Leistungselektronik

Spezialist für Ansteuerung von Motoren

SiC-Lösungen von Microchip
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrieredioden

Die Zukunft beginnt mit SiC-Lösungen

02.06.2020- ProduktberichtSiliziumkarbid (SiC)-Halbleiter sind innovative, neue Optionen zur Verbesserung der Systemeffizienz, zur Unterstützung höherer Betriebstemperaturen und zur Kostensenkung in Leistungselektronik-Designs. mehr...

Der epoxidharzbasierte Klebstoff wurde speziell für die Verklebung von mikroelektronischen Bauteilen entwickelt
Leistungselektronik-Wärmeleitend und isolierend

Delo: Elektronik-Klebstoff für Leistungshalbleiter

29.05.2020- ProduktberichtDelo hat einen Elektronikklebstoff entwickelt, der wärmeleitend sowie elektrisch isolierend zugleich ist und selbst nach standardisiertem Feuchtigkeitstest mit anschließenden Reflow-Durchläufen gute Festigkeiten zeigt. mehr...

Maxim hat Trinamic gekauft
Firmen und Fusionen-Spezialist für Ansteuerung von Motoren

Maxim Integrated hat Trinamic gekauft

29.05.2020- NewsDer kalifornische Halbleiterhersteller Maxim Integrated hat den deutschen Halbleiterhersteller Trinamic gekauft. mehr...

Verschiedene Montageclips und -federn
Wärmemanagement-Befestigungsmöglichkeiten von Kühlkörpern an Halbleitern

CTX: Clip- und Federlösungen für einen guten Wärmeübergang

13.05.2020- ProduktberichtMontageclips und -federn sind eine besonders unkomplizierte und gleichzeitig effektive Methode, Kühlkörper an Halbleitern zu befestigen. CTX Thermal Solutions bietet eine umfassende Auswahl unterschiedlicher Clip- und Federlösungen mit besonders hoher Bruchfestigkeit. mehr...

Vitesco Technologies errichtet ein FE-Zentrum China
Branchenmeldungen-Schub für Digitalisierung

Vitesco Technologies plant aktuell den Anlauf der Werke

06.05.2020- InterviewDie Aktivitäten von Vitesco Technologies im Bereich Industrie 4.0 unterstützen eine berührungslose Zusammenarbeit. Diesen Ansatz  will die Antriebssparte von Continental in Zukunft verstärkt nutzen und damit die Mitarbeiter zunehmend schützen. mehr...

Gregor Rodehüser, Pressesprecher Infineon
Branchenmeldungen-Problembewältung an vielen Fronten

Gregor Rodehüser: So bewältigt Infineon die Corona-Krise

06.05.2020- InterviewAls international agierender Konzern sieht sich Infineon einer Vielzahl von Problemen gegenüber. Pressesprecher Gregor Rodehüser erklärt im Interview, wie der Konzern diese bewältigt und in der Krise agiert. mehr...

SBR-Dioden von Finepower
Leistungselektronik-Mit niedrigem Leckstrom

Robuste Dioden mit Super-Barrier-Technologie von Maxpower

05.05.2020- ProduktberichtMit den Max-SBR-Dioden entwickelt Maxpower seine erste Generation an Gleichrichterdioden. mehr...

Peter Lutter, Finepower: „Eine nachhaltige Veränderung unseres Arbeitsalltages durch und nach Corona sehen wir nicht bzw. nur eingeschränkt.“
Distribution-Intensives Screening neuer Marktpotenziale

Finepower: Der Impact durch Corona war bisher gering

29.04.2020- InterviewFinepower konnte durch seine Niederlassung in China bereits Erfahrungen mit Corona sammeln und sei deshalb gut vorbereitet gewesen, sagt Peter Lutter, Geschäftsführer und Marketingleiter. Mit intensivem Markt-Screening und der Entwicklung neuer Produktstrategien will das Unternehmen in spätestens sechs Monaten in den Arbeits-Alltag zurückkehren. mehr...

