In der Anlage im Technologiezentrum Dresden veredelt 35PE GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern. Für Prozesstechnologie, Material- sowie Bauelemente-Designs hält das Unternehmen aktuell zwölf Patente in Europa, China, Japan und den USA. Weitere Anmeldungen laufen. Gearbeitet wird nach dem Geschäftsmodell Fab-Lite, das heißt das Unternehmen realisiert inhouse die Kernprozesse und vergibt Standardleistungen an Auftragsfertiger.

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35PE-Mitarbeiterin an einer Anlage, die GaAs-Wafer im Hochvakuum zu GaAs-Leistungshalbleitern veredelt. 35PE/Kristin Schmidt

Die auf diese Weise entstehenden GaAs-Dioden erfüllen die Anforderungen, die beispielsweise an die Leistungselektronik in modernen Industrieanwendungen, in der regenerativen Energieerzeugung oder in vollelektrischen beziehungsweise hybriden Fahrzeugen gestellt werden. Sie ergänzen im Mittel- und Hochvoltbereich zwischen 600 und 1700 Volt Leistungselektronik auf Silizium- beziehungsweise Siliziumkarbid-Basis und weisen zudem eine höhere Energieeffizienz sowie eine Reduzierung bei Gewicht, Größe und Gesamtkosten des jeweiligen Gesamtsystems auf.

35PE hat sich zum Ziel gesetzt, am prognostizierten hohen Wachstum auf dem Markt für Leistungselektronik zu partizipieren, das vor allem in Fernost erzielt wird. Neben eigenen Vertriebsaktivitäten in Europa und Amerika soll ein internationales Netzwerk mit strategischen Partnern in China und Japan einen schnellen Markteintritt in Asien ermöglichen. Weitere Partnerschaften baut das Unternehmen gegenwärtig vor Ort auf.

„Als wir nach einem Standort gesucht haben, war Silicon Saxony mit Dresden als Zentrum erste Wahl“, erläutern die beiden Geschäftsführer Dr. Gerhard Bolenz und Dr. Volker Dudek. Beide sehen dort gute Chancen, gemeinsam mit weiteren Spezialisten in der Halbleiter-Forschung und -Industrie ein Kompetenzzentrum für Galliumarsenid-Leistungselektronik zu etablieren.