Leistungselektronik

Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

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Analog + Mixed Signal-BLDC-Motorsteuerung

Gleichmäßige, leise und effiziente BLDC-Antriebe

18.08.2016- FachartikelEine Controller-Treiber-Schaltung mit gutem Regler erlaubt es, effiziente, vibrationsarme und leise BLDC-Antriebe schnell und mit geringen Beschaltungsaufwand zu realisieren. Toshiba stellt hierfür einen hochintergrierten Baustein vor und erläutert die besonderen Verbesserungsmerkmale. mehr...

Der TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A.
Leistungselektronik-650-V-GaN-HEMT mit 41 mΩ

GaN-Leistungshalbleiter

11.08.2016- ProduktberichtTransphorm entwickelt und fertigt High-Electron-Mobility-Transistoren aus Gallium-Nitrid (GaN HEMTs). Der neue TPH3207 schaltet Spitzenströme von 220 A und Dauerströme von 47 A bei einer Schaltspannung von 650 V und nur 41 mΩ Durchgangswiderstand sowie einem Qrr (Reverse Recovery Charge) von 175 nC bei voller JEDEC-Qualifikation. mehr...

CSM800: kompaktes Format und flexible Montage.
Leistungselektronik-Integrierte Wasserkühlung

Leistungskondensatoren auch für die Automobilindustrie

13.06.2016- ProduktberichtLeistungskondensatoren von Celem erweitern das Programm von Eurocomp. Neu sind unter anderem die rechteckigen Typen Quad 1001HV für 1000 kVAr sowie C500Q für 500 kVAr, Weiterentwicklungen der Quad- und C500-Serien für größere Spannungen und Kapazitäten von 8 bis 120 µF. mehr...

Die Autoresonant-Technologie des LTC4125 garantiert die Übertragung von ausreichend Energie.
Akkus + Batterietechnik-Energie drahtlos übertragen

Laden ohne Kabel

08.06.2016- FachartikelIn vielen batteriebetriebenen Applikationen, wie sie zunehmend im Markt zu finden sind, ist der Ladestecker schwierig oder gar unmöglich anzubringen. Dazu zählen Geräte, die hermetisch dicht gegen Umwelteinflüsse, Reinigung oder Sterilisation sein müssen, sowie Geräte, die einfach zu klein sind, um einen Stecker aufzunehmen. Drahtloses Laden ist in solchen Fällen eine zuverlässige und robuste Lösung, wobei sich die Energie üblicherweise kapazitiv oder induktiv über geringe Entfernungen von wenigen Zentimetern übertragen lässt. Dieser Artikel stellt ein System zur induktiven Kopplung vor. mehr...

Gate-Treiber der Serie Scale I-Driver für IGBTs und MOSFETs liefern maxiale Ausgangsströme von 2,5 bis bis 8 A.
Leistungselektronik-Neues aus der Power-Fraktion

Ein kurzer Streifzug durch die Welt neuer Leistungselektronik-Bauteile

02.06.2016- FachartikelDie Halbleitertechnologien auf Basis von Galliumnitrid und Siliziumcarbid bringen durch ­eine höhere Leistungsfähigkeit und -dichte ganz neue Formen von Leistungselektronik-ICs mit vielfältiger und teilweise neuartiger Funktionalität hervor. Die Redaktion wirft einen Blick auf einige der Neuheiten. mehr...

Leistungselektronik-Dreifache Schaltgeschwindigkeit

Siliziumkarbid-MOSFETs für Leistungswandler-Designs

17.05.2016- ProduktberichtBisher unerreichte Leistungsdichte und Performance für Leistungswandler verspricht der Einsatz der neuen Cool-SiC-MOSFETs von Infineon. So hat sich die Schaltgeschwindigkeit verdreifacht und die dynamischen Verluste sind laut Infineon um eine Größenordnung kleiner als bei vergleichbaren 1200-V-Si-IGBTs. mehr...

