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SiC

Abkürzung für: Siliziumcarbid
Definition: SiC-Halbleitermaterial mit großem Bandabstand kommt auf Grund seiner hohen Temperaturleitfähigkeit zunehmend in Bauelementen der Leistungselektronik bis 1700 V und perspektivisch darüber zum Einsatz. Im Vergleich zu Silizium sind Siliziumcarbid-Substrate deutlich teurer, da der Kristallwachstumsprozess sehr langsam abläuft. Aufgrund der deutlich höheren Feldstärken können SiC-Wafer sehr viel dünner sein, als Silizium, wodurch parasitäre Kapazitäten geringer ausfallen (weniger Ladungsbewegung bei schnellen Schaltvorgängen) und auch der RDS(on) kleiner ist (weniger Verlustleistung). Vorteilhafterweise lassen sich SiC-Bausteine auf Produktionsanlagen für Silizium-Chips günstig herstellen.
Kategorien: Bauelemente,Materialien
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