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Leistungselektronik

Power-MOSFETs und Gehäusetechnologien

GaN-on-Silicon
Leistungselektronik-Leistungswandler-Anwendungen

STMicroelectronics und CEA-Leti kooperieren zu GaN-on-Silicon

04.10.2018- NewsHalbleiterhersteller STMicroelectronics und das Forschungsinstitut CEA-Leti wollen zur Industrialisierung von Galliumnitrid-on-Silicon-Technologien (GaN-on-Si) für Leistungs-Schaltbausteine zusammenarbeiten. mehr...

Bild 6: Zeitbereichsplot mit Schwinungen.
Aktive Bauelemente-High-Side-Strommessung

Stabilität durch 100-Ω-Widerstand bei MOSFET-Gates

27.09.2018- FachartikelMOSFET-Gates beschaltet man mit einem Widerstand von rund 100 Ω – das ist für viele erfahrene Ingenieure klar. Der genaue Nutzen ist es aber vielleicht nicht. Warum dieser hohe Widerstand Sinn macht oder auch nicht, klärt dieser Beitrag anhand von Beispielen und Simulationen. mehr...

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praezisions-leistungsanalysator
Elektrische Größen-Messungenauigkeit von nur ±0,03 % bei 50/60 Hz

Präzisions-Leistungsanalysator

26.09.2018- ProduktberichtDer Präzisions-Leistungsanalysator WT5000 von Yokogawa erreicht die derzeit weltweit höchste Gesamt-Messgenauigkeit mit einem Fehler von nur ±0,03 % bei 50/60 Hz. mehr...

Bild 2: Power Distribution Unit (PDU)eines Elektrofahrzeugs mit HV-Sicherungen (grün)
Leistungselektronik-Schmelzleiter

Hochvolt-Gleichstromkreise in Elektrofahrzeugen absichern

28.08.2018- FachartikelMit der erhöhten Leistungsdichte von elektrischen Speichern für Elektrofahrzeuge ändern sich auch die Anforderungen an elektrische Schutzkomponenten. Sowohl für die Ladeinfrastruktur als auch für den Einsatz in den Bordsystemen bedarf es deshalb zunehmend stärkerer Sicherungen. mehr...

Bild 1: Block-Diagramm für ein typisches Roboter-System
Leistungselektronik-Power-MOSFETs und Gehäusetechnologien

Herausforderungen beim Antrieb von Service-Robotern

20.08.2018- FachartikelEin ideales Marktumfeld, das auf Marktreife, technologischer Verfügbarkeit und Mehrwert basiert, treibt die Verbreitung von Robotern sowohl im industriellen als auch Consumer-Segment. Parallel dazu haben Halbleiter für Roboter in den letzten Jahren signifikante Weiterentwicklungen erfahren. Neue Leistungshalbleiter ermöglichen zudem effizientere, zuverlässige und mehr-dimensionale Designs für Service-Roboter. mehr...

Two red trucks on highway at sunset
Automotive-Anspruchsvoll bei der Elektrifizierung

Transporter, Busse und LKWs – Leistungshalbleiter im Großfahrzeug

13.08.2018- FachartikelBusse, LKWs und auch kleinere Fahrzeuge für den innerstädtischen Lieferverkehr tragen erheblich zur Umweltbelastung in Großstädten bei. Die Elektrifizierung dieser Fahrzeugklassen ist daher die logische Weiterführung der aktuellen Entwicklungswelle rund um die Elektromobilität. Aber speziell in Sachen Leistungselektronik unterscheiden sich bei Großfahrzeugen die Anforderungen deutlich von denen an einen PKW. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Leiterplattenkühlkörper
Leistungselektronik-Entwärmung von Leistungshalbleitern

Leiterplattenkühlkörper für Einrast-Transistorhaltefedern

31.07.2018- ProduktberichtUm den thermischen Leistungsdaten der heutigen Leiterplatten gerecht zu werden, erweitert Fischer Elektronik sein Produktportfolio um weitere Leiterplattenkühlkörper für 
Einrast-Transistorhaltefedern. mehr...

Evaluierungsboard
Leistungselektronik-Evaluierungsboard

3-Phasen-BLDC-Motortreiber-ICs

30.07.2018- ProduktberichtToshiba stellt ein Evaluierungsboard für seine Treiber-ICs TPD420xF vor, die für bürstenlose 3-Phasen-Gleichstrommotoren (BLDC) vorgesehen sind. mehr...

Treiber-IC
Leistungselektronik-Für bis zu 20 A/60 V

Schrittmotor-Controller/Treiber-IC

09.07.2018- ProduktberichtTrinamic präsentiert den TMC5160 einen Treiber-IC für einachsige Schrittmotoren mit seriellen Kommunikations-Schnittstellen. Er  wurde für bipolare 2-Phasen-Schrittmotoren mit externen MOSFETs für einen Motorstrom von bis zu 20 A pro Spule entwickelt. mehr...

Bild1-P1010832
Leistungselektronik-SiC, GaN, Elektromobilität und mehr

Highlights von der PCIM Europe 2018

04.07.2018- FachartikelErstmals konnte die PCIM Europe in ihrem 40. Jahr mehr als 500 Aussteller anziehen. Mehr als 11.000 Besucher nutzen die Gelegenheit, sich über die aktuellsten Trends und Entwicklungen in der Leistungselektronik zu informieren. 506 ausstellende Unternehmen sowie 88 vertretene Firmen auf einer Fläche von 23.500 Quadratmeter zeigten ihre aktuellsten Produkte auf der PCIM. mehr...

