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Leistungselektronik

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Während Bordladegeräte mit Wechselstrom laden, bieten die leistungsstärkeren Ladestationen auch das Gleichstromladen an.
Leistungselektronik-Elektrofahrzeuge effizenter und schneller aufladen

Konzepte und Bausteine für Ladestationen und Onboard-Charger

06.12.2018- Application NoteDamit das Zusammenwirken der straßenseitigen Ladestationen (EVSE) mit den Onboard-Ladegeräte (OBC) in Fahrzeugen reibungslos funktioniert, unterstützt Texas Instruments (TI) Entwickler mit einem Applikationspapier über Anforderungen, Schaltungsarchitekturen und Halbleiterprodukte für Ladesysteme. mehr...

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Topilogie eines 3-Phasen-Traktionsinverters.
Automotive-Ein Fall für effiziente und wärmetolerante Wide-Bandgap-Halbleiter

Neue SiC-Hochspannungskomponenten für Elektrofahrzeuge

06.12.2018- Application NoteIn einem Whitepaper diskutiert TI die Vorteile von SiC-Breitbandhalbleitern in den zwei Subsystemen Onboard-Ladegerät (OBC) und Traktionswechselrichter. mehr...

Bild 1a: Prinzipaufbau des 22 mOhm-Schalters.
Leistungselektronik-Selbstsperrende Kaskode

GaN-Schaltbaustein mit Positiv-Logik vereinfacht die Ansteuerung

05.12.2018- FachartikelEinzelne GaN-HEMTs sind unbeschaltet selbstleitend und umständlich anzusteuern. Visic entwickelte daraus einen intergrierten Schaltbaustein mit funktionaler Sicherheit, der in Positiv-Logik arbeitet und dadurch die Ansteuerung vereinfacht. Der Beitrag erläutert die Besonderheiten und Vorteile dieser GaN-Leistungsschalter. mehr...

PI Automotive PR Pic_V2_May 18
Leistungselektronik-Leistungselektronik im E-Fahrzeug

Isolierte Treiber für Schaltanwendungen der Elektromobilität

04.12.2018- FachartikelLeistungselektronik-Komponenten im Automobilbereich erfordern eine hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistungen beim Laden verlangen einen hohen Wirkungsgrad im gesamten Antriebsstrang. Der Beitrag beschreibt, was optimierte SiC-, MOSFET- und IGBT-Treiber sowie robuste Kommunikationstechnologien leisten können, um die Systemlebensdauer zu verlängern. mehr...

Servoregler-IC
Leistungselektronik-BLDC, PMSM, Schrittmotoren und DC-Motoren

Servoregler-IC mit feldorientierter Regelung

12.11.2018- ProduktberichtDer von Trinamic (Vertrieb: MEV) vorgestellte TMC4671 adressiert alle notwendigen Regelschleifen in erprobten und verlässlichen State-Machines realisiert. Damit werden der Mikrocontroller und dessen Software von allen zeitkritischen Aufgaben entlastet. mehr...

Das Treiber-IC TB67H401FTG von Toshiba unterstützt vier Antriebsmodi.
Leistungselektronik-Strombegrenzungssignal ermöglicht Regelung

Treiber-IC mit Strombegrenzungserkennung

02.11.2018- ProduktberichtToshiba stellt ein Dual-H-Brücken-Treiber-IC für bürstenbehaftete DC-Motoren, das eine Ausgangsstrombegrenzung mit 50 V/3 A bietet. Der Treiber eignet sich für alle Anwendungen, bei denen eine Überwachung und Rückmeldung des Motorzustands erforderlich ist. mehr...

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.
Leistungselektronik-Für EV, HEVs, Datencenter und Stromversorgungen

SiC-MOSFET für effiziente Hochfrequenzanwendungen

30.10.2018- ProduktberichtLittelfuse stellt mit dem LSIC1MO170E1000 einen SiC-MOSFET mit 1700 V und 1 Ω vor, der das Portfolio an 1200-SiC-MOSFETs und Schottky-Dioden ergänzt. mehr...

Rohm Semiconductor präsentiert am Stand die aktuellsten SiC-Powermodule für Automotive- und Industrieanwendungen und sein Engagement für die Formel E.
Leistungselektronik-Für Automotive und Industrial

Full-SiC-Powermodule und Gate-Driver-ICs

30.10.2018- ProduktberichtRohm Semiconductor präsentiert Lösungen für das Power- und Energiemanagement im Automotive- und Industriebereich und zeigt sein Engagement in der elektrischen Rennserie Formel E. mehr...

Vishay ist mit zwei Ständen und mit Komponenten zu den Themen Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Industrie 4.0 auf der Messe vertreten.
Leistungselektronik-Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Industrie 4.0

Kundenspezifische Komponenten für Industrial und Automotive

24.10.2018- ProduktberichtVishay zeigt an seinen zwei Ständen kundenspezifische Bauteile, die für den Einsatz in verschiedenen Märkten wie Automatisierung, Elektrifizierung, IoT und Connectivity sowie Industrie 4.0 konzipiert sind. mehr...

Die MOSFETs sind geeignet für Hot-Swap-, Softstart- und E-Fuse-Anwendungen.
Leistungselektronik-Leistungsoptimierung für Safe-Operating-Areas

MOSFETs mit niedrigerem RDS(on) für Hot-Swap-Designs

24.10.2018- ProduktberichtNexperia ergänzt seine Next-Power-Live-Linear-Mode-Produktlinie um den MOSFET PSMN3R7-100BSE. mehr...

