Bei den GaN-FETs für 650 V der H2-Generation von Nexperia fällt die Chip-Größe durch Epi-Vias um 24 Prozent kleiner aus.

Bei den GaN-FETs für 650 V der H2-Generation von Nexperia fällt die Chip-Größe durch Epi-Vias um 24 Prozent kleiner aus. (Bild: Nexperia)

Die GaN-HEMTs der H2-Generation von Nexperia sind als Kaskode ausgeführt und machen damit komplizierte Treiber- und Ansteuerungslösungen überflüssig. Epi-Vias reduzieren Defekte im Schaltkreis und verringern die Chip-Größe um etwa 24 Prozent. Der Einschaltwiderstand der FETs liegt bei 41 mΩ (Maximalwert, 35 mΩ bei +25 °C) im TO-247-Gehäuse, bei gleichzeitig hoher Schwellenspannung und niedriger Vorwärtsspannung der Diode.

Im proprietären CCPAK-Gehäuse für die Oberflächenmontage liegt der Einschaltwiderstand der GaN-FETs bei maximal 39 mΩ (33 mΩ bei +25 °C). In Kaskodenausführung lassen sich die FETs mit Standard-MOSFETs ansteuern. Beide Gehäusevarianten erfüllen die Anforderungen der AEC-Q101 für Automobilanwendungen. Anwendungsgebiete umfassen On-Board-Ladegeräte, DC/DC-Wandler und Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen sowie industrielle Stromversorgungen im Bereich von 1,5 bis 5 kW für Telekommunikationsanlagen, 5G und Datenzentren.

Das CCPAK-Gehäuse verwendet die Copper-Clip-Technologie von Nexperia, um interne Bonddrähte zu ersetzen. Dies reduziert parasitäre Verluste, optimiert die elektrische und thermische Leistung und verbessert die Zuverlässigkeit. CCPAK-Gan-FETs sind in Konfigurationen mit Ober- oder Unterseitenkühlung erhältlich. Die 650-V-Bausteine GAN041-650WSB in TO-247 und GAN039-650NBB in CCPAK sind derzeit in der Bemusterung.

(na)

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