Der 800-V-DTMOS-IV-Super-Junction-MOSFET für höheren Wirkungsgrad und kleinere Systeme.

Der 800-V-DTMOS-IV-Super-Junction-MOSFET für höheren Wirkungsgrad und kleinere Systeme.Toshiba Electronics Europe

Im Vergleich zu einem Multi-Epitaxieprozess bietet die Deep-Trench-Technologie einen geringeren Durchlasswiderstand (RDS(ON)) bei höheren Temperaturen. Im Gegensatz zu früherer Technik verringern sich auch die Ausschaltverluste (EOSS). Diese Kombination sorgt für effizientere Stromversorgungen und hilft dabei, deren Baugröße zu verringern.

DTMOS IV ermöglicht schnelleres Schalten, da die parasitäre Kapazität zwischen Gate und Drain verringert wurde. Der typische CISS-Wert beträgt nur 1450pF. Die maximalen Nennwerte betragen 800VDSS, ±30VGSS und 17 A Drain-Strom und der maximale RDS(ON) 0,3Ω.

Die Serienfertigung beginnt im vierten Quartal 2014. Der Baustein wird im vollständig isolierten TO-220SIS-Gehäuse ausgeliefert. Muster sind ab sofort erhältlich. Varianten mit anderen Nennwerten und Gehäusen, zum Beispiel im TO-220, DPAK oder IPAK, folgen.