E-Fahrzeuge: ZF und Vis IC entwickeln Wechselrichter auf Galliumnitrid-Basis

ZF Friedrichshafen und Vis IC arbeiten bei der Entwicklung der nächsten Generation von elektrischen Antriebssträngen auf Basis von Galliumnitrid-Halbleitern zusammen.

Grundlage dafür ist die Halbleitertechnologie D³GaN von Vis IC. Gemeinsam wollen die Partner Anwendungen für 400-Volt-Antriebsstränge entwickeln, die das größte Segment des Elektrofahrzeugmarktes  abdecken.

GaN-Halbleiter sind eine Möglichkeit zur weiteren Verbesserung von Effizienz und Leistung elektrifizierter Fahrzeuge, von Hybrid- bis hin zu vollelektrischen Anwendungen. Diese Technologie bietet eine höhere Schaltgeschwindigkeit, Reichweitenverbesserungen sowie kleinere und leichtere Gehäusegrößen und reduziert damit die Gesamtsystemkosten.

„Unsere Partnerschaft mit ZF für die Entwicklung von Wechselrichtern auf Galliumnitridbasis in Elektrofahrzeugen veranschaulicht den Durchbruch der Galliumnitridtechnologie in der Automobilindustrie“, sagte Tamara Baksht, CEO von Vis IC. Die D³GaN-Technologie sei für hohe Zuverlässigkeitsstandards der Automobilindustrie entwickelt worden und biete geringe Verluste pro R_DS(on). Sie vereinfache auch die Systemlösung und ermögliche effiziente und erschwingliche Antriebsstranglösungen.

Durch die F&E-Partnerschaft vertiefen ZF und Vis IC ihre bestehenden Anstrengungen bei der Anwendung von Galliumnitrid-Halbleitern für Wandler.

(gk)