XPH4R10ANB und XPH6R30ANB

Die MOSFETs XPH4R10ANB und XPH6R30ANB sollen die Effizienz von Automotive-Systemen verbessern. (Bild: Toshiba)

Die MOSFETs XPH4R10ANB und XPH6R30ANB sollen laut Hersteller die Effizienz von Automotive-Systemen verbessern, da sie einen geringen Durchlasswiderstand RDS(on) bieten. Der XPH4R10ANB besitzt einen Widerstand von nur 4,1 mΩ und verringert somit Systemverluste spürbar. Das kleine SOP-Advance-/WF-Gehäuse mit Wettable Flanks hat sich in 48-V-Automotive-Anwendungen bewährt und ermöglicht die automatische optische Inspektion (AOI), um die Qualität der Lötstellen zu gewährleisten.

Beide MOSFETs sind Teil der U-MOSVIII-H-Serie von Toshiba und bieten eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 100 V und eine maximale Betriebstemperatur von +175 °C. Der XPH4R10ANB unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 70 A und Pulsströme bis 210 A. Die Werte für den XPH6R30ANB betragen 45 A beziehungsweise 135 A. Toshiba hat die Bausteine speziell für aktuelle 48-V-Systeme entwickelt. Sie eignen sich für Aufwärts-/Boost-Wandler in integrierten Startergeneratoren (ISG), LED-Scheinwerfer sowie für Motorantriebe, Schaltregler und Lastschalter.

 

(aok)

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