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HEMT

Abkürzung für: High-Electron-Mobility-Transistor
Definition: Diese Form des Feldeffekttransistors mit  hoher Elektronenbeweglichkeit schaltet große Spannungen bei sehr hohen Schaltfrequenzen und erreicht damit sehr gute Wirkungsgrade bei gleichzeitig geringen Bauvolumen. Der Aufbau des Leistungshalbleiters basiert auf einer Kombination von Materialien mit hohem Bandabstand, wie beispielsweise GaN (Galliumnitrid), AlGaN (Aluminiumgalliumnitrid) oder AlGaAs (Aluminiumgalliumarsenid), an deren Grenzfläche sich ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) bildet, in dem sich die Elektronen nahezu streufrei und damit sehr schnell bewegen können. GaN-HEMT sind ohne Ansteuerung selbstleitend und umständlich anzusteuern. Für ein einfaches und extrem sicheres Ausschalten (Drain-Source-Strecke ist hochohmig, also nicht leitend) wird ein GaN-Transistor mit Peripheriebausteinen als Kaskode in ein kleines Schaltmodul integriert und ist dann mit Positiv-Logik steuerbar.
Kategorien: Bauelemente,Materialien,Schaltungstechnik
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