Bei den TPWR7940PB und TPW1R104PB von Toshiba handelt es sich um zwei 40-V-n-Kanal-Leistungs-Automotive-MOSFETs im DSOP-Gehäuse. Der TPWR7940PB ist ein 40-V-MOSFET mit maximal 0,79 mΩ RDS(ON) im DSOP-L-Gehäuse; der TPW1R104PB ein 40-V-MOSFET mit maximal 1,14mΩ RDS(ON) im DSOP-M-Gehäuse. Beide Bausteine basieren auf dem aktuellen U-Mosix-H-Trench-Prozess und sind AEC-Q101-qualifiziert.

Die freiligenden Metalloberflächen von Toshibas Automotive-MOSFETs ermöglichen Wärmeaustausch.

Die freiligenden Metalloberflächen von Toshibas Automotive-MOSFETs ermöglichen Wärmeaustausch. Toshiba

Sowohl das DSO-M als auch das DSOP-L sind 5 mm × 6 mm große Gehäuse mit acht Pins. Sie unterscheiden sich in der Größe ihrer freiliegenden Metalloberfläche. Diese beträgt etwa 8 mm2 beim DSOP-M und etwa 12 mm2 beim DSOP-L. Messungen in Toshibas Testumgebung ergaben eine maximale Wärme-Impedanz zwischen Kanal und Metalloberfläche von 1,5 K/W für den TPW1R104PB und 0,93 K/W für den TPWR7940PB.