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Leistungselektronik

Der C-Cap Kondensator von Celem
Leistungselektronik-Leistungsdichte bis 2000 kVAr

Leistungskondensatoren laufen kühl

01.08.2019- ProduktberichtIn den koaxial aufgebauten wassergekühlten C-Cap Kondensatoren von Celem (Vertrieb: Eurocomp) kompensieren sich entstehende elektromagnetische Felder, was die Verlustleistung wesentlich reduziert sowie die Leistungsdichte erhöht - so werden mehr kVAr pro Volumen erreicht. mehr...

Die Speerwandler der Innoswitch3-Familie von Power Integrations eignen sich etwa für USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen sowie für Netzadapter für mobile Geräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte.
Leistungselektronik-Hohe Leistung und Energieeffizient

Wandler-ICs in Galliumnitrid-Technologie von Power Integrations

30.07.2019- ProduktberichtPower Integrations erweitert seine Innoswitch3-Familie an Offline-CV/CC-Sperrwandler-ICs. mehr...

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Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs.
Leistungselektronik-Dank neuem Package

LFPAK-MOSFETs von Nexperia erzielen bis zu 48-fache Leistungsdichte

03.07.2019- ProduktberichtNexperia bringt ein neues Package aus seiner MOSFET- und LFPAK-Produktfamilie auf den Markt, das in Kombination mit Siliziumtechnik-40-V-MOSFETs einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ ermöglicht. mehr...

In Fahrerassistenzsystemen soll der L5965 die Zuverlässigkeit und Qualität verbessern.
Leistungselektronik-Einsatz direkt am Bordnetz

PMIC von ST Microelectronics hilft bei Bildverarbeitung

01.07.2019- ProduktberichtEin programmierbarer Power-Management-Baustein von ST Microelectronics spart Platz und soll die Zuverlässigkeit von Fahrassistenzsystemen verbessern. mehr...

Um Fehler und Ausfälle zu vermeiden, nutzt der BD39040MUF-C eine proprietäre Schaltungstechnik, mit der er mögliche Fehler im Vorfeld erkennen kann.
Leistungselektronik-Mit integrierter Selbstdiagnosefunktion

Rohm: Power-Supply-Monitoring-IC unterstützt funktionale Sicherheit

28.06.2019- NewsDer BD39040MUF-C ist der erste Power-Supply-Monitoring-IC von Rohm mit Selbstdiagnose- und zusätzlichen Funktionen, weshalb er sich als mögliche Lösung für funktionale Sicherheitssysteme für ADAS und automatisiertes Fahren anbietet. mehr...

PCIM_lr
Leistungselektronik-Trend zu All-in-One-Lösungen

Bildergalerie von der PCIM Europe 2019

09.05.2019- BildergalerieAuf der PCIM Europe geht es nicht mehr primär um die Bauelemente, sondern um Architekturen und Designs, die die Vorteile der Bauelemente auch wirklich ausreizen. Unsere umfangreiche Bildergalerie bietet einen Überblick. mehr...

Auch für Anwendungen im Automobilbereich geeignet: 1200-V-Schottky-Diode von Mitsubishi Electric auf Basis der SIC-Technologie.
Leistungselektronik-Für das Laden in der E-Mobilität

Mitsubishi Electric erweitert Angebot um 1200-V-Schottky-Dioden

07.05.2019- FachartikelIm Rahmen der PCIM 2019 kündigte der Halbleiterhersteller die Produkteinführung von Schottky-Dioden (1200 V) auf Basis der Siliziumcarbid-Technologie an. mehr...

ST Microelectronics IGBTs erhöhen die Effizienz der Induktionserwärmung in Haushaltsgeräten.
Leistungselektronik-Optimiert für Soft Switching

Mit IGBT von ST Microelectronics bessere Energiewerte erzielen

20.04.2019- ProduktberichtOptimiert für hohe Leitungs- und Schaltleistung in Soft-Switching-Schaltungen erhöhen die 650-V-IGBTs ST-POWER-Familie von ST Microelectronics die Energieeffizienz von Resonanzwandlern. mehr...

Die Thermosicherung RTS gibt es jetzt auch als Variante mit Shunt.
Leistungselektronik-Übertemperaturschutz für Leistungshalbleiter

Schurter offeriert die Thermosicherung RTS nun auch mit Shunt

11.04.2019- ProduktberichtDie Thermosicherung RTS von Schurter gibt es nun auch in einer Variante mit Shunt. Beim RTS handelt es sich um einen kompakten Übertemperaturschutz für Leistungshalbleiter in SMD-Technologie. mehr...