GaN-on-Silicon
Leistungselektronik-Leistungswandler-Anwendungen

STMicroelectronics und CEA-Leti kooperieren zu GaN-on-Silicon

04.10.2018- NewsHalbleiterhersteller STMicroelectronics und das Forschungsinstitut CEA-Leti wollen zur Industrialisierung von Galliumnitrid-on-Silicon-Technologien (GaN-on-Si) für Leistungs-Schaltbausteine zusammenarbeiten. mehr...

Bild 6: Zeitbereichsplot mit Schwinungen.
Aktive Bauelemente-High-Side-Strommessung

Stabilität durch 100-Ω-Widerstand bei MOSFET-Gates

27.09.2018- FachartikelMOSFET-Gates beschaltet man mit einem Widerstand von rund 100 Ω – das ist für viele erfahrene Ingenieure klar. Der genaue Nutzen ist es aber vielleicht nicht. Warum dieser hohe Widerstand Sinn macht oder auch nicht, klärt dieser Beitrag anhand von Beispielen und Simulationen. mehr...

praezisions-leistungsanalysator
Elektrische Größen-Messungenauigkeit von nur ±0,03 % bei 50/60 Hz

Präzisions-Leistungsanalysator

26.09.2018- ProduktberichtDer Präzisions-Leistungsanalysator WT5000 von Yokogawa erreicht die derzeit weltweit höchste Gesamt-Messgenauigkeit mit einem Fehler von nur ±0,03 % bei 50/60 Hz. mehr...

Bild 2: Power Distribution Unit (PDU)eines Elektrofahrzeugs mit HV-Sicherungen (grün)
Leistungselektronik-Schmelzleiter

Hochvolt-Gleichstromkreise in Elektrofahrzeugen absichern

28.08.2018- FachartikelMit der erhöhten Leistungsdichte von elektrischen Speichern für Elektrofahrzeuge ändern sich auch die Anforderungen an elektrische Schutzkomponenten. Sowohl für die Ladeinfrastruktur als auch für den Einsatz in den Bordsystemen bedarf es deshalb zunehmend stärkerer Sicherungen. mehr...

Bild 1: Block-Diagramm für ein typisches Roboter-System
Leistungselektronik-Power-MOSFETs und Gehäusetechnologien

Herausforderungen beim Antrieb von Service-Robotern

20.08.2018- FachartikelEin ideales Marktumfeld, das auf Marktreife, technologischer Verfügbarkeit und Mehrwert basiert, treibt die Verbreitung von Robotern sowohl im industriellen als auch Consumer-Segment. Parallel dazu haben Halbleiter für Roboter in den letzten Jahren signifikante Weiterentwicklungen erfahren. Neue Leistungshalbleiter ermöglichen zudem effizientere, zuverlässige und mehr-dimensionale Designs für Service-Roboter. mehr...

Two red trucks on highway at sunset
Automotive-Anspruchsvoll bei der Elektrifizierung

Transporter, Busse und LKWs – Leistungshalbleiter im Großfahrzeug

13.08.2018- FachartikelBusse, LKWs und auch kleinere Fahrzeuge für den innerstädtischen Lieferverkehr tragen erheblich zur Umweltbelastung in Großstädten bei. Die Elektrifizierung dieser Fahrzeugklassen ist daher die logische Weiterführung der aktuellen Entwicklungswelle rund um die Elektromobilität. Aber speziell in Sachen Leistungselektronik unterscheiden sich bei Großfahrzeugen die Anforderungen deutlich von denen an einen PKW. mehr...

Bild 1: SiC-JFET mit vertikaler Trench-Zelle, der im Vergleich zu einer lateralen GaN-HEMT-Zelle (High Electron Mobility Transistor) einen sehr geringen Durchlasswiderstand aufweist.
Leistungselektronik-Ein starkes Gespann in der Leistungselektronik

Kaskodenbausteine aus Si-MOSFET und SiC-JFET

09.08.2018- FachartikelWenn die physikalischen Eigenschaften einzelner Halbleiterwerkstoffe den schaltungstechnischen Anforderungen nicht genügen, kann eine Kombination wie die Kaskode aus Si-MOSFET und SiC-JFET die optimale Lösung für Hochleistungsanwendungen sein. United SiC erörtert die Problemsituation und stellt einen passenden Kaskodenbaustein vor. mehr...

Bild 4: Treiberkonzept mit De-Sat-Überwachung. Für einen ströungsfreien Betrieb ist es hier notwendig, die Schaltflanke "auszublenden".
Leistungselektronik-Den Kurzschlussfall beherrschen

Gatetreiber für die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs auslegen

09.08.2018- FachartikelVerbesserte Materialeigenschaften von SiC-Leistungshalbleitern lassen sich vorteilhaft nutzen um die Geräteleistung zu steigern und durch Optimierungsmöglichkeiten im Gerätedesign die Systemkosten zu reduzieren. Doch bislang stand die Kurzschlussfestigkeit von SiC-MOSFETs in Frage. Aktuelle Untersuchungen zeigen, dass derzeitige Lösungen mit entsprechenden Gatetreibern eine ausreichende Robustheit zur Verfügung stellen. mehr...

Leiterplattenkühlkörper
Leistungselektronik-Entwärmung von Leistungshalbleitern

Leiterplattenkühlkörper für Einrast-Transistorhaltefedern

31.07.2018- ProduktberichtUm den thermischen Leistungsdaten der heutigen Leiterplatten gerecht zu werden, erweitert Fischer Elektronik sein Produktportfolio um weitere Leiterplattenkühlkörper für 
Einrast-Transistorhaltefedern. mehr...

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