Die dritte Generation der IGBTs von Rohm Semiconductor in Trench-Gate-Technologie und mit Field-Stop besitzt eine geringe Schwellspannung und gewähtleistet hohe Schaltgeschwindigkeiten. (Bild: Rohm Semiconductor)
In den Bausteinen kommt eine dünnere Waferstruktur in Verbindung mit Field-Stop- und proprietären Trench-Gate-Technologien zum Einsatz, um die Performance und die Schaltfrequenzen der IGBTs zu erhöhen. Aufgrund der Field-Stop-Technologie weisen die Bauelemente einen geringeren Gradienten der Ladungsträgerkonzentration in der Driftregion auf, was die Verteilung der Ladungsträger verbessert. Dadurch besitzen die IGBTs eine im Vergleich zum Vorgänger um sechs Prozent verringerte Schwellspannung und schalten schneller, sodass die bei herkömmlichen Lösungen notwendige Abwägung zwischen Sättigungsspannung und Abschaltverlusten entfällt.
Die Trench-Gate-Struktur der Bausteine sorgt für eine geringere Gateladung und -kapazität. Durch eine Optimierung der Dotierung und der Zellenstruktur in Verbindung mit dem um 15 Prozent dünneren Wafer weisen die IGBTs geringere Gesamtverluste als die Vorgängergeneration auf. Die geringere Ladungsträgerkonzentration senkt außerdem die Abschaltverluste um 20 Prozent im Vergleich zur zweiten Generation der IGBTs. Auch mit einem geringen externen Gatewiderstand behalten die Bauelemente ein sanftes Schaltverhalten bei und weisen bei hohen Schaltgeschwindigkeiten ein niedriges Rauschen auf.
Die IGBTs für 650 V Betriebsspannung umfassen die Serie RGTV für 30, 50 und 80 A sowie die Serie RGW für 30, 40 und 50 A. Für beide Serien stehen die Gehäusetypen TO-247N und TO-3PFM zur Auswahl. Die RGTV-Serie eignet sich für Anwendungen, die eine erhöhte Kurzschlusssicherheit erfordern, während die RGW-Serie speziell für Wandler ausgelegt ist. Muster der Bauelemente sind ab sofort lieferbar, OEM-Stückzahlen sind, abhängig vom Produkt, ab Sommer 2017 erhältlich.
(na)
