Mit den SiC-JFET-Kaskoden der Serie UJ3C1200 von United SiC (Eigenschreibweise: UnitedSiC) sollen Entwickler in der Lage sein, Leistungskorrektur-Stufen, aktive Frontend-Gleichrichter, LLC-Wandler und Phasenschieber-Vollbrückenwandler leistungsfähiger zu gestalten. Mit einer Nennspannung von 1200 V und einem Durchlasswiderstand von 80 und 40 mΩ eignen sich die Bauelemente als direkter Ersatz für viele bestehende IGBTs, Si- und SiC-MOSFETs, ohne dabei die Gate-Ansteuerung verändern zu müssen. Damit vereinfachen sich Design-Upgrades und es steht eine alternative Bezugsquelle für vorhandene Bauelemente zur Verfügung. Zu den Endanwendungen für die SiC-FETs gehören unter anderem fahrzeuginterne Ladevorrichtungen in Elektrofahrzeugen, Batterieladegeräte für Gabelstapler, Photovoltaik-Wechselrichter und Schweißgeräte.

Typischer Aufbau einer SiC- und einer GaN-JFET-Zelle von United-SiC.

Typischer Aufbau einer SiC- und einer GaN-JFET-Zelle. United SiC

Basierend auf der dritten Generation der SiC-Transistortechnologie von United SiC enthält die Serie einen SiC-JFET mit einem kundenspezifischen Si-MOSFET. Damit steht eine Kombination aus Normal-Aus-Betrieb, leistungsfähiger Body-Diode und einfacher Gate-Ansteuerung des MOSFETs mit dem Wirkungsgrad, der Geschwindigkeit und hohen Temperaturbelastbarkeit eines SiC-JFETs zur Verfügung. Bestehende System können damit höhere Leistungsfähigkeit bei geringeren Leitungs- und Schaltverlusten, verbesserten thermischen Eigenschaften und integriertem Gate-ESD-Schutz erzielen. In neuen Designs ermöglicht die UJ3C1200-Serie höhere Schaltfrequenzen, um leistungsfähigere Systeme mit höherer Energieeffizienz zu entwickeln als auch die Systemgröße und –Kosten zu reduzieren, indem kleinere und preiswertere passive Bauelemente zum Einsatz kommen können.