Alan Elbanhawy beschreibt hier in englischer Sprache auf den acht Seiten dieser Application Note die komplizierten Phänomene bei Durchschlageffekten von MOSFETs.


Dabei spielen die parasitären Induktivitäten an den Gate- und Source-Schaltungen eine wichtige Rolle, die in den Gleichungen meist unberücksichtigt bleiben. Es wird sogar eine Formel zur Berücksichtigung dieser Effekte vorgestellt.