AL8862Q und AL8843Q

Der AL8843Q und AL8862Q sind im SO-8EP-Gehäuse nach AEC-Q100 (Grad 1) erhältlich und unterstützen PPAP-Dokumentation. (Bild: Diodes)

| von Gunnar Knuepffer

Mit einer Versorgungsspannung von 4,5 V bis mindestens 40 V (AL8862Q bis 55 V) halten die beiden Treiber auch starken Spannungsschwankungen stand, zum Beispiel Load Dumps beim Anlassen mit schwacher Batterie oder im Stopp-Start-Betrieb, ohne dass es zu einer Beeinträchtigung der LED-Ansteuerstrom kommt.

Beide Bausteine sind hochintegriert und verfügen über einen integrierten Leistungs-MOSFET: 40 V/0,2 Ω für den AL8843Q und 55 V/0,4 Ω für den AL8862Q. Darüber hinaus bieten sie eine Buck-LED-Treibersteuerung im Hysterese-Modus, die die Rückkopplungsschleife vereinfacht und hochstabile Abwärtswandler mit nur vier externen Bauelementen ermöglicht.

Zu den Unterscheidungsmerkmalen des AL8843Q zählt ein Eingangsspannungsbereich von 4,5 V bis 40 V und ein Ausgangsstrom von 3 A, während der AL8862Q sich mit einer Eingangsspannung zwischen 5 V und 55 V betreiben lässt und am Ausgang bis zu 1 A liefert. Beide LED-Treiber unterstützen vollständiges PWM-Dimmen (0 bis 100 Prozent) – gesteuert entweder mit einem Analogeingang zwischen 0,4 und 2,5 V oder einem PWM-Signal, das ein externer Mikrocontroller oder Host-Prozessor zur Verfügung stellt. Zu den Sicherheitsmerkmalen zählen Übertemperaturschutz sowie Schutz gegen LED-Kurzschluss und Leerlauf. Der AL8862Q verfügt über einen Open-Drain-Pin für Störmeldungen, der bei Low einen fehlerhaften Zustand meldet.

Der AL8843Q und AL8862Q sind im SO-8EP-Gehäuse nach AEC-Q100 (Grade 1) erhältlich, unterstützen PPAP-Dokumentation und werden in IATF16949-zertifizierten Fabs hergestellt.

(aok)

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