Leistungselektronik-Versorgungsnetze

Stromversorgung für schnelle A/D-Wandler entwickeln

17.05.2016- FachartikelZur Versorgung von A/D-Wandlern mit Abtastraten im Gigasample-Bereich sind spezielle Stromversorgungsnetze erforderlich, die sich mit Linearreglern (LDOs) oder mithilfe von Schaltreglern entwickeln lassen. Um die Vor- und Nachteile beider Lösungen geht es in diesem Beitrag. mehr...

Bild 1: Leistungsmodule der Generation Primepack in IGBT5-Technologie für Spannungsklassen von 1200 und 1700 V.
Leistungselektronik-IGBT-Chiptechnologie

Neue Freiheitsgrade in der IGBT-Leistungselektronik

11.05.2016- FachartikelLeistungsmodule der Generation Primepack mit IGBT5-Technologie basieren auf einem robusten Gehäusekonzept und erreichen eine höhere Leistungsdichte als ihre Vorgänger. Rutronik erklärt wesentliche Verbesserungen gegenüber der IGBT4-Technologie und zeigt Vorteile anhand einiger Industrieanwendungen auf. mehr...

Bild 3:	 Großvolumige Hochleistungslüfteraggregate ergeben in Verbindung mit Radiallüftermotoren extrem kleine Wärmewiderstände.
Wärmemanagement-Immer schön cool bleiben

Effiziente Entwärmung mit Luft und Wasser

09.05.2016- FachartikelBei den hohen abzuführenden Verlustleistungen elektronischer Bauelemente stößt die freie Konvektion durch klassische Aluminiumstrangkühlkörper an ihre Grenzen. Hier ist der Einsatz einer aktiven Entwärmung oder einer Flüssigkeitskühlung gefragt. mehr...

Besonders niederinduktive Kondensator der AVX Baureihe FFVS von TPR.
Leistungselektronik-Streuinduktivität 8 bis 13 nH

Folien-Leistungskondensatoren für hohe Frequenzen

30.04.2016- ProduktberichtFür Zwischenkreisanwendungen wie sie beim Einsatz von Siliziumkarbid-Bausteinen vorkommen hat TPC (Vertrieb: Muecap) den besonders niederinduktiven Kondensator FFVS entwickelt. mehr...

Speziell zur Montage auf Platinen kommen Filmkondensatoren mit einer sehr langen Lebensdauer und einer guten Temperaturbeständigkeit bis 100 °C zum Einsatz.
Passive Bauelemente-Vollverschweißt und langlebig

Kondensatoren für hohe Blitzfrequenzen

29.04.2016- ProduktberichtKondensatoren von FTCAP Fischer und Tausche Capacitors entsprechen hohen Anforderungen an Belastbarkeit. Das Husumer Unternehmen entwickelte speziell für professionelle Blitzanwendungen Kondensatoren, die eine hohe Energiedichte bei Stabilität über einen langen Zeitraum gewährleisten. mehr...

Wireless-Kombiniertes Know-how

Wireless Power und Sensorik in einem Baustein

22.04.2016- ProduktberichtIDT kombiniert die eigenen Wireless-Power-ICs mit der kürzlich von ZMDI erworbenen Signalaufbereitungstechnik, um neue programmierbare Halbleiterbausteine zu entwickeln. Die in der Entwicklung befindlichen ICs eignen sich für viele unterschiedliche Anwendungen. mehr...

Leistungstransistoren MAGb: GaN-Leistung zu LDMOS-Kosten
Leistungselektronik-Besser und kleiner als LDMOS

Hochleistungsfähige GaN-Leistungstransistoren

15.04.2016- ProduktberichtLeistungstransistoren der Serie MAGb von Macom verbinden GaN-Performance mit einer LDMOS-ähnlichen Kostenstruktur. Die Bausteine sind für den Einsatz in Makro-Basisstationen vorgesehen und basieren auf der GaN-Technologie Gen4 des Unternehmens. mehr...

