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Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.
Leistungselektronik-Module mit 700, 1200 und 1700 V

Microchip erweitert Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen

01.04.2020- NewsMicrochip hat sein Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC) um Varianten mit 700, 1200 und 1700 V erweitert, die weniger Wärmeentwicklung verursachen und einen kleineren Footprint haben. mehr...

Vier geschlitzte Tüllengrößen für Klemmbereich von 14 bis 23 mm.
Stecker + Kabel-Kabelführung

Vier geschlitzte Tüllengrößen für Klemmbereich von 14 bis 23 mm

01.04.2020- ProduktberichtIcotek bietet zur Durchführung von Leitungen mit Steckern durch das Rahmensystem KEL-Quick die geschlitzten Mehrbereichstüllen QTMB an. mehr...

10 GBit/s Ethernet-Einsätze von ODU für AMC-Rundsteckverbinder.
Stecker + Kabel-Steckverbinder

10 GBit/s-Ethernet-Einsätze von ODU für AMC-Rundsteckverbinder

01.04.2020- ProduktberichtFür die robusten Miniatur-Rundsteckverbinder AMC von ODU gibt es jetzt 10 GBit/s Ethernet-Einsätze entsprechend einer Cat-6A-Datenübertragung. mehr...

Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

Die Dichtelemente KDS-DES für unkonfektionierte Leiter.
Passive Bauelemente-Kabeldurchführungssystem KDS

Conta-Clip: KDS-Dichtelemente mit maximierter Packungsdichte

31.03.2020- ProduktberichtBei den neuen Dichtelementen KDS-DES für unkonfektionierte Leiter überträgt Conta-Clip das einfache Einführungsprinzip von KES auf sein Kabeldurchführungssystem KDS. mehr...

ie Steckverbinder der Produktfamilie Gecko-SL wurden um horizontale Varianten erweitert
Stecker + Kabel-Platzeinsparungen bei Kabel-zu-Board-Anwendungen durch rechtwinklige Anschlüsse

Harwin ergänzt Steckverbinder der 1,25-mm-Raster-Familie

31.03.2020- ProduktberichtHarwin hat seine Produktfamilie Gecko-SL (Screw-Lok) um horizontale Steckverbinder erweitert. Die Spezifizierung des Durchgangssteckverbinders im 90°-Winkel zur Leiterplatte bietet zusätzliche Layout-Flexibilität, um das Platzangebot auf der Leiterplatte zu maximieren. mehr...

High-Voltage-Haube
Leistungselektronik-Alles ein Frage der Verbindung

Leistungshalbleiter zum Test richtig kontaktieren

31.03.2020- FachartikelZum Test müssen Leistungshalbleiter mit dem Messgerät verbunden werden. Der Beitrag zeigt Wege zum Verbinden von Bauelementen in verschiedenen Gehäusetypen und geht auch auf die On-Wafer-Charakterisierung ein. mehr...

Schema einer zweistufigen Stromversorgung
Stromversorgungen-Besonders weiter Eingangsspannungsbereich

So lässt sich eine effiziente Stromversorgung entwickeln

31.03.2020- FachartikelStromversorgungen müssen stets für einen bestimmten Spannungsbereich ausgelegt werden. Das Referenzdesign von TI für eine isolierte Stromversorgung zeigt eine gute Möglichkeit auf, einen sehr weiten Eingangsspannungsbereich zu erzielen. mehr...

Einplatinen-Robotersteuerung für Cobots und Scara-Roboter
Aktive Bauelemente-Für Cobots, Scara- und kartesische Roboter

Hochintegrierte MCUs und Prozessoren optimieren Industrieroboter-Design

30.03.2020- FachartikelProduktmontage, Materialtransport oder Logistik: Industrieroboter sind aus der Fabrikautomatisierung nicht mehr wegzudenken. Beim Design des Roboters muss der Entwickler unterschiedliche Überlegungen anstellen: Zentralprozessor, Safety-Level, Sensoren und Software – überall ist es wichtig, verschiedene Optionen zu haben. Skalierbare Hard- und Softwarelösungen bieten die notwendige Flexibilität. mehr...

