bietet einen Anschluss mit Kelvin-Sense, um die Emitterinduktivität im Gate-Regelkreis erheblich zu verringern. Dies wird durch einen zusätzlichen Anschluss am Emitter des IGBT erreicht, der als Bezugspunkt für den Treiber dient. Mit der vierbeinigen Version lassen sich höhere Schaltfrequenzen erzielen, um die Leistungsdichte zu verbessern und die Systemkosten zu senken. Beim Vergleich der TO-247 4-Pin-Variante mit Trenchstop 5 IGBT und Rapid-Diodentechnologien einerseits und dem standardmäßigen TO-247 3 andererseits bietet das neue Gehäuse erheblich geringere Verluste: mehr als 20 % beim Abschalten und mehr als 15 % beim Einschalten. Der kombinierte Gesamtschaltverlust wird insgesamt um etwa 20 % verringert und ermöglicht so einen beispiellosen Wirkungsgrad.

Leitkunden haben bestätigt, dass durch die Implementierung des TO-247-4-Gehäuses in Energy-Star-zertifizierten USVs beispielsweise die Leistungsdichte verdoppelt und auch der Wirkungsgrad erheblich verbessert werden kann. Dadurch lassen sich die bei UPS üblichen, hohen Power-Racks verdichten, sodass kleinere Gehäuse zur Unterbringung der Systeme und weniger Kühlungsaufwand erforderlich sind. Auf Systemebene lassen sich damit entsprechend Kosten einsparen.

Entwicklungsmuster der neuen diskreten TO-247-4-IGBTs sind auf Anfrage in Kombination mit einer Freilaufdiode erhältlich: entweder mit der hinsichtlich geringer Durchlassspannung (V F) optimierten Rapid 1 oder mit der bezüglich geringer Sperrverzögerungslast (Q rr) optimierten Rapid 2. Zusätzlich ist eine Demo-Platine verfügbar, die einen unkomplizierten Vergleich zwischen dem TO-247-3- und dem TO-247-4-Gehäuse ermöglicht.