Komponenten
Messung der Leuchtdichteverteilung von Straßenbeleuchtungen
Microchip erweitert Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen
Microchip hat sein Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC) um Varianten mit 700, 1200 und 1700 V erweitert, die weniger Wärmeentwicklung verursachen und einen kleineren Footprint haben. mehr...
Vier geschlitzte Tüllengrößen für Klemmbereich von 14 bis 23 mm
Icotek bietet zur Durchführung von Leitungen mit Steckern durch das Rahmensystem KEL-Quick die geschlitzten Mehrbereichstüllen QTMB an. mehr...
10 GBit/s-Ethernet-Einsätze von ODU für AMC-Rundsteckverbinder
Für die robusten Miniatur-Rundsteckverbinder AMC von ODU gibt es jetzt 10 GBit/s Ethernet-Einsätze entsprechend einer Cat-6A-Datenübertragung. mehr...
SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist
Damit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen – manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...
Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor
Cree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...
Conta-Clip: KDS-Dichtelemente mit maximierter Packungsdichte
Bei den neuen Dichtelementen KDS-DES für unkonfektionierte Leiter überträgt Conta-Clip das einfache Einführungsprinzip von KES auf sein Kabeldurchführungssystem KDS. mehr...
Harwin ergänzt Steckverbinder der 1,25-mm-Raster-Familie
Harwin hat seine Produktfamilie Gecko-SL (Screw-Lok) um horizontale Steckverbinder erweitert. Die Spezifizierung des Durchgangssteckverbinders im 90°-Winkel zur Leiterplatte bietet zusätzliche Layout-Flexibilität, um das Platzangebot auf der Leiterplatte zu maximieren. mehr...
Leistungshalbleiter zum Test richtig kontaktieren
Zum Test müssen Leistungshalbleiter mit dem Messgerät verbunden werden. Der Beitrag zeigt Wege zum Verbinden von Bauelementen in verschiedenen Gehäusetypen und geht auch auf die On-Wafer-Charakterisierung ein. mehr...
So lässt sich eine effiziente Stromversorgung entwickeln
Stromversorgungen müssen stets für einen bestimmten Spannungsbereich ausgelegt werden. Das Referenzdesign von TI für eine isolierte Stromversorgung zeigt eine gute Möglichkeit auf, einen sehr weiten Eingangsspannungsbereich zu erzielen. mehr...
Hochintegrierte MCUs und Prozessoren optimieren Industrieroboter-Design
Produktmontage, Materialtransport oder Logistik: Industrieroboter sind aus der Fabrikautomatisierung nicht mehr wegzudenken. Beim Design des Roboters muss der Entwickler unterschiedliche Überlegungen anstellen: Zentralprozessor, Safety-Level, Sensoren und Software – überall ist es wichtig, verschiedene Optionen zu haben. Skalierbare Hard- und Softwarelösungen bieten die notwendige Flexibilität. mehr...
Nvent Schroff entwickelt PXIe-Chassis für PCIe Gen 4
Nvent Schroff arbeitet an der Realisierung eines Standard-PXIe-Chassis für PCIe Gen 4 und plant, dieses 2020 auf den Markt zu bringen. mehr...
Bahntaugliche 1-Phasen-Batterie-Wechselrichter
Speziell für mobile batteriegestützte Bordnetze (24 bis 110 VDC) mit einem Spannungshub von -30/+40 Prozent plus Surge wurde die Familie WER-HXD zur Serienreife gebracht. mehr...
Würth Elektronik: DC/DC-Spannungswandler mit fester Ausgangsspannung
Die FDSM-Power-Module der MagI³C-Familie von Würth Elektronik mit fixer Ausgangsspannung von 3,3 oder 5 V sind nach Varianten mit maximalen Eingangsspannungen von 28 und 42 V nun auch mit 36 V Eingangsspannung erhältlich. mehr...
Leuchtdiode im Ultraviolett-Bereich bei Eurolighting
Eurolighting erweitert sein Angebot um eine Leuchtdiode im UV-C-Bereich, die von Smart Eco Lighting entwickelt wurde. mehr...
IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor
Immer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...
Galliumnitrid zur Stromversorgung von Kleinsatelliten im LEO
Mit der Verfügbarkeit von GaN-FETs im Enhancement Mode sowie strahlungstoleranten PWM-Controllern und GaN-FET-Treibern lassen sich PWM-Anwendungen mit GaN-Bauelementen für den Einsatz im Orbit realisieren. mehr...
Single Pair Ethernet: Hirschmann wechselt den Verein
Anfang April wird es erst offiziell: Aus der im April 2019 gegründeten Technologiepartnerschaft für Single Pair Ethernet – mit Phoenix Contact, Weidmüller Interface, Reichle & Massari (R&M), Belden/Hirschmann sowie Fluke Networks als Protagonisten – wird die SPE System Alliance. Noch vor der Umbenennung hat sich ein Mitglied bereits zurückgezogen: Hirschmann Automation and Controls (HAC). Dr. Oliver Kleineberg, CTO von HAC, begründet diesen Schritt. mehr...
Lichtinnovation mittels Open Source und künstlicher Intelligenz
Die Ergebnisse des 2016 gestarteten Projekts Open Licht, das intelligentes individuelles Lichtdesign auf Open-Source-Basis und mit künstlicher Intelligenz beinhaltete, stehen nun der Öffentlichkeit zur Verfügung. mehr...
On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor
On Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...
Berührungslose Temperaturmessung im IoT wird zunehmend wichtiger
Kontaktlose Temperatursensoren können auch an engen oder schlecht zugänglichen Orten Temperaturen erfassen und lösen zunehmend Messfühler ab. So helfen sie, Auffälligkeiten frühzeitig zu erkennen. mehr...