Die zweite Generation der eGaN-FETs überzeugt mit einer deutlich höheren Performance.

Die zweite Generation der eGaN-FETs überzeugt mit einer deutlich höheren Performance.Efficient Power Conversion

Die 200 VDS Komponente verfügt über einen RDS(on) 25mΩ @ VD=5V. Im Vergleich zur vorherigen Generation verfügt der EPC2010 nicht nur über eine höhere Leistung – es wurde auch der Impulsstrom von 40 auf 60 A erhöht bei gleichzeitig niedrigeren Gatespannungen und geringerer Kapazität.

 

Im Vergleich zu herkömmlichen Si-basierten Mosfets ist der Baustein kleiner und punktet mit erheblich höheren Schaltleistungen. Einsatzbereiche: High-Speed DC/DC-Wandler, PoL-Wandler, Class D Audio Amplifier sowie hart-schaltende oder hochfrequente Applikationen.

„EPC ist eines der ersten Unternehmen, das GaN-Leistungs-FETs kommerziell anbietet“, unterstreicht Alex Lidow, Mitbegründer und CEO der kalifornischen Leistungselektronikschmiede. „Mit unseren neuen Bausteinen stürmen wir vorerst die Leistungsspitze dessen was mit GaN-basierten Transistoren derzeit machbar ist.“

Der Preis pro Komponente beträgt in Produktionsstückzahlen 5,06 US-Dollar. EPC2010-FETs sind über Digi-Key sofort verfügbar.