1200-V-SiC-MOSFETs von Alpha and Omega Semiconductors

Die Bauteile sind ausgelegt für die Anforderungen an Effizienz und Zuverlässigkeit von On-Board-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV), Motorantriebswechselrichtern und Off-Board-Ladestationen. Sie bieten nach Angaben des Unternehmens den branchenweit niedrigsten On-Widerstand, der für einen MOSFET in einem für die Automobilindustrie qualifizierten TO-247-4L-Gehäuse mit einem Standard-Gate-Drive von 15 V verfügbar ist. Bei dem Bauteil AOM033V120X2Q handelt es sich um einen 1200-V-SiC-MOSFET, der auf der SiC-MOSFET-Plattform der zweiten Generation von AOS basiert und in einem optimierten TO-247-4L-Gehäuse untergebracht ist.

Im Gegensatz zum Standardgehäuse mit 3 Anschlüssen lassen sich durch die Verwendung eines zusätzlichen Sense-Anschlusses die Induktivitätseffekte des Gehäuses reduziert. So lässt sich der Baustein einer höheren Schaltfrequenz betreiben, wobei die Schaltverluste im Vergleich zum Standardgehäuse um bis zu 75 % reduziert werden. Die empfohlene Gate-Treiberspannung von 15 V ermöglicht eine größtmögliche Kompatibilität von Gate-Treibern für eine einfache Übernahme in eine Vielzahl von Systemdesigns. Darüber hinaus haben die SiC-MOSFETs einen sehr geringen Anstieg des On-Widerstands bis zur Nenntemperatur von 175° C, um Leistungsverluste zu minimieren und die Effizienz weiter zu erhöhen.

(prm)