Die anwendungsspezifisch gestaltbaren Hochleistungskühlkörper der Serie HPK sind speziell auf Applikationen mit größeren Verlustleistungen ausgelegt.
Leistungselektronik-Für Anwendungen mit hohen Verlustleistungen

Fischer Elektronik stellt variabel gestaltbare Hochleistungskühlkörper vor

23.04.2020- ProduktberichtSpeziell für die Wärmeableitung größerer Verlustleistungen bei natürlicher Konvektion stellt Fischer Elektronik die Hochleistungskühlkörper der Serie HPK vor. mehr...

700- und 600-V Hochspannungs-MOSFETs im DFN5×6- und DFN8×8-SMD-Gehäuse.
Leistungselektronik- Optimiert für Stromversorgungssysteme mit hoher Dichte und geringer Bauhöhe

AOS stellt 700- und 600-V-Hochspannungs-MOSFETs vor

09.04.2020- ProduktberichtAlpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) bringt 700- und 600-V-αMOS5-SuperJunction-MOSFET-Familien in DFN5×6- und DFN8×8-SMD-Gehäusen auf den Markt. mehr...

Die Gate-Treiber-Platine CMT-TIT0697 wurde von Cissoid für die direkte Montage auf SiC-MOSFET-Leistungsmodule des Typs CAB450M12XM3 von Wolfspeed entwickelt.
Leistungselektronik-Für die XM3-SiC-Module von Wolfspeed

Cissoid liefert robuste Gate-Treiber für SiC-Leistungsmodule

06.04.2020- ProduktberichtCissoid, Lieferant von Hochtemperatur-Halbleitern, stellt robuste Gate-Treiber für die XM3-SiC-MOSFET-Leistungsmodule von Wolfspeed vor. mehr...

Mit einer zusätzlichen Deglitch-Beschaltung erreichen die Datenkoppler der IL6xx-Serie (CMTI-Varianten) von Hy-Line bis zu 350 kV/µs Transientenfestigkeit
Leistungselektronik-Mit 350 kV/µs Transientenfestigkeit

Hy-Line stellt transientenfeste, isolierende Datenkoppler vor

06.04.2020- ProduktberichtDie besonders transientenfesten Hochgeschwindigkeits-Datenkoppler IL6xx im Vertrieb der Hy-Line Power Components lassen sich zur Kopplung an die High-Side von Halbbrücken-Leistungsschaltkreisen einsetzen. mehr...

Der Treiber-IC TB67H451FNG von Toshiba
Leistungselektronik-Für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren

Toshiba bietet Treiber-IC mit selbstrückstellender Überstromerkennung

03.04.2020- ProduktberichtToshiba erweitert sein Angebot einkanaliger Treiber-ICs für büstenbehaftete Gleichstrommotoren um den Baustein TB67H451FNB. mehr...

Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.
Leistungselektronik-Module mit 700, 1200 und 1700 V

Microchip erweitert Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen

01.04.2020- NewsMicrochip hat sein Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC) um Varianten mit 700, 1200 und 1700 V erweitert, die weniger Wärmeentwicklung verursachen und einen kleineren Footprint haben. mehr...

Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

High-Voltage-Haube
Leistungselektronik-Alles ein Frage der Verbindung

Leistungshalbleiter zum Test richtig kontaktieren

31.03.2020- FachartikelZum Test müssen Leistungshalbleiter mit dem Messgerät verbunden werden. Der Beitrag zeigt Wege zum Verbinden von Bauelementen in verschiedenen Gehäusetypen und geht auch auf die On-Wafer-Charakterisierung ein. mehr...

Die IEEE hat einen strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid vorgestellt
Leistungselektronik-Wegweiser für SiC und GaN

IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor

27.03.2020- NewsImmer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...

900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsfähigkeit und Wirkungsgrad

On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor

26.03.2020- ProduktberichtOn Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...

MOSFET von Infineon
Leistungselektronik-Für robuste Anwendungen

Infineon erweitert Coolsic-MOSFET-Serie um 650-V-Variante

23.03.2020- ProduktberichtInfineon ergänzt sein Siliziumkarbid-Produktportfolio (SiC) um 650-V-Leistungshalbleiter. mehr...

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