Leistungselektronik

GaN: Kleiner, schneller und leistungsfähiger als Silizium

Der Treiber-IC TB67H451FNG von Toshiba
Leistungselektronik-Für bürstenbehaftete Gleichstrommotoren

Toshiba bietet Treiber-IC mit selbstrückstellender Überstromerkennung

03.04.2020- ProduktberichtToshiba erweitert sein Angebot einkanaliger Treiber-ICs für büstenbehaftete Gleichstrommotoren um den Baustein TB67H451FNB. mehr...

Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.
Leistungselektronik-Module mit 700, 1200 und 1700 V

Microchip erweitert Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen

01.04.2020- NewsMicrochip hat sein Angebot an Siliziumkarbid-Leistungsmodulen (SiC) um Varianten mit 700, 1200 und 1700 V erweitert, die weniger Wärmeentwicklung verursachen und einen kleineren Footprint haben. mehr...

Si-Leistungs-MOSFETs und SiC-MOSFETs weisen eine vertikale Struktur auf, GaN-HEMTs eine laterale.
Leistungselektronik-Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

01.04.2020- FachartikelDamit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen –  manchmal ist Si auch die bessere Wahl. mehr...

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.
Leistungselektronik-Für Elektrofahrzeuge, Datenzentren und Solaranwendungen

Cree stellt Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650 V vor

31.03.2020- ProduktberichtCree erweitert sein Angebot an MOSFETs auf Sililziumkarbid-Basis (SiC) um eine Variante für 650 V. Zum Einsatz kommt das Bauelement in Elektrofahrzeugen, Datenzentren und Solaranwendungen. mehr...

High-Voltage-Haube
Leistungselektronik-Alles ein Frage der Verbindung

Leistungshalbleiter zum Test richtig kontaktieren

31.03.2020- FachartikelZum Test müssen Leistungshalbleiter mit dem Messgerät verbunden werden. Der Beitrag zeigt Wege zum Verbinden von Bauelementen in verschiedenen Gehäusetypen und geht auch auf die On-Wafer-Charakterisierung ein. mehr...

Die IEEE hat einen strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter wie Siliziumkarbid und Galliumnitrid vorgestellt
Leistungselektronik-Wegweiser für SiC und GaN

IEEE stellt strategische Roadmap für Wide-Bandgap-Halbleiter vor

27.03.2020- NewsImmer mehr Wide-Bandgap-Bauelemente basierend auf Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) kommen in der Leistungselektronik zum Einsatz. Die IEEE hat nun eine Roadmap für die Technologie vorgestellt. mehr...

900- und 1200-V-SiC-MOSFETs von On Semiconductor
Leistungselektronik-SiC-MOSFETs erhöhen Leistungsfähigkeit und Wirkungsgrad

On Semiconductor stellt neue 900- und 1200-V-SiC-MOSFETs vor

26.03.2020- ProduktberichtOn Semiconductor bringt zwei neue Serien von SiC-MOSFETs auf den Markt. Diese Bausteine bieten geringere Verluste, höhere Betriebstemperaturen, schnelleres Schalten, verbesserte EMI und sind zuverlässiger. mehr...

MOSFET von Infineon
Leistungselektronik-Für robuste Anwendungen

Infineon erweitert Coolsic-MOSFET-Serie um 650-V-Variante

23.03.2020- ProduktberichtInfineon ergänzt sein Siliziumkarbid-Produktportfolio (SiC) um 650-V-Leistungshalbleiter. mehr...

Eine monolithische GaN-Leistungsstufe
Leistungselektronik-GaN: Kleiner, schneller und leistungsfähiger als Silizium

48 V, Lidar, Motorsteuerung: GaN erobert leistungshungrige Anwendungen

23.03.2020- FachartikelEntwickler evaluieren den Einsatz von GaN-Bauteilen in kostensensitiven Anwendungen wie Stromversorgungen oder im Automotive-Bereich. Denn in einer starken Wertschöpfungskette konnten die Produktionskosten für den Wide-Bandgap-Halbleiter gesenkt werden. mehr...

Bild 4: Die sehr schwierig im Extrusionsverfahren herstellbaren Miniaturlüfteraggregate bestehen aus einem als Rohr ausgeformten Basisprofil mit innenliegenden Rippen.
Leistungselektronik-Empfindliche Halbleiter vor Übertemperatur schützen

Wie Lüfteraggregate elektronische Baugruppen aktiv entwärmen

18.03.2020- FachartikelEffiziente Entwärmungsmethoden für einzelne elektronische Bauteile oder eine komplette Funktionsbaugruppe bestimmen im Wesentlichen deren Zuverlässigkeit und Lebensdauer. Mit weiterer Miniaturisierung bei steigender Leistungsdichte elektronischer Bauelemente entstehen erhebliche Verlustleistungen mit einem entsprechend hohen Wärmeaufkommen. mehr...

