IM integriert ein eigenständig arbeitendes ECC in seine X-Grade-Speicherbausteine.

IM integriert ein eigenständig arbeitendes ECC in seine X-Grade-Speicherbausteine.Memphis

DRAM-Speicherkomponenten gehören zu den temperatur- und störanfälligsten Komponenten der Automobil-Elektronik: Je höher die Umgebungstemperatur, desto kürzer können die Speicherzellen ihre Daten halten. Das Resultat sind sporadische Bit-Fehler, sogenannte Soft-Errors, die mit steigender Temperatur immer häufiger auftreten. Als Gegenmaßnahme muss bisher der Prozessor die Refresh-Rate vervielfachen, um sich der kürzeren Datenhaltezeit anzupassen. Damit reduziert sich aber gleichzeitig die Performance der Speicher und es bleibt ein Restrisiko, schließlich degradieren Speicherchips mit der Zeit, insbesondere unter Stress durch Hitze und intensive Nutzung.

Der Hersteller Intelligent Memory (IM) hat diese Probleme nach eigenen Angaben nun gelöst: Bei den eigens entwickelten ECC-DRAMs (Error-Correcting Code) hat IM die Fehlererkennung und -korrektur direkt in die Speicher integriert. Die ECC-Logik korrigiert im Falle von Bit-Fehlern die Daten schon vor der Übertragung an die Applikation. Der Prozessor muss sich nicht darum kümmern und kann die Speicherbausteine über Standard-JEDEC-Mechanismen ansprechen. Er muss nicht einmal die einmal die Refresh-Rate zum Auffrischung der Speicherzellen anheben: Die neuen X-Grade-Modelle sind von -40 bis +125 °C geprüft. Durch den selteneren Refresh sinken auch die Stromaufnahme sowie die Eigenerwärmung.

Die Bezeichnung X-Grade bezieht sich auf den extremen Betriebstemperatur-Bereich, der im Automobil-Sektor dem AEC-Q100-Grad 1 entspricht. Der Hersteller will die Automotive-Grade-1-Qualifikation bis zum Jahresende 2015 abschließen, so dass der Automobilindustrie dann  DDR2- und DDR3-Bauteile mit entsprechender Zertifizierung zur Verfügung stehen.