Geringer Einschaltwiderstand und schnelles Schalten zeichnet die Vierfach-MOSFETs aus.

Geringer Einschaltwiderstand und schnelles Schalten zeichnet die Vierfach-MOSFETs aus.HY-Line Power Components

Die Bausteine im SO-8-SMD-Gehäuse sind einfach anzusteuern und haben einen niedrigen Einschaltwiderstand. In beiden Zweigen beträgt die Drain-Source-Spannung UDS 30 V, der zulässige Spitzenstrom 20 A. Der Einschaltwiderstand RDS(ON) liegt bei 33 mΩ im N-Kanal und 55 mΩ im P-Kanal; der Dauer-Betriebsstrom ID bei 5,5 A im N-Kanal und 4,1 A im P-Kanal. Im Betrieb darf die Temperatur des Chips zwischen -55 und 150 °C liegen.