STMicroelectronics erweitert seine hocheffiziente Leistungshalbleiter-Familie unter Verwendung eines neuen, energiesparenden Gehäuses.

STMicroelectronics erweitert seine hocheffiziente Leistungshalbleiter-Familie unter Verwendung eines neuen, energiesparenden Gehäuses.STMicroelectronics

Einen direkt herausgeführten Source-Anschluss, der ausschließlich zum Steuern des Schaltvorgangs dient, besitzt das vierpolige Gehäuse, des Typs TO247-4. Konventionelle Gehäuse besitzen dagegen für Schalten und Stromversorgung lediglich einen Anschluss. Der zusätzliche Pin verbessert die Schalt-Effizienz, was die Energieverluste senkt, höhere Schaltfrequenzen zulässt und damit die Realisierung kompakterer Netzteile erlaubt.

ST entwickelte das Gehäuse gemeinsam mit Infineon, die ebenfalls eigene Superjunction-Bausteine einführen, so dass die Anwender die Vorteile einer Zweitlieferquelle nutzen können. Das Gehäuse des Typs TO247-4 zeichnet sich durch eine innovative interne Konstruktion aus und besitzt eine Kelvin-Verbindung zur Source. Diese Verbindung umgeht die Common-Source-Induktivität des Haupt-Stromversorgungs-Anschlusses, so dass sich bis zu 60 Prozent der Schaltverluste eliminieren lassen. Designer können deshalb die Schaltfrequenzen höher wählen und haben dadurch die Möglichkeit, kleinere Filter-Komponenten einzusetzen. Im Verbund mit der MDmesh-Superjunction-Technologie von ST ergibt das neue Gehäuse umgerechnet auf die Halbleiterfläche eine sehr hohe Leitfähigkeit.