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ALD

Abkürzung für: Atomic Layer Deposition, Atomlagenabscheidung
Definition: Die ALD ist ein Verfahren zur Abscheidung dünner Schichten auf ein Substratmaterial in der Halbleiterherstellung. Die ALD ist eine Modifikation der chemischen Dampfphasenabscheidung, bei der zwei oder mehr Reaktanten zyklisch in den Reaktor eingelassen werden. Das Schichtwachstum geschieht dann auf Basis einer sich selbst begrenzenden Oberflächenreaktion. Ein Beispiel für die technologische Umsetzung ist die Erzeugung von Hafniumoxid-Schichten in der High-k-Metal-Gate-Technologie, die ab dem 45-nm-Technologieknoten in praktisch allen Schaltkreisen zum Einsatz kommt. https://de.wikipedia.org/wiki/Atomlagenabscheidung
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