ANV32A62ASE1 besitzt eine Speicherkapazität von 64 KBit und eine Taktrate von 1 MHz. Der Stromverbrauch des Speicherbausteins liegt bei 0,5 mA. Der nichtflüchtige Speicherbaustein soll die Sicherheit von Systemen deutlich erhöhen. Außerdem soll eine Data Rention (Datenerhalt) von zehn Jahren die Zuverlässigkeit des Speichers erhöhen.

ANV32A62ASE1

Das ANV32A62ASE1 ist in einem kompakten, RoHS-konformen 8-Pin-150-mil-SOIC-Gehäuse untergebracht. Anvo Systems

Das nvSRAM mit I²C-Interface ist intern als 8k Worte × 8 Bit organisiert. Jede SRAM-Speicherzelle integriert ein nichtflüchtiges Sonos-Speicherelement, das die Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung sicherstellt. Fällt die Betriebsspannung unter einen definierten Wert ab, werden die Daten im automatischen Self-Timed PowerStore-Betrieb in nichtflüchtigen Speicherzellen gespeichert. Das serielle nvSRAM ist gekennzeichnet durch kurze Zugriffs- und Zykluszeiten sowie unbegrenzte Schreib- und Lesezyklen (Write/Read Endurance) der SRAM-Zellen, die vergleichbar sind zu denen eines Standard-SRAMs. Spezielle Funktionen, wie zum Beispiel Hardware Data Protection und ein Continuous-Write-Betrieb, sorgen für hohe Zuverlässigkeit und gesteigerte Effizienz.

Das ANV32A62ASE1 ist in einem kompakten, RoHS-konformen 8-Pin-150-mil-SOIC-Gehäuse eingebettet. Das serielle nvSRAM ist für eine Betriebsspannung von 3,3 V ausgelegt. Der Speicherbaustein eignet sich für Anwendungen, die einen erweiterten Temperaturbereich benötigen. Dazu zählen unter anderem die Industrieautomatisierung, die Robotik, Messtechnik und Server-Technik.