Besonders in PFC-Schaltungen von Schaltnetzteilen reduziert sich durch die MOSFETs der DTMOS-IV-H Serie deutlich die Wärmeentwicklung.

Besonders in PFC-Schaltungen von Schaltnetzteilen reduziert sich durch die MOSFETs der DTMOS-IV-H Serie deutlich die Wärmeentwicklung.Glyn

Besonders in PFC-Schaltungen von Schaltnetzteilen entfalten die MOSFETs ihre Vorzüge. Hier kann die Wärmeentwicklung deutlich reduziert werden. Die Geschwindigkeitssteigerung wurde durch eine Optimierung der Gate-Struktur erreicht. Erhalten bleibt dabei der reduzierte RDS(ON) der DTMOS-IV-Technologie. Weiterhin konnte die Gate-Ladung um etwa 45 Prozent verringert werden. Das sorgt für eine zusätzliche Reduzierung der Verluste. Alle Vorteile der DTMOS-IV-Serie bleiben erhalten. Dazu zählt die geringe Zunahme des RDS(ON) und der trr bei höheren Temperaturen. Der On-Widerstand steigt um 20 Prozent geringer als bei vergleichbaren Produkten. Der Anstieg der Sperrverzugszeit (trr) verringert sich um 15 Prozent.

Um die Schaltverluste des Bauteils zu reduzieren, wurde die Ausgangskapazität (Coss) der DTMOS-IV-Typen gegenüber der 3. Generation um etwa 12 Prozent verkleinert. Besonders im Teillastbereich von Netzteilen macht sich dies durch die Steigerung des Wirkungsgrads positiv bemerkbar.

Die Schalt-Geschwindigkeit des Bauteils kann sehr gut über den Vorwiderstand kontrolliert werden. Sie ist damit gut an die individuellen Bedürfnisse anpassbar. Zuerst werden die Bauteile im weit verbreiteten TO-247-Gehäuse ausgeliefert. Weitere Gehäusevarianten folgen.