Als erste Familie einer neuen Generation von Advanced-MOSFETs stellt Zetex die ZXIVIN Serie vor. Ein Mitglied dieser neuen Familie ist der ZXMN3A01F im S0T23 Gehäuse. Bei 30 V Spannungsfestigkeit kann er dauerhaft 2,5 A schalten. Die typischen Rds-on Widerstände sind 90 mΩ bei 10 V und 145 mΩ bei 4,5 V. Die Gatecharge ist mit 2,3 nC angegeben und sorgt damit für einen guten Wirkungsgrad in hochfrequenten Schaltanwendungen.


Mit der MS0P8-Variante ZXMN13A02X8 erreicht man noch bessere On-Widerstände von 18 mΩ bei 10 V und 25 mΩ bei 4,5 V, wobei die typische Gatecharge 14,5 nC beträgt. Diese Werte versprechen einen erfolgreichen Einsatz in DC/DC-Wandlern, Gleichstrommotortreibern, Batterieladern und anderen Niederspannungs-Schaltanwendungen. Im Laufe dieses Jahres wird Zetex diese neue Familie um 20 V, 60 V und 1 OOV MOSFET-Typen erweitern, die ebenfalls in oberflächenmontierbaren Gehäusen angeboten werden