Die eGaN-FETs EPC2219 sind nun nach AEC-Q101 qualifiziert und eignen sich für den Einsatz in Automotive-Lidar-Systemen. (Bild: EPC)
Die eGaN-Technologie kommt auch in Radarsystemen für autonome Fahrzeuge, 48/12V-DC/DC-Wandlern für die Mild-Hybrid-Stromversorung, in HiFi-Infotainment-Systemen und leistungsstarken Scheinwerfern in LKWs zum Einsatz.
Die AEC-Q101-Qualifizierungstests haben die Schaltkreise inklusive Feuchtigkeitstests mit Vorspannung (H2TRB), Hochtemmperatur-Sperrvorspannung (HTRB), Hochtemperatur-Gate-Vorspannung (HTGB), und Temperaturwechsel (TC) bestanden. Weitere diskrete Transistoren und ICs, die für raue Automotive-Umgebungen ausgelegt sind, sollen folgen.
Untergebracht sind eGaN-FETs mit integrierter Sperrdiode in einem 9 mm × 9 mm großen WLCS-Gehäuse, das die gleichen Teststandards wie herkömmliche Gehäuse erfüllt. Der Einschaltwiderstand der Bauelemente liegt bei 3,3 Ω, der Betriebstemperaturbereich reicht von -40 °C bis +150 °C.
(na)
