Neue EDT2 IGBTs im TO247PLUS-Gehäuse

Bei einer Temperatur von 100 °C betragen die Nennströme der diskreten EDT2-IGBTs 120 A und 200 A, jeweils mit einer sehr niedrigen Durchlassspannung. (Bild: Infineon Technologies)

Die kurzschlussfesten IGBTs basieren auf dem Micro-Pattern-Trench-Field-Stop-Zellendesign für Automotive-Applikationen. Sie erfüllen und übertreffen den Industriestandard AECQ101 für Automotive-Bauteile.

Das TO247PLUS-Gehäuse ist für Wechselrichteranwendungen optimiert und bietet eine größere Kriechstrecke. Die EDT2-Technologie liefert eine Durchbruchspannung von 750 V, unterstützt Batteriespannungen bis zu 470 VDC und bietet geringe Schalt- und Leitungsverluste.

Bei einer Temperatur von 100 °C betragen die Nennströme der diskreten IGBTs 120 A und 200 A, jeweils mit einer sehr niedrigen Durchlassspannung, wodurch die Leitungsverluste im Vergleich zur vorherigen Generation um bis zu 13 Prozent reduziert werden.

Darüber hinaus weisen die EDT2 IGBTs eine enge Parameterverteilung auf. Die Differenz der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) zwischen typischen und maximalen Werten beträgt weniger als 200 mV und die Differenz der Gate-Schwellenspannung (VGEth) liegt unter 750 mV. Durch den positiven Wärmekoeffizient wird ein einfacher Parallelbetrieb ermöglicht. Laut Infineon bieten die IGBTs ein gleichmäßiges Schaltverhalten, eine niedrige Gate-Ladung (QG) und eine hohe Sperrschichttemperatur (Tvjop) von 175 °C.

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