Das MOSFET Design Kit bietet Hilfestellung für Ingenieure, die noch nicht mit den höheren Schaltgeschwindigkeiten von SiC-Bauelementen vertraut sind.

Das MOSFET Design Kit bietet Hilfestellung für Ingenieure, die noch nicht mit den höheren Schaltgeschwindigkeiten von SiC-Bauelementen vertraut sind.Cree

Das Kit ist als Hilfestellung für Ingenieure konzipiert, die noch nicht mit den höheren Schaltgeschwindigkeiten von SiC-Bauelementen vertraut sind. Es eröffnet den einfachen Zugang zu wichtigen Prüfpunkten, sodass sich Werte wie etwa VGS, VDS und IDS leicht und präzise messen lassen. Darüber hinaus kann das Kit einfach für verschiedene Auf- und Abwärtswandler-Topologien konfiguriert werden. Durch Kombinieren von zwei beziehungsweise drei Kits lassen sich auch Halbbrücken- und Drei-Phasen-Konfigurationen aufbauen und analysieren.

Das Design Kit enthält zwei MOSFETs (1200 V/80 mΩ) und zwei Schottky-Dioden (1200 V/20 A) in TO-247-Gehäusen sowie ein als Halbbrücke konfiguriertes Design-Board mit isolierten Gatetreibern, Stromversorgungen und allen übrigen Bauteilen, die zum Aufbau der Leistungsstufe benötigt werden. Zum Lieferumfang gehören auch der Schaltplan und das Layout eines Gatetreibers für einen Cree MOSFET im TO-247-Gehäuse sowie ein umfassendes Anwenderhandbuch mit Blockschaltbildern und Spezifikationen.