Optimos-5-80V/100V

Für die Bausteine in Opti-MOS-5-Technologie stehen nun neue Gehäusevarianten für den Einsatz in Mild-Hybriden zur Verfügung. (Bild: Infineon)

Die Opti-MOS-5-MOSFETs von Infineon mit 80 V und 100 V besitzen einen geringen, skalierbaren Durchlasswiderstand bis hinunter zu 1,2 mΩ. Zum Einsatz kommen die Bausteine in Anwendungen mit hoher Leistungsdichte in Mild-Hybriden, zum Beispiel im Starter-Generator, im Batterietrennschalter und im DC-DC-Wandler. Für diese Anwendungen baut Infineon seine TOLx-Gehäusefamilie aus, die auf dem TOLL-Gehäuse (TO-Leadless, 10 mm × 12 mm) für Kupfersubstrat-Leiterplatten und Ströme bis 300 A basiert.

Mit dem gleichen Footprint steht das TOLG-Gehäuse (TO Leads Gullwing) für isolierte Metall-Substrate (IMS) mit Aluminiumkern zur Verfügung. IMS-Boards senken den hohen thermo-mechanischen Stress an den Lötverbindungen zwischen Gehäuse und Leiterplatte. Diese Belastung wird auch über die Gullwing-Leitungen abgefedert.

Zusätzlich erweitert das Unternehmen sein Angebot um TOLT-Gehäuse (TO Leads Top-Side Cooling). Es ermöglicht die Wärmeableitung durch Top-Side-Kühlung über die Oberseite des Gehäuses statt über die Leiterplatte. Dadurch soll sich laut Herstellerangabe die Leistung um mehr als 20 Prozent erhöhen und der Kühlaufwand der Platine reduzieren lassen. Der Start der Volumenfertigung ist für 2021 gepalnt.

Für weniger leistungshungrige Anwendungen in Nebenaggregaten wie Lüftermotoren und Pumpen, die jedoch auch häufig auf 48 V umgestellt werden, bietet Infineon Baustein-Varianten im kleinen S3O8-Gehäuse (3,3 mm × 3,3 mm) für niedrigere Ströme bis 40 A an. Diese ergänzen die Bauelemente im etwas größeren SSO8-Gehäuse (5 mm × 6 mm), die für Ströme bis 100 A ausgelegt sind.

Um die hohe Nachfrage am Markt bedienen zu können hat das Unternehmen einen neuen MOSFET-Fertigungsprozess eingerichtet und produziert die Bauelemente nun auf seiner Linie für 300-Millimeter-Dünnwafer in Dresden.

 

 

(aok)

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