Leistungselektronik

Mehr als hohe Schaltfrequenzen

Supercaps als Kurzzeit-Energiespeicher im Stromnetz
Leistungselektronik-Ungleichmäßige Netzeinspeisung besser ausgleichen

Superkondensatoren stabilisieren die dezentrale Stromerzeugung

02.12.2019- Application NoteDezentrale Energieerzeugung wie auch erneuerbare Energiequellen im Mikrogitter sind nicht die zuverlässigsten und verursachen zeitweilige Instabilitäten im Stromnetz. Auch können viele Energiespeichertechnologien von einem zusätzlichen Kurzzeitenergiespeicher mit hoher Leistungsdichte und Zuverlässigkeit profitieren. mehr...

GaN-Ausfallanalyse
Leistungselektronik-Vertrauen in neue Leistungshalbleitertechnologien

Zuverlässigkeit von GaN-Hochspannungs-Schalttransistoren

02.12.2019- Application NoteDie Markteinführung neuer Leistungshalbleitertechnologien bedeutet für einen Hersteller von Leistungselektronikgeräten großes Vertrauen in zuverlässig funktionierende neue Halbleiter. mehr...

Omicron_ERS2
Labormesstechnik-Ursachen für Alterung von MTFCs identifizieren

Omicron: ESR-Messung von PFC-Kondensatoren

29.11.2019- Application NoteIn Leistungselektronik-Schaltanwendungen mit hoher Verfügbarkeit und Genauigkeit liefert der ESR von Speicherkondensatoren ein wertvolles Alarmsignal und vermeidet somit ungeahnte Ausfälle und Schäden. mehr...

650-V-GaN-FET GAN063-650WSA
Leistungselektronik-Robuster und skalierbarer Prozess

Nexperia stellt GaN-FET mit hohem Wirkungsgrad vor

27.11.2019- ProduktberichtNexperia stellt den 650-V-GaN-FET GAN063-650WSA vor, ein robustes Bauelement mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 V. mehr...

Topstory
Leistungselektronik-Mehr als hohe Schaltfrequenzen

Das sind die Einsatzgebiete von Cool-SiC-MOSFETs

26.11.2019- FachartikelViele Anwender bringen Cool-SiC-MOSFETs tendenziell mit hohen Schaltfrequenzen in Verbindung. Tatsächlich ist die Palette möglicher Einsatzgebiete für die Technologie jedoch viel breiter. mehr...

Das BAMFIT-Verfahren für die Drahtbonderfamilie 56XX einsatztauglich adaptiert: Dabei wird der BAMFIT-Testkopf einfach gegen einen Bondkopf ausgetauscht. F&S Bondtec
Baugruppenfertigung-Lebensdauertests an Dickdraht-Bonds

Bond-Tester von F&S Bondtec mit automatisiertem Schnelltest

08.11.2019- ProduktberichtDer Bamfit-Tester (Bond Accelerated Mechanical Fatigue Interconnect Test) von F&S Bondtec Semiconductor führt beschleunigte, voll automatisierte Lebensdauertests an Dickdraht-Bonds in Leistungshalbleitern durch. mehr...

Mit SiC-MOSFETs kann die Energieeffizienz von Antrieben gesteigert werden
Leistungselektronik-Energieeffizienz industrieller Antriebe mit SiC-MOSFETs steigern

Wechselrichter: Leistungsvergleich von Si-IGBT und SiC-MOSFET

07.11.2019- FachartikelDie Energieeffizienz von industriellen Antrieben hat einen hohen Stellenwert. Halbleiterhersteller versuchen deshalb, die Leistungsfähigkeit der Leistungsbausteine in den Umrichterstufen zu steigern. Eine Lösung sind SiC-MOSFETs. mehr...

digitale Mehrphasenregler versorgen Cloud mit Strom
Leistungselektronik-Power für die Cloud

Digitale Mehrphasenregler versorgen die Cloud mit Strom

06.11.2019- FachartikelAufgrund des IoT hat die Zahl der Rechenzentren in den vergangenen Jahren zugenommen. Die Hardware stößt aber zunehmend an ihre Grenzen. Synthetische Stromregelung versucht, dem mit digitaler Stromregelung entgegenzuwirken. mehr...

SiC bietet im Vergleich zu Silizium eine höhere elektrische Leitfähigkeit und ermöglicht so höhere Schaltgeschwindigkeiten in der Leistungselektronik.
Automotive-Geringeres Gewicht, mehr Effizienz

E-Mobilität: SiC-Halbleiter von Bosch erhöhen die Reichweite

07.10.2019- NewsIn seinem Werk in Reutlingen fertigt Bosch nun auch ICs auf Basis des Wide-Bandgap-Halbleiters Siliziumkarbid (SiC). Das Material bringt bei Schaltgeschwindigkeit, Wärmeverlusten und Baugröße viele Vorteile in der Elektromobilität. mehr...

Bild 2: Anwendungsschaltung für den IPS4260L zur Ansteuerung von Verbrauchern von sehr großer Induktivität mit schneller Entmagnetisierung
Leistungselektronik-Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung programmierbar

Low Side Intelligent Power Switch mit geringem Durchgangswiderstand

13.09.2019- FachartikelThema ist ein vierkanaliger Low Side Intelligent Power Switch, der dafür konzipiert ist, die Gesamtleistungsaufnahme zu reduzieren. Bemerkenswert sind der geringe minimale Durchgangswiderstand pro Kanal sowie die Programmierbarkeit von Ausgangsstrombegrenzung und Abschaltverzögerung. mehr...

