Der isolierte, einkanalige Gatetreiber ist für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs ausgelegt.
Der STGAP2SiCSN besitzt eine galvanische Isolation zwischen dem Gatetreiber-Kanal und dem Niedervolt-Ansteuerteil und eignet sich hochspannungsseitig für bis zu 1700 V. Die weniger als 75 ns betragende Signallaufzeit zwischen Eingang und Ausgang ermöglicht eine große PWM-Genauigkeit, und die hohe Impulsfestigkeit (Common-Mode Transient Immunity, CMTI) von ±100 V/ns sorgt sorgt für ein zuverlässiges Schalten. Zu den integrierten Schutzfunktionen gehören eine Unterspannungs-Sperre (Under-Voltage Lockout, UVLO), deren Ansprechschwelle so gewählt ist, dass die SiC-Leistungsschalter nicht unter ineffizienten oder unsicheren Bedingungen arbeiten, sowie eine Thermal-Shutdown-Funktion, die beide Treiberausgänge auf Low-Status setzt, sobald eine zu hohe Sperrschichttemperatur detektiert wird.
Es stehen zwei optionale Konfigurationen zur Auswahl. Entweder können mit separaten Ausgängen die Einschalt- und die Ausschaltzeit unabhängig voneinander mit einem externen Widerstand optimiert werden, oder es steht ein einzelner Ausgang mit aktiver Miller-Clamp-Funktion zur Verfügung. Die letztgenannte Konfiguration verbessert die Stabilität in hart schaltenden Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz, wobei die Miller-Clamp-Funktion übermäßige Oszillationen des Leistungsschalters unterbindet.
Die Logikeingänge des STGAP2SiCSN sind bis 3,3 V herab TTL- und CMOS-kompatibel, wodurch sich der Anschluss an einen Host-Mikrocontroller oder -DSP vereinfacht. Bei einer Gate-Ansteuerspannung von bis zu 26 V verkraftet der Treiber als Quelle und als Senke Ströme bis zu 4 A. Die integrierte Bootstrap-Diode vereinfacht das Design und kommt der Zuverlässigkeit zugute, während ein Shutdown-Modus mit separatem Eingangs-Pin dazu beiträgt, den Stromverbrauch des Gesamtsystems zu minimieren. Der Treiber ist ab sofort im 5 mm x 4 mm messenden SO-8N-Gehäuse lieferbar.
