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GaN

Abkürzung für: Galliumnitrid
Definition: Halbleiter mit hohem Bandabstand, der auf Grund der hohen Sättigungsdriftgeschwindigkeit der Ladungsträger im Kristall für Bauelemente der Leistungselektronik mit hohen Schaltgeschwindigkeiten und auch in der Optoelektronik zum Einsatz kommt. Im Vergleich zu SiC ist die GaN-Technologie aktuell weniger weit fortgeschritten, da es noch keine wirtschaftlich sinnvoll herstellbaren, einkristallinen GaN-Substrate gibt. GaN wird epitaktisch auf Trägersubstraten wie Saphir oder Silizium aufgebracht. Ein Bauelement auf GaN-Basis ist der HEMT.
Kategorie: Materialien
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