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Leistungselektronik-Optimierung

Industrielle AC/DC-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs effizienter und einfacher entwickeln

12.04.2016- FachartikelIndustrielle Anlagen müssen immer effizienter werden, gefragt sind kompakte Lösungen mit hoher Leistung. Um Energie zu sparen, prüfen Entwickler alle Bestandteile der Leistungskette. Gerade bei den Leistungshalbleitern eröffnet Siliziumkarbid viele neue Möglichkeiten, die sich dank eines neuen Controller-Bausteins nun auch sehr einfach in AC/DC-Wandlern nutzen lassen. mehr...

Vollbrücken-Gate-Treiber-ICs A4955/56 und A5957
Leistungselektronik-Schnittstelle für Industrie- und Konsumeranwendungen

Motorsteuerungs-ICs mit Gatetreiber

11.04.2016- ProduktberichtÜber eine einfache Mikroprozessorlogik können die Vollbrücken-Gate-Treiber-ICs A4955/56 und A5957 von Allegro Microsystems verschiedene DC-Bürstenmotoren ansteuern. Alle drei eignen sich für Motorversorgungsspannungen bis 50 V und Lastströme bis 20 A. mehr...

Das SiC-MOSFET-Treiberboard vereinfacht die Evaluation der SiC-MOSFET-Module.
Leistungselektronik-Evaluationboard

Vereinfachtes Design-in von SiC-Leistungsmodulen

07.04.2016- FachartikelIm Vergleich zu reinen Silizium-Halbleitern bieten SiC-Halbleiter einen größeren Bandabstand oder Wide-Band-Gap. Während Silizium einen Bandabstand von 1,12 eV hat, reicht der von SiC bis 3,2 eV. Microsemi hat ein sehr großes Angebot an SiC-MOSFETs. Auch SiC-MOSFET-Treiberboards sind im Programm, um die Evaluation der Module beim Kunden zu vereinfachen. mehr...

Hochstrom-Induktivitäten aus der SLR-Familie von Coilcraft
Leistungselektronik-Nennströme bis 100 A

Hochstrom-Induktivitäten für HF-Anwendungen

02.04.2016- ProduktberichtDie geschirmten Hochstrom-Induktivitäten aus der SLR-Familie von Coilcraft sind mit Nennstromstärken bis 100 A und Induktivitätswerten von 85 nH bis 370 nH erhältlich, was sie besonders für Hochfrequenzanwendungen wie Multi-Phasen-VRM/VRD/EVRD-Regler und IMVP-kompatible Systemen sowie GPUs und Videografikkarten geeignet macht. mehr...

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Leistungselektronik-Haushaltsgerätenorm IEC 60335-1

Erhöhte Anforderungen an Komponenten

09.03.2016- Sponsored PostDie Norm IEC 60335-1 in ihrer 4. Ausgabe verlangt eine noch höhere Brandsicherheit für unbeaufsichtigt im Haushalt betriebene elektrische Geräte. Um dies zu erreichen, wurden die Anforderungen an die Glühdrahtbeständigkeit der zur Isolation oder Halterung von stromführenden Bauteilen verwendeten Kunststoffe verschärft. Brände in Haushaltsgeräten können durch Überströme (glühende Bauteile), fehlerhafte Bauteile, schlechte elektrische Verbindungen, Lichtbögen bei Schaltkontakten, etc. ausgelöst werden. mehr...

Leistungselektronik-Für die sechste Generation der Skylake-Core-Prozessor-Architektur

Power-Management-ICs

02.02.2016- ProduktberichtRohm erweitert sein Portfolio von Power-Management-ICs mit zwei neuen Produkten, die speziell für Intels 14-nm-Skylake-Core-Architektur entwickelt wurden. mehr...

Bild 1: Im Bereich der Leistungselektronik eröffnen Halbleiter auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) neue Dimensionen.
Leistungselektronik-Leistungshalbleiter

Siliziumkarbid-Halbleiter auf der Überholspur

20.01.2016- FachartikelDie Anforderungen an Leistungselektronik wachsen erheblich, sodass Halbleiterbausteine mit höherer Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit gefragt sind. Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) setzen bezüglich Schaltspannung und -geschwindigkeit, Schaltverluste und Baugröße neue Maßstäbe. mehr...

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