Standard PXIe Chassis für PCIe Gen 4. von Nvent Schroff
Embedded-PCs/IPC-Verdopplung der Datenübertragungsrate

Nvent Schroff entwickelt PXIe-Chassis für PCIe Gen 4

30.03.2020- ProduktberichtNvent Schroff arbeitet an der Realisierung eines Standard-PXIe-Chassis für PCIe Gen 4 und plant, dieses 2020 auf den Markt zu bringen. mehr...

digitale, potenzialgetrennte 1-Phasen-Wechselrichterserie WER.HXD für 24/36/72/110 V-Eingangsgleichspannungen und Leistungen von 250/500/1000/2000/3000/6000 VA von Syko
Stromversorgungen-Dreistufentopologie

Bahntaugliche 1-Phasen-Batterie-Wechselrichter

27.03.2020- FachartikelSpeziell für mobile batteriegestützte Bordnetze (24 bis 110 VDC) mit einem Spannungshub von -30/+40 Prozent plus Surge wurde die Familie WER-HXD zur Serienreife gebracht. mehr...

Power-Module von Würth Elektronik
Stromversorgungen-Mit 36 V Eingangsspannung

Würth Elektronik: DC/DC-Spannungswandler mit fester Ausgangsspannung

27.03.2020- ProduktberichtDie FDSM-Power-Module der MagI³C-Familie von Würth Elektronik mit fixer Ausgangsspannung von 3,3 oder 5 V sind nach Varianten mit maximalen Eingangsspannungen von 28 und 42 V nun auch mit 36 V Eingangsspannung erhältlich. mehr...

Graph zeigt Wellenlänge der LED
Optoelektronik-Spitzenwellenlänge bei 280 nm

Leuchtdiode im Ultraviolett-Bereich bei Eurolighting

27.03.2020- ProduktberichtEurolighting erweitert sein Angebot um eine Leuchtdiode im UV-C-Bereich, die von Smart Eco Lighting entwickelt wurde. mehr...

Die IEEE hat einen strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid vorgestellt
Leistungselektronik-Wegweiser für SiC und GaN

IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor

27.03.2020- NewsImmer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...

Bild 2: Der Gate-Treiber ISL71040M hält auch bei LDR-Strahlungsbelastung seine Spannung konstant.
Stromversorgungen-Weltraumtaugliche FETs, Controller und Treiber

Galliumnitrid zur Stromversorgung von Kleinsatelliten im LEO

27.03.2020- FachartikelMit der Verfügbarkeit von GaN-FETs im Enhancement Mode sowie strahlungstoleranten PWM-Controllern und GaN-FET-Treibern lassen sich PWM-Anwendungen mit GaN-Bauelementen für den Einsatz im Orbit realisieren. mehr...

Dr. Oliver Kleineberg, CTO Hirschmann Automation andControl: "Wir sind dem SPE Industrial Partner Network jetzt beigetreten, um einen Steckerkrieg zu vermeiden."
Stecker + Kabel-Hirschmann-CTO Dr. Oliver Kleineberg will Steckerkrieg vermeiden

Single Pair Ethernet: Hirschmann wechselt den Verein

27.03.2020- KommentarAnfang April wird es erst offiziell: Aus der im April 2019 gegründeten Technologiepartnerschaft für Single Pair Ethernet – mit Phoenix Contact, Weidmüller Interface, Reichle & Massari (R&M), Belden/Hirschmann sowie Fluke Networks als Protagonisten – wird die SPE System Alliance. Noch vor der Umbenennung hat sich ein Mitglied bereits zurückgezogen: Hirschmann Automation and Controls (HAC). Dr. Oliver Kleineberg, CTO von HAC, begründet diesen Schritt. mehr...

Im Projekt Open Licht wurde eine intelligente Lichtlösung entwickelt, die ohne Internetanschluss auskommt. Das dafür entwickelte Open-Source-Gateway basiert auf Infineons TPM und einem Raspberry Pi.
Optoelektronik-Forschungsprojekt Open Licht

Lichtinnovation mittels Open Source und künstlicher Intelligenz

26.03.2020- NewsDie Ergebnisse des 2016 gestarteten Projekts Open Licht, das intelligentes individuelles Lichtdesign auf Open-Source-Basis und mit künstlicher Intelligenz beinhaltete, stehen nun der Öffentlichkeit zur Verfügung. mehr...

900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsfähigkeit und Wirkungsgrad

On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor

26.03.2020- ProduktberichtOn Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...

D6T-Sensor für Temperaturmessung
Sensor-ICs-Anomalien frühzeitig erkennen

Berührungslose Temperaturmessung im IoT wird zunehmend wichtiger

26.03.2020- FachartikelKontaktlose Temperatursensoren können auch an engen oder schlecht zugänglichen Orten Temperaturen erfassen und lösen zunehmend Messfühler ab. So helfen sie, Auffälligkeiten frühzeitig zu erkennen. mehr...

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