Die Gate-Treiberspannung von 15 V ermöglicht Kompatibilität mit unterschiedlichen Designs.

Die Gate-Treiberspannung von 15 V ermöglicht Kompatibilität mit unterschiedlichen Designs. (Bild: Alpha and Omega Semiconductors)

Die Bauteile sind ausgelegt für die Anforderungen an Effizienz und Zuverlässigkeit von On-Board-Ladegeräten für Elektrofahrzeuge (EV), Motorantriebswechselrichtern und Off-Board-Ladestationen. Sie bieten nach Angaben des Unternehmens den branchenweit niedrigsten On-Widerstand, der für einen MOSFET in einem für die Automobilindustrie qualifizierten TO-247-4L-Gehäuse mit einem Standard-Gate-Drive von 15 V verfügbar ist. Bei dem Bauteil AOM033V120X2Q handelt es sich um einen 1200-V-SiC-MOSFET, der auf der SiC-MOSFET-Plattform der zweiten Generation von AOS basiert und in einem optimierten TO-247-4L-Gehäuse untergebracht ist.

Im Gegensatz zum Standardgehäuse mit 3 Anschlüssen lassen sich durch die Verwendung eines zusätzlichen Sense-Anschlusses die Induktivitätseffekte des Gehäuses reduziert. So lässt sich der Baustein einer höheren Schaltfrequenz betreiben, wobei die Schaltverluste im Vergleich zum Standardgehäuse um bis zu 75 % reduziert werden. Die empfohlene Gate-Treiberspannung von 15 V ermöglicht eine größtmögliche Kompatibilität von Gate-Treibern für eine einfache Übernahme in eine Vielzahl von Systemdesigns. Darüber hinaus haben die SiC-MOSFETs einen sehr geringen Anstieg des On-Widerstands bis zur Nenntemperatur von 175° C, um Leistungsverluste zu minimieren und die Effizienz weiter zu erhöhen.

(prm)

Kostenlose Registrierung

Newsletter
Bleiben Sie stets zu allen wichtigen Themen und Trends informiert.
Das Passwort muss mindestens acht Zeichen lang sein.

Ich habe die AGB, die Hinweise zum Widerrufsrecht und zum Datenschutz gelesen und akzeptiere diese.

*) Pflichtfeld

Sie sind bereits registriert?