Bridge-Switch-IC von Power Integrations
Leistungselektronik-Hochspannungs-Halbbrücken-Motortreiber

Power Integrations erweitert Bridge-Switch-Familie auf 400 W

16.03.2020- ProduktberichtDie 400-W-Bridge-Switch-ICs BRD1167 und BRD1267 erweitern die Familie integrierter Halbbrücken-Motortreiber von Power Integrations auf 400 W. mehr...

Die Messe PCIM wird in den Juli verschoben
Leistungselektronik-Messe und Kongress

Corona: Auch die PCIM ist verschoben

13.03.2020- NewsDer Messeveranstalter Mesago hat die Messe PCIM sowie den angeschlossenen Kongress auf später im Jahr verschoben. Der Termin steht bereits fest. mehr...

Das G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und MOSFET-Relaistechnologie zugunsten einer Schaltlösung für Testgeräte.
Leiterplattenfertigung-Für maximale Testgenauigkeit

MOSFET-Relais von Omron minimiert Leckstrom

11.03.2020- ProduktberichtDas Mosfet-Relaismodul G3VM-21MT kombiniert die Vorteile der mechanischen und Mosfet-Relaistechnologie zu einer Schaltlösung für Testgeräte. mehr...

Anwendungsgebiete für kabelloses Laden wie Automotive- und mobile Anwendungen.
Leistungselektronik-Sichere kabellose Stromversorgung

Komplett-Lösungen von Infineon laden Industrieanwendungen kabellos

19.02.2020- FachartikelKabelloses Laden bietet eine Reihe an Vorteilen. Allerdings bringt die Technologie auch einige Herausforderungen für Entwickler mit sich. Infineon bietet in Zusammenarbeit mit Spark Connected Komplettlösungen für das kabellose Laden. mehr...

Mikrochips auf schwarzem Hintergrund mit anwendungsbezogenen Piktogrammen
Leistungselektronik-Für lange Betriebszeiten

Power-Management-IC von Rohm für NXPs I.MX-8M-Prozessoren

12.02.2020- ProduktberichtRohm bietet mit dem BD71850MWV einen hochintegrierten Power-Management-IC für die I.MX-8M-Nano-Applikationsprozessoren von NXP an. mehr...

Wireless Charging eines Smartphones
Leistungselektronik-Wireless Charging

Macnica offeriert 5-W-Drahtlos-Leistungsempfänger

10.02.2020- ProduktberichtMit dem Drahtlosempfänger KTE7000 von Kinetic Technologies erweitert Macnica sein Produktportfolio im Bereich Wireless Charging. mehr...

Prof. Leo Lorenz von Infineon
Leistungselektronik-Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

Wo die Probleme beim Langzeiteinsatz von SiC und GaN liegen

10.02.2020- NewsWide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN bieten viele Vorteile im E-Auto, dennoch ist die Branche äußerst zurückhaltend bei ihrem Einsatz. Prof. Leo Lorenz von Infineon erklärt, wo das wirkliche Problem beim Langzeiteinsatz liegt. mehr...

Auch 2020 stehen Wide-Bandgap-Halbleiter, Energiespeicher und die Elektromobilität im Zentrum der PCIM
Leistungselektronik-Schwerpunkte der Leistungselektronikmesse 2020

PCIM legt Fokus auf Elektromobilität, Batterien und WBG-Halbleiter

10.02.2020- News2020 zählen Batterien für Elektrofahrzeuge und stationäre Energiespeicher, Wide-Bandgap-Halbleiter sowie 3D-druckbare Komponenten zu den Schwerpunkten der Leistungselektronik-Fachmesse PCIM und der begleitenden Konferenz in Nürnberg (5. bis 7. Mai). mehr...

2ED-Compact-DSO-8 von Infineon
Leistungselektronik-Für 650-V-Halbbrücken

Infineon offeriert SOI-Treiberfamilien mit integrierten Bootstrap-Dioden

31.01.2020- ProduktberichtInfineon erweitert sein Eice-Driver-Portfolio um 650-V-Halbbrückentreiber, die auf der Silicon-on-Insulator-Technologie (SOI) des Unternehmens basieren. mehr...

SiC-FETs
Leistungselektronik-Leistungsverluste minimieren

United-SiC entwickelt SiC-FETs mit einem RDS(on) unter 10 Milliohm

11.12.2019- ProduktberichtUnited-SiC stellt vier neue SiC-FETs (Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren) mit RDS(on)-Werten bis zu einem Minimum von 7 Milliohm vor. mehr...

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