Die Rapid-Dioden bieten höchste Energieeffizienz, geringe elektromagnetische Interferenzen (EMI), eine extrem schnelle Sperrerholzeit und verbesserte Systemzuverlässigkeit.

Die Rapid-Dioden bieten höchste Energieeffizienz, geringe elektromagnetische Interferenzen (EMI), eine extrem schnelle Sperrerholzeit und verbesserte Systemzuverlässigkeit.Infineon

Mit der ultradünnen Wafer-Technologie von Infineon für eine vertikale Struktur mit sehr geringen Verlusten und ihrem Zell-Design setzen die Rapid-Dioden laut Infineon neue Performance-Maßstäbe. Sie schließen die Lücke zwischen Siliziumkarbid- (SiC) und Emitter-gesteuerten Dioden. Sie eigenen sich für hohe Schaltfrequenzen von 18 bis zu 100 kHz.

Die Dioden der Rapid-1-Familie bieten eine temperaturstabile Flussspannung (VF) von 1,35 V für geringste Leitungsverluste. Dank der Softness durch Begrenzung der Flankensteilheit des Stromes werden die elektromagnetischen Abstrahlungen (EMI) minimiert. Die neuen Bausteine sind ideal für PFC-Topologien, wie man sie in vielen Haushaltsgeräten wie Klimaanlagen oder Waschmaschinen findet. Die Dioden sind außerdem prädestiniert für Boost-Stufen in Photovoltaik-Wechselrichtern, die mit Frequenzen von 18 bis 40 KHz schalten.

Die Dioden der Rapid-2-Familie sind für Anwendungen mit Schaltfrequenzen zwischen 40 und 100 kHz ausgelegt. Sie bieten dafür sowohl eine geringe Sperrladung (Qrr) als auch eine sehr kurze Sperrerholzeit (trr). Damit werden die Reverse-Leitungseffekte in Bezug auf die Einschaltverluste minimiert und der Wirkungsgrad maximiert. Zielmärkte für die Rapid-2-Dioden sind PFC-Stufen in Servern, Telecom-Gleichrichtern, TV- und Laptop-Stromversorgungsadaptern sowie Schweißgeräten. In diesen Anwendungen sind die Rapid-2-Dioden bestens für das Zusammenspiel mit den Coolmos-MOSFETs und den schnellen IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) wie der Trechstop-5-Familie von Infineon geeignet.