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Die Bildpunkte des CMOS-Sensor reichen an drei Seiten bis an den Rand des Chips heran.
Der Bildsensor ist 120 x 145 mm groß.
Für die Herstellung eines Sensors ist ein kompletter Wafer nötig.

Das Science and Technology Facilities Council (STFC) des Rutherford Appleton Laboratory (RAL) hat einen neuartigen hochauflösenden Wafer-Scale-Bildsensor für die Radiologie entwickelt. Bei der Entwicklung dieses CMOS-Sensors verwendete die CMOS-Sensor-Design-Gruppe spezielle Analogtools von Tanner EDA. Der Image-Sensor ist 120 x 145 mm2 groß und nutzt einen kompletten 200-mm-Siliziumwafer. Hergestellt wird der Bildsensor in einer Fab von Tower Jazz.

Imgagesensoren beim Röntgenverfahren

Der neue Sensor wurde für die Bildgebung beim Röntgen entwickelt, speziell für die Mammographie CT. Die Vorteile eines CMOS-Sensor gegenüber konventionellen Aufnahmen liegen in der hohen Auflösung, dem großen Dynamikumfang und dem niedrigen Rauschen. Dank der Größe des CMOS-Sensors braucht das Röntgengerät keine Linsen: Der Bildsensor entspricht der Größe Zielgebietes. Bei manchen Bildanwendungen, etwa Panoramaaufnahmen der Zähne, reicht ein 139 x 120 mm Sensor bereits. Für die meisten medizinischen Anwendungen wäre er aber zu klein, zum Beispiel braucht die Mammographie einen ungefähr 290 x 240 mm großen Sensor, bei Brustaufnahmen muss er sogar noch größer sein. Anderen Anwendungen brauchen noch mehr Fläche.

Dreiseitiges kaskadierbares Sensor-Design

Beim dem neu entwickelten CMOS-Sensor reichen die Bildpunkte an drei Seiten bis direkt an die Kanten heran. Damit lassen sich die Chips direkt nebeneinander anordnen und die Bildfläche deutlich vergrößern. Bei bisherigen CMOS-Bildsensoren waren die Schaltkreise auf zwei Seiten des Bildbereiches angeordnet, um die einzelnen Sensorpunkte zu erreichen. Um das dreiseitige Kacheldesign zu erreichen, hat die STFC-CMOS-Sensor-Design-Guppe eigene IP-Blöcke entwickelt.