Leistungselektronik

GaN: Kleiner, schneller und leistungsfähiger als Silizium

Bild 4: LTC7150S Schaltplan (links) und Wärmebild (rechts) für 5-V-Eingang bis 0,85-V-/20-A-Ausgang mit fSW = 2MHz.
Leistungselektronik-Den Anforderungen gewachsen

Wie Abwärtswandler System-on-Chip-Lösungen unterstützen

01.04.2019- FachartikelKompakt, leistungsstark, gute EMV-Eigenschaften – die Anforderungen an System-on-Chip-Lösungen in IoT-Anwendungen sind enorm. Monolithische Abwärtswandler leisten Abhilfe und decken den Leistungsbedarf dieser Lösungen. mehr...

Mit der PI358x-Serie an 48-V-ZVS-Buck-Reglern von Vicor ist eine direkte Umsetzung von 48 V auf die Lastspannung ohne Performance-Einbußen möglich.
Leistungselektronik-Für Ausgangsströme bis zu 10 A

GQFN-Gehäuseoption für Vicors 48-V-Buck-Regler senkt Kosten

01.04.2019- ProduktberichtDie Serie PI358x, die aktuelle Erweiterung des 48-V-ZVS-Buck-Regler-Portfolios von Vicor, ermöglicht eine direkte Umsetzung von 48 V auf die Lastspannung ohne Einbußen bei der Performance. mehr...

Der SiC-MOSFET NVHL080N120SC1 von ON Semiconductor ist mit einer maximalen Betriebstemperatur von +175 °C für den Einsatz im Fahrzeug geeignet.
Leistungselektronik-Robuste Bausteine

SiC-MOSFETs von On eignen sich für Industrie sowie Automotive

01.04.2019- ProduktberichtMit der Ankündigung der beiden SiC-MOSFETs will On Semiconductor sein wachsendes SiC-Ökosystem stärken, das daneben SiC-Dioden und -Treibern Ressourcen wie Simulationswerkzeuge umfasst. mehr...

Reliability on Chrome Carabine with White Ropes.
Leistungselektronik-Vier-Phasen-Plan zur Qualifikation von GaN-Leistungstransistoren

Halbleiterindustrie nutzt verstärkt GaN-on-Si-HEMT-Technologie

29.03.2019- FachartikelAnwender setzen verstärkt Leistungsbauelemente ein, die auf Halbleitern mit großem Bandabstand basieren: Die GaN-on-Si-HEMT-Technologie bietet Vorteile beim Wirkungsgrad sowie geringere Gesamtbetriebskosten. mehr...

Aufmacherbild__MicNo-Wandler_Wunder_frei-trans_02_copyright-FraunhoferIISB
Leistungselektronik-Cognitive Power Electronics 4.0

So könnten leistungselektronische Schaltungen entscheiden

29.03.2019- FachartikelLeistungselektronische Wandler erfassen Kenngrößen wie Strom, Spannung und deren Veränderung. Die Schaltungen könnten den Gesamtsystem-Zustand ermitteln und intelligente Entscheidungen treffen. mehr...

Bild 5: Scale-I-Driver für 1700 V IGBTs.
Leistungselektronik-Leistungselektronik

Vor- und Nachteile diskreter Gate-Treiber und von Fertiglösungen

27.03.2019- FachartikelSind Insulated-Gate-Bipolar-Transistoren, die Kreuzung aus MOSFET und Bipolar-Transistor, unkomplizierte steuerbare Leistungsbauteile? Nicht ganz, denn es geht um Leistung. Hohe Zuverlässigkeit wird nur mit dem richtigen Know-how erreicht. mehr...

Bild 1: Die Bauelementestrukturen Superjunction-Transistor, GaN-HEMT und SiC-MOSFET im Vergleich. Alle drei Konzepte treten im 600-V-Bereich an.
Leistungselektronik-Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

25.03.2019- FachartikelWide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt. mehr...

Vom Standard-Umrichter zum Spezialisten für Krananwendungen oder Wickelapplikationen per Software-Update.
Industrie 4.0-Frequenzumrichter als Chamäleon

Mitsubishi spielt Frequenzumrichter-Funktionen per Update auf

20.03.2019- FachartikelWer denkt, bei Frequenzumrichtern gebe es abgesehen von Leistungs- und Spannungsbereichen nichts mehr zu verbessern, liegt falsch. Mit interessanten Features für Kran- und Wickelapplikationen tritt Mitsubishi Electric den Gegenbeweis an. mehr...

Bild 3: Die Pebble-Laptop-PSU ist nur 115 x 52 x 36 mm3 groß und wiegt gerade mal 180 g.
Stromversorgungen- Hohe Zuverlässigkeitsforderungen

So entwickeln Sie Schaltnetzteile für extreme Umgebungen

04.03.2019- FachartikelDie Anforderungen an Stromversorgungen in rauen Umgebungen sind hoch. Grundvoraussetzung für ihre Entwicklung sind die besten Materialien, Technologien und Topologien. Der Beitrag zeigt, wo Leistungsverluste schaltender Stromversorgungen auftreten und erläutert Verbesserungen. mehr...

Heraeus und Toshiba Materials verständigt. Beide wollen künftig gemeinsam metallkeramische Substrate aus Siliziumnitrid (Si3N4) entwickeln und produzieren.
Leistungselektronik-Leistungselektronikmaterialien für Hybrid- und Elektroautos

Heraeus Electronics und Toshiba Materials kooperieren bei Siliziumnitrid-Keramiksubstraten

20.02.2019- NewsNeue Leistungselektronik für anspruchsvollen Einsatz in Hybrid- und Elektrofahrzeugen zur Verfügung zu stellen, darauf haben sich Heraeus Electronics und Toshiba Materials verständigt. Beide wollen künftig gemeinsam metallkeramische Substrate aus Siliziumnitrid (Si3N4) entwickeln und produzieren. mehr...

