Diese spielen insbesondere bei Notebook, Point-of-Load-, Server-, Spiele- und Telekommunikationsanwendungen eine wichtige Rolle. Fairchild Semiconductor  hat sich dieser Herausforderungen angenommen und asymmetrische Dual-Mosfet-Leistungsstufen-Module entwickelt.

Diese asymmetrischen Dual-Mosfet-Leistungsstufen-Module stellen Entwicklern verschiedene Lösungen für unternehmenskritische Anwendungen zur Informationsverarbeitung mit hohem Wirkungsgrad zur Verfügung.

Diese asymmetrischen Dual-Mosfet-Leistungsstufen-Module stellen Entwicklern verschiedene Lösungen für unternehmenskritische Anwendungen zur Informationsverarbeitung mit hohem Wirkungsgrad zur Verfügung.Fairchild Semiconductor

Die FDMS36xxS-Baureihe kombiniert einen Steuer- und einen synchronen Mosfet, sowie eine monolithische Schottky Body-Diode in einem PQFN-Gehäuse. Die Komponenten sind intern verbunden, um eine einfache Platzierung und Routing bei synchronen Abwärtswandlern zu ermöglichen. Der Hersteller hat den Steuer-Mosfet (Q1) und den synchronen Mosfet (SyncFETTM) (Q2) nach eigenen Aussagen im Hinblick auf höchste Leistungseffizienz für Ausgangsströme von bis zu 30 A optimiert. Durch die Integration diese Bauteile in einem Modul ist mit der Produktfamilie erheblich weniger Leiterplattenfläche benötigt, weil zwei oder mehr 5 mm x 6 mm große PQFN-, S08- und DPAK-Gehäuse entfallen können.

Die FDMS36XXS-Familie basiert auf der Charge-Balanced Bauteil-Architektur (Shielded Gate Technology) und einer modernen Gehäusetechnologie von Fairchild, die einen niedrigen Low-Side RDS(ON) von weniger als 2 mOhm gewährleistet. Sie wurde im Hinblick auf minimale Leitungs- und Schaltverluste im Bereich von 300kHz bis 600KHz optimiert. Die Bauteil-Architektur mit Shielded Gate Technologie und das Gehäuse-Design mit niedriger Quelleninduktivität stellt niedrige Schaltstörungen sicher, ist zudem unempfindlich gegenüber Design-Schwankungen und erhöht die Design-Zuverlässigkeit. Durch die geringen Schaltstörungen lässt sich auf spezielle Dämpfungsmaßnahmen mittels externer Snubber- oder Gate-Widerstände verzichten, wodurch die Materialkosten des Designs reduziert und Leiterplattenfläche eingespart werden.

Die Serie FDMS36xxS umfasst derzeit die asymmetrischen N-Kanal Dual-Mosfet-Power-Trench-Leistungsstufen FDMS3602S und FDMS3604AS. Weitere Bauteile sind in Planung. Die Preise belaufen sich bei 1000er Stückzahlen auf 1,86 US-Dollar für den FDMS3602S und 1,62 US-Dollar für den FDMS3604AS. Muster sind ab sofort verfügbar, die Lieferzeit beträgt 8 bis 10 Wochen.