Die X-GaN-Leistungstransistoren von Panasonic ermöglichen den Normal-Aus-Betrieb bei sehr hohen Schaltfrequenzen.
Leistungselektronik-Gate-Injection-Transistoren

X-GaN-Leistungstransistoren mit 600 V Source-Drain-Spannung

29.06.2018- ProduktberichtDie 600-V-X-GaN-Transistoren von Panasonic verbessern die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad von Energieumwandlungssystemen. Sie bewältigen dabei entscheidende technische Herausforderungen, mit denen GaN-Leistungsmodule typischerweise konfrontiert sind. mehr...

Die Misop-IPMs von Mitsubishi Electric verfügen über umfangreiche Schutzfunktionen, wie Kurzschlussschutz, Unterspannungsschutz und Temperaturüberwachung.
Leistungselektronik-Mit umfangreichen Schutzfunktionen

Oberflächenmontierbare Misop-IPMs für Umrichter-Anwendungen

27.06.2018- ProduktberichtDie oberflächenmontierbaren intelligenten Misop-Leistungshalbleitermodule von Mitsubishi Electric ermöglichen dank ihres kompakten Aufbaus und der vereinfachten Lötprozesse die Implementierung kostengünstiger Umrichter. mehr...

Die Volumenproduktion von Cool-GaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten.
Leistungselektronik-Effizienz und weniger Systemkosten

GaN fürs Strommanagement und SiC fürs Auto

27.06.2018- ProduktberichtAuf der PCIM drehte sich am Stand von Infineon alles um GaN und SiC. Noch 2018 soll die Cool-Gan-Serie für den Telekommunikationsbereich sowie das kabellose Laden in die Serienproduktion gehen. Die Cool-SiC-Serie hingegen zielt auf den Automotive Markt ab. mehr...

Zu Exagans strategischen Partnern gehören unter anderem X-FAB Silicon Foundries und das Forschungszentrum CEA-Leti für die 200-mm-GaN-Technologie.
Leistungselektronik-Für kleine und effiziente Wandler

Intelligente GaN-Power-Lösungen für Industrial und Automotive

26.06.2018- ProduktberichtExagan stellte auf der PCIM 2018 die G-FET-Leistungstransistoren und die intelligenten G-Drive-Lösungen mit hohen Schaltfrequenzen vor. G-Drive integriert dabei Treiber und Transistor in einem Gehäuse. mehr...

Trends satt bot die PCIM Europe 2018. Passive Bauelemente, Module, Stromversorgungen, Sensoren, Messtechnik und allem voran: Elektromobilität.
Leistungselektronik-Leistungselektronik-Schau in Bildern

SiC, Elektromobilität und ein Ausstellerrekord – die PCIM 2018

13.06.2018- BildergalerieDie PCIM Europe 2018 legte mit über 500 Ausstellern ein Rekordergebnis vor. Vom 5. bis 7. Juni 2018 konnten sich über 11.000 Besucher über aktuelle Trends und Entwicklungen in der Leistungselektronik informieren. Wie stark dieser Markt von der Elektromobilität angetrieben wird zeigt, dass rund 50 Prozent der Aussteller Produkte für Anwendungen rund um die Fahrzeug-Elektrifizierung ausstellten. Die Redaktion von all-electronics.de hat vor Ort Eindrücke gesammelt. mehr...

Rohm
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Rohm kooperiert zu GaN und baut SiC-Produktionskapazitäten aus

05.06.2018- NewsMehrere Neuigkeiten bei Rohm: Der Leistungshalbleiteranbieter plant zum einen eine Zusammenarbeit mit GaN Systems zur Entwicklung von Galliumnitrid-basierter (GaN) Leistungselektronik. Auf der anderen Seite sollen im japanischen Chikugo die Kapazitäten für die Produktion von SiC-Power-Bauteilen erweitert werden. mehr...

Bild 2: Der typischerweise große Toleranzbereich des Gleichstromwiderstandes (DCR) einer Kupferdrahtinduktivität verursacht ungenaue Schaltschwellen beim Abwärtswandler.
Leistungselektronik-Besser durch temperaturstabile Legierung und Smart-Power-Stage

Eine Alternative zur ungenauen DCR-Stromerfassung

05.06.2018- FachartikelDie DCR-Stromerfassung bei Abwärtswandlern ist simpel und quasi kostenlos, jedoch mit Abstrichen in der Genauigkeit und Effizienz des Wandlers – ein schlechter Kompromiss. Renesas erklärt die Problemsituation dieser einfachen Schaltung und zeigt einen wirkungsvolleren Lösungsansatz auf. mehr...

Modern semiconductor transistors, isolated on white
Leistungselektronik-Verluste minimieren, Durchlassverhalten optimieren

Technologische Fortschritte bei Si-IGBTs im Spannungsbereich bis 1200 V

30.05.2018- FachartikelFortschritte im Herstellungsprozess von Silizium-IGBTs verbessern das Schaltverhalten und verringern die Verluste im Durchlasszustand. Für den Anwender bleibt jedoch die Frage nach dem für eine Anwendung am besten geeigneten Leistungsschalter. Der Beitrag betrachtet diese Frage aus einer technischen Perspektive im Licht aktueller Entwicklungen bei Si-IGBTs mit Fokus auf Sperrspannungen von 600 bis 750 V. mehr...

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