Die IMM100-Serie von Infineon reduziert die Leiterplattengröße und F&E-Aufwendungen deutlich.
Leistungselektronik- Kombiniert Motorcontroller-IC mit 3-Phasen-Motorinverter

Kleinere Leiterplatten möglich

20.02.2019- ProduktberichtDie IMM100-Serie von Infineon kombiniert einen Motorcontroller-IC und einen 3-Phasen-Motorinverter in einem kompakten 12 × 12 mm2  PQFN-Gehäuse. mehr...

Laden von Elektroautos
Leistungselektronik-Fürs Wachstum der künftigen DC-Lade-Infrastruktur

E-Fahrzeuge: Diese Leistungsbausteine machen das Laden effizienter

13.02.2019- FachartikelProbleme beim Laden schränken das Aufkommen von Elektrofahrzeugen ein. Für die Realisierung von effizienten DC-Schnell-Ladesystemen mit großer Leistungsdichte hat Infineon integrierte Powermodule und Controller-Bausteine entwickelt. mehr...

Der TC78H653FTG für Low-Voltage-Antriebe von Toshiba.
Leistungselektronik-Spannungen von 1,8 bis 7 V

H-Brücken-Treiber-IC für Antriebe

11.01.2019- ProduktberichtDer in Toshibas firmeneigenem DMOS-Prozess für Low-Voltage-Antriebe hergestellte duale H-Brücken-Treiber TC78H653FTG soll eine längere Batterielebensdauer bei stabilem Low-Voltage-Betrieb gewährleisten. mehr...

CoolGaN-600V
Leistungselektronik-Anleitung zum Umstieg von Silizium auf Galliumnitrid

Neue GaN-HEMTs für hocheffiziente Leistungswandler

13.12.2018- Application NoteBesser als Si-MOSFETs eignen sich Galliumnitrid-Transistoren der Serie CoolGaN für hocheffiziente und hochfrequente Leistungswandlerschaltungen, insbesondere für Halbbrücken-Topologien. mehr...

Während Bordladegeräte mit Wechselstrom laden, bieten die leistungsstärkeren Ladestationen auch das Gleichstromladen an.
Leistungselektronik-Elektrofahrzeuge effizenter und schneller aufladen

Konzepte und Bausteine für Ladestationen und Onboard-Charger

06.12.2018- Application NoteDamit das Zusammenwirken der straßenseitigen Ladestationen (EVSE) mit den Onboard-Ladegeräte (OBC) in Fahrzeugen reibungslos funktioniert, unterstützt Texas Instruments (TI) Entwickler mit einem Applikationspapier über Anforderungen, Schaltungsarchitekturen und Halbleiterprodukte für Ladesysteme. mehr...

Topilogie eines 3-Phasen-Traktionsinverters.
Automotive-Ein Fall für effiziente und wärmetolerante Wide-Bandgap-Halbleiter

Neue SiC-Hochspannungskomponenten für Elektrofahrzeuge

06.12.2018- Application NoteIn einem Whitepaper diskutiert TI die Vorteile von SiC-Breitbandhalbleitern in den zwei Subsystemen Onboard-Ladegerät (OBC) und Traktionswechselrichter. mehr...

Bild 1a: Prinzipaufbau des 22 mOhm-Schalters.
Leistungselektronik-Selbstsperrende Kaskode

GaN-Schaltbaustein mit Positiv-Logik vereinfacht die Ansteuerung

05.12.2018- FachartikelEinzelne GaN-HEMTs sind unbeschaltet selbstleitend und umständlich anzusteuern. Visic entwickelte daraus einen intergrierten Schaltbaustein mit funktionaler Sicherheit, der in Positiv-Logik arbeitet und dadurch die Ansteuerung vereinfacht. Der Beitrag erläutert die Besonderheiten und Vorteile dieser GaN-Leistungsschalter. mehr...

PI Automotive PR Pic_V2_May 18
Leistungselektronik-Leistungselektronik im E-Fahrzeug

Isolierte Treiber für Schaltanwendungen der Elektromobilität

04.12.2018- FachartikelLeistungselektronik-Komponenten im Automobilbereich erfordern eine hohe Zuverlässigkeit und hohe Leistungen beim Laden verlangen einen hohen Wirkungsgrad im gesamten Antriebsstrang. Der Beitrag beschreibt, was optimierte SiC-, MOSFET- und IGBT-Treiber sowie robuste Kommunikationstechnologien leisten können, um die Systemlebensdauer zu verlängern. mehr...

Servoregler-IC
Leistungselektronik-BLDC, PMSM, Schrittmotoren und DC-Motoren

Servoregler-IC mit feldorientierter Regelung

12.11.2018- ProduktberichtDer von Trinamic (Vertrieb: MEV) vorgestellte TMC4671 adressiert alle notwendigen Regelschleifen in erprobten und verlässlichen State-Machines realisiert. Damit werden der Mikrocontroller und dessen Software von allen zeitkritischen Aufgaben entlastet. mehr...

Das Treiber-IC TB67H401FTG von Toshiba unterstützt vier Antriebsmodi.
Leistungselektronik-Strombegrenzungssignal ermöglicht Regelung

Treiber-IC mit Strombegrenzungserkennung

02.11.2018- ProduktberichtToshiba stellt ein Dual-H-Brücken-Treiber-IC für bürstenbehaftete DC-Motoren, das eine Ausgangsstrombegrenzung mit 50 V/3 A bietet. Der Treiber eignet sich für alle Anwendungen, bei denen eine Überwachung und Rückmeldung des Motorzustands erforderlich ist. mehr...

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