Elektro-Mobilität
Leistungselektronik-Hochspannungs-Bauelemente in Elektrofahrzeugen

E-Fahrzeuge: Netzwerkwiderstände dienen als Hochspannungsteiler

03.04.2019- FachartikelMit der steigenden Nachfrage nach Elektrofahrzeugen steigt auch der Bedarf an Präzisions-Hochspannungswiderständen für Spannungsteiler. Die RM-Serie von Susumu könnte hierfür eine geeignete Wahl sein. mehr...

Bild 4: LTC7150S Schaltplan (links) und Wärmebild (rechts) für 5-V-Eingang bis 0,85-V-/20-A-Ausgang mit fSW = 2MHz.
Leistungselektronik-Den Anforderungen gewachsen

Wie Abwärtswandler System-on-Chip-Lösungen unterstützen

01.04.2019- FachartikelKompakt, leistungsstark, gute EMV-Eigenschaften – die Anforderungen an System-on-Chip-Lösungen in IoT-Anwendungen sind enorm. Monolithische Abwärtswandler leisten Abhilfe und decken den Leistungsbedarf dieser Lösungen. mehr...

Mit der PI358x-Serie an 48-V-ZVS-Buck-Reglern von Vicor ist eine direkte Umsetzung von 48 V auf die Lastspannung ohne Performance-Einbußen möglich.
Leistungselektronik-Für Ausgangsströme bis zu 10 A

GQFN-Gehäuseoption für Vicors 48-V-Buck-Regler senkt Kosten

01.04.2019- ProduktberichtDie Serie PI358x, die aktuelle Erweiterung des 48-V-ZVS-Buck-Regler-Portfolios von Vicor, ermöglicht eine direkte Umsetzung von 48 V auf die Lastspannung ohne Einbußen bei der Performance. mehr...

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.
Leistungselektronik-Robuste Bausteine

SiC-MOSFETs von On eignen sich für Industrie sowie Automotive

01.04.2019- ProduktberichtMit der Ankündigung der beiden SiC-MOSFETs will On Semiconductor sein wachsendes SiC-Ökosystem stärken, das daneben SiC-Dioden und -Treibern Ressourcen wie Simulationswerkzeuge umfasst. mehr...

Reliability on Chrome Carabine with White Ropes.
Leistungselektronik-Vier-Phasen-Plan zur Qualifikation von GaN-Leistungstransistoren

Halbleiterindustrie nutzt verstärkt GaN-on-Si-HEMT-Technologie

29.03.2019- FachartikelAnwender setzen verstärkt Leistungsbauelemente ein, die auf Halbleitern mit großem Bandabstand basieren: Die GaN-on-Si-HEMT-Technologie bietet Vorteile beim Wirkungsgrad sowie geringere Gesamtbetriebskosten. mehr...

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Leistungselektronik-Cognitive Power Electronics 4.0

So könnten leistungselektronische Schaltungen entscheiden

29.03.2019- FachartikelLeistungselektronische Wandler erfassen Kenngrößen wie Strom, Spannung und deren Veränderung. Die Schaltungen könnten den Gesamtsystem-Zustand ermitteln und intelligente Entscheidungen treffen. mehr...

Bild 5: Scale-I-Driver für 1700 V IGBTs.
Leistungselektronik-Leistungselektronik

Vor- und Nachteile diskreter Gate-Treiber und von Fertiglösungen

27.03.2019- FachartikelSind Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren, die Kreuzung aus MOSFET und Bipolar-Transistor, unkomplizierte steuerbare Leistungsbauteile? Nicht ganz, denn es geht um Leistung. Hohe Zuverlässigkeit wird nur mit dem richtigen Know-how erreicht. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Vom Standard-Umrichter zum Spezialisten für Krananwendungen oder Wickelapplikationen per Software-Update.
Industrie 4.0-Frequenzumrichter als Chamäleon

Mitsubishi spielt Frequenzumrichter-Funktionen per Update auf

20.03.2019- FachartikelWer denkt, bei Frequenzumrichtern gebe es abgesehen von Leistungs- und Spannungsbereichen nichts mehr zu verbessern, liegt falsch. Mit interessanten Features für Kran- und Wickelapplikationen tritt Mitsubishi Electric den Gegenbeweis an. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Heraeus und Toshiba Materials verständigt. Beide wollen künftig gemeinsam metallkeramische Substrate aus Siliziumnitrid (Si3N4) entwickeln und produzieren.
Leistungselektronik-Leistungselektronikmaterialien für Hybrid- und Elektroautos

Heraeus Electronics und Toshiba Materials kooperieren bei Siliziumnitrid-Keramiksubstraten

20.02.2019- NewsNeue Leistungselektronik für anspruchsvollen Einsatz in Hybrid- und Elektrofahrzeugen zur Verfügung zu stellen, darauf haben sich Heraeus Electronics und Toshiba Materials verständigt. Beide wollen künftig gemeinsam metallkeramische Substrate aus Siliziumnitrid (Si3N4) entwickeln und produzieren. mehr...

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