Die MOSFETs der RV4xxx-Serie ermöglichen stärkere Miniaturisierung.
Leistungselektronik-Miniaturisierung in Automobilanwendungen

Rohm bietet kompakte automotive-taugliche MOSFETs

04.09.2019- ProduktberichtDie neue RV4xxx-Serie ermöglicht eine stärkere Miniaturisierung in Automobilanwendungen wie ADAS-Kameramodule. mehr...

Bild 3: Der kritische Gate-Widerstand für das parasitäre Einschalten wird als der Wert definiert, der einen Anstieg von 10 Prozent für Q*rr im Vergleich zum Referenz-Signalverlauf mit 0 Ω liefert.
Leistungselektronik-Vereinfachtes Gatetreiber-Design

Cool-SiC-MOSFETs: Ist parasitäres Einschalten ein Schwachpunkt?

03.09.2019- FachartikelDas von der Miller-Kapazität verursachte parasitäre Einschalten wird oftmals als Schwachpunkt heutiger Siliziumkarbid-MOSFETs angesehen. Ist das auch für Cool-SiC-MOSFETs der Fall? mehr...

Bild 5: Wärmebild des LTM4700 im Normalbetrieb. Das 100-A-µModule bringt es auf einen Wirkungsgrad von 89,6 Prozent.
Leistungselektronik-Immer kleiner, aber bitte mit mehr Leistung

Der lange Weg zum 100-A-µModule-Regler

26.08.2019- FachartikelµModule-Regler sollen als vollständige Stromversorgung agieren, die mit allen Leistungskriterien sofort in der Endanwendung einsatzfähig ist. Design und Leistungsfähigkeit verbesserten sich in den vergangenen Jahren deutlich. mehr...

Bild 2: Querschnitt eines SiC-MOSFETs.
Leistungselektronik-Das Wide-Bandgap-Ökosystem

Wide-Bandgap-Halbleiter erfordern disruptive Simulationsumgebungen

20.08.2019- FachartikelWide-Bandgap-Halbleiter sind herkömmlichen Siliziumhalbleitern in vielerlei Hinsicht überlegen, weshalb die Nachfrage steigt. Dabei ist die Modellierung solcher Halbleiter anspruchsvoll und nicht jede Entwicklungsumgebung liefert zuverlässige Ergebnisse. mehr...

Die ICs sind vorgesehen für Sperrwandlerschaltungen wie etwa in USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen/Netzadaptern für mobile Geräte, Set-Top-Boxen, Bildschirme, Haushaltsgeräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte.
Leistungselektronik-Für höhere Leistung und Energieeffizienz

GaN-Technologie ermöglicht höhere Leistung und Energieeffizienz

20.08.2019- ProduktberichtPower Integrations hat seine Innoswitch3-Familie von Offline-CV/CC-Sperrwandler-ICs erweitert. Die neuen ICs erreichen einen Wirkungsgrad von bis zu 95 Prozent über den vollen Lastbereich und ermöglichen Netzadapter in geschlossener Bauweise mit Ausgangsleistungen bis 100 W, die keinen Kühlkörper erfordern. mehr...

Der C-Cap Kondensator von Celem
Leistungselektronik-Leistungsdichte bis 2000 kVAr

Leistungskondensatoren laufen kühl

01.08.2019- ProduktberichtIn den koaxial aufgebauten wassergekühlten C-Cap Kondensatoren von Celem (Vertrieb: Eurocomp) kompensieren sich entstehende elektromagnetische Felder, was die Verlustleistung wesentlich reduziert sowie die Leistungsdichte erhöht - so werden mehr kVAr pro Volumen erreicht. mehr...

Die Speerwandler der Innoswitch3-Familie von Power Integrations eignen sich etwa für USB-PDs und Hochstrom-Ladeschaltungen sowie für Netzadapter für mobile Geräte, Netzwerk- und Gaming-Produkte.
Leistungselektronik-Hohe Leistung und Energieeffizient

Wandler-ICs in Galliumnitrid-Technologie von Power Integrations

30.07.2019- ProduktberichtPower Integrations erweitert seine Innoswitch3-Familie an Offline-CV/CC-Sperrwandler-ICs. mehr...

Das 8 × 8 mm² große Package ermöglicht eine 48-fache Erhöhung der Leistungsdichte in MOSFETs.
Leistungselektronik-Dank neuem Package

LFPAK-MOSFETs von Nexperia erzielen bis zu 48-fache Leistungsdichte

03.07.2019- ProduktberichtNexperia bringt ein neues Package aus seiner MOSFET- und LFPAK-Produktfamilie auf den Markt, das in Kombination mit Siliziumtechnik-40-V-MOSFETs einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 0,7 mΩ ermöglicht. mehr...

In Fahrerassistenzsystemen soll der L5965 die Zuverlässigkeit und Qualität verbessern.
Leistungselektronik-Einsatz direkt am Bordnetz

PMIC von ST Microelectronics hilft bei Bildverarbeitung

01.07.2019- ProduktberichtEin programmierbarer Power-Management-Baustein von ST Microelectronics spart Platz und soll die Zuverlässigkeit von Fahrassistenzsystemen verbessern. mehr...

Um Fehler und Ausfälle zu vermeiden, nutzt der BD39040MUF-C eine proprietäre Schaltungstechnik, mit der er mögliche Fehler im Vorfeld erkennen kann.
Leistungselektronik-Mit integrierter Selbstdiagnosefunktion

Rohm: Power-Supply-Monitoring-IC unterstützt funktionale Sicherheit

28.06.2019- NewsDer BD39040MUF-C ist der erste Power-Supply-Monitoring-IC von Rohm mit Selbstdiagnose- und zusätzlichen Funktionen, weshalb er sich als mögliche Lösung für funktionale Sicherheitssysteme für ADAS und automatisiertes Fahren anbietet. mehr...

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