NXP Semiconductors stellte den ersten MOSFET seiner NextPower-Reihe vor. Die NextPower-Technologie wurde eigens für DC/DC-Wandler-Applikationen hoher Leistung wie zum Beispiel synchrone Abwärtswandler, Synchrongleichrichter in isolierten Netzteilen sowie Power-ORing-Anwendungen entwickelt.
Bei dem neuen Leistungshalbleiter handelt es sich um einen 30-V-MOSFET im Power-SO8-Gehäuse mit dem industrieweit niedrigsten RDSon-Wert von 1,4 mOhm bei 4,5-V-Gatetreiberspannung. Der MOSFET des Typs PSMN1R0-30YLC ist für Schalt-Anwendungen mit Spannungen von 4,5 V optimiert und wird mit dem LFPAK, dem widerstandsfähigsten Power-SO8-Gehäuse der Industrie, angeboten. Das Gehäuse ist für Temperaturen bis 175°C qualifiziert. Der PSMN1R0-30YLC ist der erste Baustein der aus 25-V und 30-V MOSFETs bestehenden NextPower LFPAK-Serie, die in den kommenden Monaten auf ein umfassendes Portfolio aufgestockt werden wird.
Alle Leistungs-MOSFETs bieten eine hohe System-Effizienz dank extrem niedriger Werte für zum Beispiel QG (Total Gate Charge)und QGD (Gate to Source Charge).